Ca替代YB_2zCu_4O_8超导材料的正电子湮没谱研究

研究了Ｙ（１－ｘ）ＣａｘＢａ２ＣＵ３Ｏ８（ｘ＝０．００—０．１５）超导体系的正电子寿命谱，计算了局域电子密度ｎｅ和空位浓度Ｃｖ随替代含量ｘ的变化，发现了存在于ｘ＝０．１附近的峰值响应，讨论了相应的正电子湮没机制以及和超导电性之间的关联．     

金属氢化物ZrH1.66和TiH1.92的热中子非弹性散射

本文报导了用Be过滤探测器谱仪对金属氢化物ZrH_1.66和TiH_1.92的非弹性散射中子能谱的测量结果,以及根据A.sjolander公式用叠代法计算出的声子谱.两种氢化物的光学支类似高斯分布,能级位置与国外公认的数值一致,而能级宽度比国外已有的未经过多声子校正的结果窄.两种氢化物的声学支既非德拜谱型也非高斯谱型,而呈现双驼峰的结构.另外,在光学支和声学支之间还测量出一些新的结构峰,估计是无序度造成的定域模.     

用FIR滤波器实现的相位均衡

本文采用FIR近似全通网络与原系统级联,整个系统可以保留原有的幅频响应,且整个系统在通带范围内满足预先要求的相位或群延迟特性。我们首先介绍这种FIR近似全通网络的设计方法,然后根据具体设计实例,主要是均衡椭圆滤波器的相位,讨论FIR近似全通网络的阶数、常数群延迟τ,通带宽度以及幅度误差这些因素与相位误差之间的关系,并将这种近似全通网络与IIR全通相位网络,级联后的整个系统与纯FIR滤波器进行比较。由于FIR不存在稳定性问题,可以利用FFT等高速算法实现,所以比IIR全通网络有优越性。它可以直接应用于数字网络、信道等情况的相位均衡。     

新题征展(58)

A　题组新编1 .( 1 )已知定义在 R 上的函数 f ( x)为增函数 ,且 f ( x) .f [f ( x) 1x]=1 ,求f ( 1 ) ;( 2 )已知定义在 R到 R上的连续函数f ( x)满足 f( x) .f( f( x) ) =1 ,若 f ( 1 0 0 ) =99,求 f ( 50 ) .2 .已知 A ={0 ,1 ,2 ,3,4 ,5,6 ,7},f :A→A.分别求下列情况下映射 f的个数 :( 1 )若 i j =7,则 f ( i) f ( j) =7;( 2 )若 i j =7,则 f ( i) .f ( j) =ij.B　藏题新掘3.函数 y =2 ax - 1x 在 ( 0 ,1 ]上最大值为 - 12 ,则 a的值为 (　　 ) .( A) 14 　　　 ( B) - 132( C) - 11 6 ( D) 14 或 - 1324 .已知 a≥ 1 ,b…     

改进型潘宁离子源获得难溶金属离子的研究

本文描述了改进型潘宁离子源在活性化学反应机理作用基础上获得难熔金属离子。研究了源结构和引束上活性气体的影响,并获得有关结果。     

陀螺的随机漂移与测试方法的研究

本文利用试验数据对陀螺的随机漂移进行了分析,指出陀螺的随机漂移实际上有两种:陀螺噪声和漂移测试数据隔日相减所得的随机漂移。本文指出,用力反馈法测得的随机漂移主要是陀螺噪声,而伺服法测得的才是正规定义下的随机漂移。本中还简要分析了伺服数据处理中的动平均时间的选择。     

用于凝聚态物质研究的旋转晶体中子飞行时间谱仪

本文介绍了我所自行设计和制造的一台旋转晶体中子飞行时间谱仪。该仪器对凝聚态物质的各种动力学研究是一个有效的工具。我们通过选取适当的锗单晶(111)平面旋转轴的办法消除了仪器单色束中多晶面反射的“污染”(contamination)。该谱仪的入射初始中子能量范围可为10—100meV,对应的初始中子能量分辨率为2.5—7.2％。本文根据Brockhouse理论对散射中子的分辨率作了详细的理论计算,并将计算结果与实测结果进行了对比。介绍了标准钒样品的非弹性散射中子谱的测量结果并与国外几个同类型谱仪的基本特性作了比较。     

First-Principles Calculations of Atomic and Electronic Properties of T1 and In on Si（111）

The atomic and electronic structures of T1 and In on Si（111） surfaces are investigated using the firstprinciples total energy calculations. Total energy optimizations show that the energetically favored structure is 1/3 ML T1 adsorbed at the T4 sites on Si（111） surfaces. The adsorption energy difference of one T1 adatom between （√3 × √3） and （1 × 1） is less than that of each In adatom. The DOS indicates that TI 6p and Si 3p electrons play a very important role in the formation of the surface states. It is concluded that the bonding of TI adatoms on Si（111） surfaces is mainly polar covalent, which is weaker than that of In on Si（111）. So T1 atom is more easy to be migrated than In atom in the same external electric field and the structures of T1 on Si（111） is prone to switch between （√3 × √3） and （1 × 1）.