在GaAs(100)ZnSe(110)衬底上VPE生长ZnSe薄膜

用高纯度Zn和Se做原材料研究了在GaAs(100)和ZnSe(110)衬底上外延生长ZnSe薄膜.实验是在723和873K下进行的,用光致发光测量、二次离子值谱仪(SIMS)、椭圆对称分析和光学显微镜观察对生长的薄膜进行了测量分析,在Zn和Se的输运比接近1的条件下获得了最佳外延生长膜.对异质外延膜的SIMS分析表明主要受主型杂质最Li和Na.同时,发现在相同生长条件下,与在GaAs衬底上生长的薄膜相比,在高纯ZnSe衬底上外延生长薄膜的PL特性有所改进。值得注意的是衬底纯度对ZnSe衬底上生长薄膜的纯度有很大影响。     

后沉积退火对ZnS:Mn交流薄膜电致发光器件电—光特性和微结构的影响

Ⅰ引言交流薄膜电致发光(ACTFEL)是一种极富生命力的显示技术,这一点在许多实验室已得到证明.ZnS:Mn 薄膜的后沉积热处理技术也得到广泛地应用并表明可改善亮度和电致发光的效率。然而,我们就有关退火作用的详细报告所知甚少,而且几乎没发表过有关影响原材料制备方面的文章。这里我们观察了掺杂到原材料的 MnCl_2是如何影响退火效果的,并与其它的掺杂技术做了比较。     

转动参考系中质点运动的动力学分析及数值模拟

转动参考系中质点在惯性力作用下的运动是力学教学的难点,本文分别在匀角速转动参考系、变角速转动参考系和惯性系下对该问题的动力学进行分析,得出质点的动力学微分方程;并基于欧拉法,利用Matlab软件对该问题的动力学微分方程进行了数值计算求解和模拟,直观地画出了质点的运动轨迹,基于程序数据对该问题的运动规律进行了较为深入的分析。将研究内容融入教学中,提高了教学效果,培养了学生解决实际问题的能力,对海洋科学、大气科学等相关的专业的后续专业课学习产生了积极的影响。     

应用内聚力模型研究人牙本质裂纹扩展的升阻能力

论文采用断裂力学中的内聚力模型,结合有限元法研究裂纹沿牙本质小管和垂直于牙本质小管扩展的断裂韧度.数值模拟结果表明牙本质的断裂韧度随着裂纹扩展而增大,表现出上升的阻力曲线(R-curve)特性,但裂纹沿牙本质小管扩展的断裂韧度要大于裂纹垂直于牙本质小管扩展的断裂韧度,表现出各向异性的裂纹扩展阻力曲线性质.同时论文的研究也表明内聚力模型能够准确预测牙本质的裂纹扩展行为.     

对角线为4英寸的表面放电等离子体显示器

作者介绍了一种具有80×80个腔(象素)、腔距为1mm 的4英寸全色表面放电交流等流离子体显示器(SD—PDP)。实验结果表明三相驱动方式对提高器件的亮度和发光效率及改善存储系数有明显的效果。在4英寸和1英寸的全色 SD—PDP 屏中保     

宽带隙半导体GaN的快速反应原子束蚀刻

本文描述了宽带隙半导体 GaN 的快速反应原子束蚀刻。(0112)取向蓝宝石上 GaN膜蚀刻深度与蚀刻时间成正比,衬底温度在80—150℃范围内,用 Cl_2蚀刻的速率为0.10—0.12μm/分。该值小于 GaAs(100)的蚀刻速率,但比蓝宝石衬底的蚀刻速率要大十几倍。氮化镓是具有纤锌矿结构的宽带隙半导     

用反应离子束蚀刻制备1.3μmGaInA sP/InP横模掩埋新月激光器

用反应离子束蚀刻(RIBE)技术制做了稳定的横模1.3μm Ga InAsP/InP 掩埋新月激光器。在11-25mA 的低阈值电流下实现了高达95%的单横模效率。在高功率和长运转周期(50℃,20mA,1000h)的条件下证明了横模的稳定性。进入到单模光纤的耦合效率为63%,160mA 时的耦合功率为40mW。同时证明了在5mW 的恒定功率(50—70℃)和20mW(50℃)的老化试验中有稳定的连续工作。     

电场对ZnSe/ZnS应变层超晶格的影响

对加电场的ZnSe/ZnS应变层超晶格(SLSs)进行了光致发光测量,并观察到发光猝灭和峰向较低能侧的移动。这些现象与ZnSe阱中由电场引起的电子——空穴分离有关。作者用ZnSe/ZnS SLSs已成功地得到了光调制器,并证明了电场造成的吸收改变会起到光开关的作用。此外,得到了作为ZnSe/ZnS SLSs二次谐波的0.5235和0.436μm波长的相干光。     

ACTFEL显示器模型

引言高分辨率ACTFEL显示系统的关键指标是屏的总功耗和发光特性,关键指标是显示矩阵的电光特性,显示屏的驱动方式和驱动元件的性能。为了模拟显示器阵列的全部关键特性就必须有一种多用模型,用它来测量基本的物理现象和电学性能。本文介绍了一种新的方法,将宏观模型和电——光模型分析结合在一起来模拟TFEL显示矩阵。采用这种矩阵的分布RC网络模型可以有效地计算显示矩阵和驱动器的功耗。根据对亮度的模拟分析有可能模拟光学性能和功耗特性,还可以分析荧光粉层和介电层厚度与矩阵尺寸的关系。