倍增型有机光电探测器的研究进展

介绍了倍增型有机光电探测器的发展、工作机理、性能调控及相关的应用探索. 2015年张福俊课题组以单载流子传输通道的给受体混合(质量比约为100:1)薄膜为有源层，率先报道了界面附近受陷电子诱导空穴隧穿注入的倍增型有机光电探测器，并抑制了器件的暗电流密度.通过优化有源层厚度调控了界面附近受陷电荷的体分布，制备出超窄响应的倍增型有机光电探测器，并提出载流子注入窄化的新概念.利用三元策略及双层策略，制备出了宽响应倍增型有机光电探测器.利用光子俘获层调控器件的响应范围，以及利用倍增层获得了较大的外量子效率，将二极管型与倍增型器件的优势集中在一个器件中.引入光学调控层或将宽带隙材料引入有源层中，调控界面附近受陷电子分布，优化了器件的光谱形状，进而制备出响应光谱宽且平的倍增型有机光电探测器.将制备的倍增型有机光电探测器应用到心率监测、单像素成像及光开关等领域，取得较好的应用成果.     

转动参考系中质点运动的动力学分析及数值模拟

转动参考系中质点在惯性力作用下的运动是力学教学的难点，本文分别在匀角速转动参考系、变角速转动参考系和惯性系下对该问题的动力学进行分析，得出质点的动力学微分方程；并基于欧拉法，利用Matlab软件对该问题的动力学微分方程进行了数值计算求解和模拟，直观地画出了质点的运动轨迹，基于程序数据对该问题的运动规律进行了较为深入的分析。将研究内容融入教学中，提高了教学效果，培养了学生解决实际问题的能力，对海洋科学、大气科学等相关的专业的后续专业课学习产生了积极的影响。     

在GaAs(100)ZnSe(110)衬底上VPE生长ZnSe薄膜

用高纯度Zn和Se做原材料研究了在GaAs(100)和ZnSe(110)衬底上外延生长ZnSe薄膜.实验是在723和873K下进行的,用光致发光测量、二次离子值谱仪(SIMS)、椭圆对称分析和光学显微镜观察对生长的薄膜进行了测量分析,在Zn和Se的输运比接近1的条件下获得了最佳外延生长膜.对异质外延膜的SIMS分析表明主要受主型杂质最Li和Na.同时,发现在相同生长条件下,与在GaAs衬底上生长的薄膜相比,在高纯ZnSe衬底上外延生长薄膜的PL特性有所改进。值得注意的是衬底纯度对ZnSe衬底上生长薄膜的纯度有很大影响。     

后沉积退火对ZnS:Mn交流薄膜电致发光器件电—光特性和微结构的影响

Ⅰ引言交流薄膜电致发光(ACTFEL)是一种极富生命力的显示技术,这一点在许多实验室已得到证明.ZnS:Mn 薄膜的后沉积热处理技术也得到广泛地应用并表明可改善亮度和电致发光的效率。然而,我们就有关退火作用的详细报告所知甚少,而且几乎没发表过有关影响原材料制备方面的文章。这里我们观察了掺杂到原材料的 MnCl_2是如何影响退火效果的,并与其它的掺杂技术做了比较。     

浅谈光纤入户的规划、施工及检测要点

网络技术、信息技术高度发达,光纤通信技术已经相当成熟,在生产生活中得到了广泛的普及与应用。光纤通信具有传输速度快、稳定性高、安全可靠的优势,能够为人们提供更好的网络通信服务。通过对光纤入户的概念、优势进行简单阐述,从规划、施工、检测等多个角度入手,详细探讨光纤入户的操作规程,为以后的光纤入户施工提供了重要的方向指引,对我国光纤通信事业的健康发展具有重要的借鉴意义。     

四川移动“无线城市”建设及商业模式研究

本文通过对无线城市的组网和商业模式的关键问题的分析,提出契合四川移动目前覆盖资源的整体宽带接入技术发展策略,以发展的眼光定位无线城市建设,从不同需求和不同场景制定地市分公司的无线城市建设模板,并对地市分类、切入时间点、切入方式和部署方案等具体思路提出指导建议,研究＂无线城市＂的商业模式,探索四川移动在全业务发展的形势下,针对不同类别的地市分公司,如何实现＂无线城市＂的赢利。     

定数截尾两参数指数——威布尔分布形状参数的Bayes估计

在不同的损失函数下,本文研究了两参数指数—威布尔分布(EWD)形状参数的Bayes估计问题.基于定数截尾试验,当其中一个形状参数α已知时,给出了另一个形状参数θ在三种不同损失函数下的Bayes估计表达式,并求得了可靠度函数的Bayes点估计.最后运用随机模拟方法,将Bayes估计和极大似然估计进行了比较.结果表明,LINEX损失下Bayes估计的精度比极大似然估计高.     

对角线为4英寸的表面放电等离子体显示器

作者介绍了一种具有80×80个腔(象素)、腔距为1mm 的4英寸全色表面放电交流等流离子体显示器(SD—PDP)。实验结果表明三相驱动方式对提高器件的亮度和发光效率及改善存储系数有明显的效果。在4英寸和1英寸的全色 SD—PDP 屏中保     

宽带隙半导体GaN的快速反应原子束蚀刻

本文描述了宽带隙半导体 GaN 的快速反应原子束蚀刻。(0112)取向蓝宝石上 GaN膜蚀刻深度与蚀刻时间成正比,衬底温度在80—150℃范围内,用 Cl_2蚀刻的速率为0.10—0.12μm/分。该值小于 GaAs(100)的蚀刻速率,但比蓝宝石衬底的蚀刻速率要大十几倍。氮化镓是具有纤锌矿结构的宽带隙半导