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磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有非常高的截止频率以及较高的击穿电压(相对Si/SiGe而言),适合于太赫兹单片集成电路的研制.图1和图2分别展示了南京电子器件研究所研制的101.6mm(4英寸)0.25 μm InP DHBT器件剖面图和高频性能,器件电流增益(β)为25,击穿电压(BVCEO)为4.... 相似文献
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报道了用于超高速数字集成电路的0.5μm发射级线宽的InP/InGaAs DBHT器件,及其100 GHz的静态分频器,其工作频率达到国内领先.并详细分析了器件CB结电容对影响高速数字应用的影响,其中Ccb/Ic达到0.4 ps/V,揭示其静态分频器具有工作在150 GHz以上的潜力. 相似文献
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本文基于建设智能化中波广播监测平台的实践,解析了中波广播监测平台的分布式架构,包括数据处理中心和远程监测前端,并介绍了平台通过大数据、人工智能、云计算、互联网等新技术新模式,融合创新出综合值班台、专网通信、监测数据云服务、智能化非法广播监测、故障修复和大数据分析等一系列平台的功能。 相似文献
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