对角线为4英寸的表面放电等离子体显示器

作者介绍了一种具有80×80个腔(象素)、腔距为1mm 的4英寸全色表面放电交流等流离子体显示器(SD—PDP)。实验结果表明三相驱动方式对提高器件的亮度和发光效率及改善存储系数有明显的效果。在4英寸和1英寸的全色 SD—PDP 屏中保     

宽带隙半导体GaN的快速反应原子束蚀刻

本文描述了宽带隙半导体 GaN 的快速反应原子束蚀刻。(0112)取向蓝宝石上 GaN膜蚀刻深度与蚀刻时间成正比,衬底温度在80—150℃范围内,用 Cl_2蚀刻的速率为0.10—0.12μm/分。该值小于 GaAs(100)的蚀刻速率,但比蓝宝石衬底的蚀刻速率要大十几倍。氮化镓是具有纤锌矿结构的宽带隙半导     

推广的磁通活脱钉模型（EMTAD）中的中值能量问题

本文详细论证了推广的磁通热激活脱钉模型与一维周期势中布朗运动稳态解的一致性地利用中值定理引入截止能量ＥＣ可能带来的误差作了估计。     

用反应离子束蚀刻制备1.3μmGaInA sP/InP横模掩埋新月激光器

用反应离子束蚀刻(RIBE)技术制做了稳定的横模1.3μm Ga InAsP/InP 掩埋新月激光器。在11-25mA 的低阈值电流下实现了高达95%的单横模效率。在高功率和长运转周期(50℃,20mA,1000h)的条件下证明了横模的稳定性。进入到单模光纤的耦合效率为63%,160mA 时的耦合功率为40mW。同时证明了在5mW 的恒定功率(50—70℃)和20mW(50℃)的老化试验中有稳定的连续工作。     

电场对ZnSe/ZnS应变层超晶格的影响

对加电场的ZnSe/ZnS应变层超晶格(SLSs)进行了光致发光测量,并观察到发光猝灭和峰向较低能侧的移动。这些现象与ZnSe阱中由电场引起的电子——空穴分离有关。作者用ZnSe/ZnS SLSs已成功地得到了光调制器,并证明了电场造成的吸收改变会起到光开关的作用。此外,得到了作为ZnSe/ZnS SLSs二次谐波的0.5235和0.436μm波长的相干光。     

HZSM—5分子筛增强酸位的研究

本文首先报道我们在缩醛反应中发现ＨＺＳＭ－５分子筛催化活性得到增强的现象以及相应的水热处理条件。其次报道用回旋质谱方法对ＨＺＳＭ－５分子筛增强酸位所进行的ＮＨ３－ＴＰＤ表征。最后报道对增强酸性的ＨＺＳＭ－５分子筛进行了核磁共振研究；通过＾２＾９Ｓｉ，＾２＾７ＡｌＭＡＳＮＭＲ，＾１Ｈ－＾２＾７ＡｌＣｐ／ＭＡＳ ＮＭＲ观测提供酸增强效应与脱铝程度，铝配位状态变化的关联。这些基本事实将有助于酸增加机制的     

ACTFEL显示器模型

引言高分辨率ACTFEL显示系统的关键指标是屏的总功耗和发光特性,关键指标是显示矩阵的电光特性,显示屏的驱动方式和驱动元件的性能。为了模拟显示器阵列的全部关键特性就必须有一种多用模型,用它来测量基本的物理现象和电学性能。本文介绍了一种新的方法,将宏观模型和电——光模型分析结合在一起来模拟TFEL显示矩阵。采用这种矩阵的分布RC网络模型可以有效地计算显示矩阵和驱动器的功耗。根据对亮度的模拟分析有可能模拟光学性能和功耗特性,还可以分析荧光粉层和介电层厚度与矩阵尺寸的关系。     

多重Ⅱ型删失数据场合 Logistic 分布参数的近似似然函数

在多重Ⅱ型删失数据场合,利用ML法做统计推断时,由于似然函数过于复杂,常遇到很大困难.通过文中方法我们获得了 Logistic 分布参数的近似似然函数,并在大样本场合,证明此似然函数以概率1收敛于原似然函数.     

喷墨印刷有机电致发光显示材料与器件进展

随着有机电致发光显示（OLED）技术的不断发展,OLED在智能手机、智能手表和电视等市场应用不断扩大。尤其是在小尺寸智能手机市场,OLED已成为主流的显示技术,并有望逐步替代LCD技术。但在中大尺寸显示产品如平板电脑、笔记本、显示器、电视等应用领域,受限于目前真空蒸镀工艺的高成本及可靠性问题,发展较为缓慢,但市场对其需求依然很高。相比于真空蒸镀技术,通过喷墨印刷技术制备显示器件,可极大地提高材料利用率,降低设备成本,且由于其是一种增材制造方式,可减少资源消耗和环境污染,更有利于实现大面积、轻、薄、柔的显示屏制造。本文介绍了用于喷墨印刷OLED的各功能层材料研究进展,并对印刷OLED器件结构、制备工艺及器件性能进行了讨论,最后对印刷OLED的发展前景进行了展望。