一种高效地实现运动估计算法的VLSI结构

本文提出了一种全新的低延滞、高吞吐率、可编程的ＶＬＳＩ树型结构，它能十分有效地实现ＦＳＡ和ＴＳＳＡ运动估计算法。该结构比其它树型结构少１／３的处理单元（ＰＥ），而且ＰＥ单元的延时减少一半。独特的ＭＥ窗缓冲结构使Ｉ／Ｏ带宽和Ｉ／Ｏ管脚大大减小，交叉流水线技术使硬件利用率可达到１００％。这些特点使得该结构适合ＶＬＳＩ实现。     

MMM分子筛的制备与表征

 以碱溶液处理ZSM－5分子筛，得到了含微孔及介孔的MFI结构分子筛（简称MMM），并采用XRD，XRF，SEM，XPS和低温氮吸附等技术对分子筛进行了表征．结果表明，通过改变处理碱的浓度可以得到具有不同物化性能的MMM分子筛，其化学组成、介孔及微孔的大小和多少，及分子筛晶体上n（Al）／n（Si）均随碱浓度的变化而变化，随着碱浓度的增加，分子筛部分微孔结构遭到破坏，介孔的数量增加，孔径增大，n（Al）／n（Si）增大．碱处理脱硅的过程包括脱除晶粒间的无定形物质，脱除分子筛表面的硅及脱除分子筛体相硅等步骤，硅脱除以后形成了介孔．     

DeNOx催化剂FeZSM-5/Raney Fe的制备

用原位晶化法合成了FeZSM-5/RFe(RFeRaney Fe)催化剂. 合成液的组成为5Na2O*100SiO2*10TPABr*7 000H2O,pH＞11.5. 合成液中不含Al,ZSM-5分子筛的骨架Al只来源于Raney Fe的表面. 此法提高了ZSM-5分子筛中骨架Al的稳定性和分子筛上Fe离子的负载量. FeZSM-5/RFe用作DeNOx催化剂时具有较高的活性和水热稳定性.     

影响SAPO－11分子筛焙烧前后晶胞空间群变化的因素

 从合成参数出发，详细考察了不同因素对SAPO－11分子筛焙烧前后晶胞空间群变化的影响．发现成胶方式、成胶温度、模板剂组成、晶化温度、晶化时间及分子筛产物组成均是影响分子筛晶胞空间群变化的因素．MAS－NMR分析结果表明，分子筛的微观结构决定了分子筛晶胞空间群的变化，Si（4Si）区增加，分子筛保持为Icm2空间群的趋势增强．     

纳米氧化铝负载双硫腙分离富集-原子吸收法测定地质样品中的金、铂、钯的研究

金、铂、钯在地质样品中的含量甚微,国内外常采用ICP-AES,ICP-MS和ETAAS直接测定。FAAS法由于仪器便宜、操作方便,也广泛应用于预富集后的痕量贵金属的分析。目前,在测定贵金属的分析方法中,常采用固相萃取法富集分离样品,主要的固相萃取剂有:无机吸附剂,交联树脂[1],螯合树脂[     

趋磁性细菌-磁场处理含镍废水的研究

应用趋磁性细菌-磁场技术处理Ni2 废水.首先进行了趋磁性细菌吸附试验,研究了pH、温度、时间、微生物量对吸附的影响.其次进行了趋磁性细菌的分离试验,考查了磁分离器中金属丝框的位置和磁场强度对磁分离过程的影响.试验结果表明,经这种方法处理后,出水中镍离子浓度很低.     

教"归纳与猜想"的三个数学史例

新课程标准注重数学史的教育,在系列3安排一个<数学史选讲>专题,<标准>对数学史的教育作了如下论述:……     

新题征展(97)

A 题组新编 　　1.(侯雪花)若a,b是正数,且a+b=1. 　　(1)求证:(a+1/a-1)(b+1/b-1)≥9/4; 　　(2)求证:(a+1/a-1)2+(b+1/b-1)2≥9/2; 　　(3)求证:(a+1/a-2)(b+1/b-2)≤1/4; 　　(4)求证:(a+1/a-2)2+(b+1/b-2)2≥1/2.……     

基于相位差误差补偿的磁元件损耗测量法

准确评估磁元件损耗对高频功率变换器效率和热设计至关重要。交流功率法广泛用于低频领域的电气电子设备功率和元器件损耗的测量,该方法对电压和电流之间的相位差比较敏感,导致交流功率法在高频领域难以准确测量被测件的损耗。本文提出一种采用无感电阻进行相位差误差补偿的测量方法,克服了相位差的测量误差对高频磁元件损耗测量的影响。分析了测量方法的工作原理,通过求解无感电阻和磁元件损耗的测量公式以消除相位差导致的测量误差,得到新的磁元件损耗测量公式。进一步分析了新测量方法的影响因素,以降低其对测量结果的影响。最后,建立了一个测量平台,在1.2 MHz频率范围内正弦波激励工况下对两种磁元件进行损耗测量,并与阻抗测量法和量热法进行了对比。实验结果验证了提出的方法能够准确有效地测量高频磁元件的损耗。