快淬钐铁合金不同速率下的相结构演变

在高真空电弧熔炼及单辊旋淬一体炉制备钐铁合金薄带实验中,通过控制辊轮转速来实现不同的冷却速率(10~5~10~6K·s~(-1))。在快速冷凝钐铁合金的过程中,由于存在非常高的温度梯度,落至辊轮上的合金液滴会迅速冷凝成连续的非晶或微晶薄带。通过XRD物相检测手段研究快淬钐铁合金不同速率下的相结构演变。结果表明:在常规冷却条件下凝固得到的钐铁合金中具有α-Fe,SmFe_3,SmFe_2和Sm_2Fe_(17)4种物相;在快速冷凝条件下,钐铁合金的α-Fe相消失,随着冷却速率增大,SmFe_3相也消失,合金中只剩下SmFe_2和Sm_2Fe_(17)相;冷却速率继续增大时,快淬钐铁中出现非晶,且随着冷却速率的增大,非晶含量增多;此外,当快淬速率升至36.5 m·s~(-1)时,非晶含量可达到50%左右。     

基于区块链的云数据匿名确定性删除方法

现有确定性删除方案忽略了用户数据与用户身份的关联性,使用户的删除行为暴露给攻击者或云服务提供商。为解决此问题,提出一种基于区块链的云数据匿名确定性删除方法。该方法改进了可链接环签名方案,使用户可以通过控制签名中的链接标记在匿名情况下实现确定性删除;同时,它利用区块链记录删除行为,使其具有不可抵赖性。理论分析和实验表明:该方法不仅能满足用户数据的确定性删除要求,而且具有匿名性可以切断用户数据与其身份的关联,从而有效避免攻击者或云服务提供商对用户行为的追踪分析。     

5G网络C-RAN建设方案探讨

本文提出了5G网络C-RAN组网架构,并根据实际网络建设场景,总结了5G网络C-RAN建设方案。在建设5G网络C-RAN架构同时,开启5G站间协同COMP功能,有效提升了小区边缘用户感知。     

三相磁阀式可控电抗器研究及展望

本文介绍了三相磁控电抗器的发展历史和研究现状,分析了不同种类的三相磁控电抗器的工作原理和电磁特性,结合其优缺点对未来的研究做出展望.     

电力电子装置在电力系统中的应用分析

在科学技术日新月异的背景下,电力电子技术的发展速度越来越快,许多电子装置被应用于电力系统中,以此保证电网的可靠与安全运行,实现电力系统的良性发展.电力作为人们日常生活中的重要资源,其系统逐渐朝着智能化的方向发展,对国计民生与国家经济的发展具有重要作用,因而电力电子装置的应用显得十分重要,成为电力行业的关注焦点.本文就电力电子装置在电力系统中的应用进行分析和探讨.     

监测接收机PHM技术方法探讨

监测接收机是卫星导航系统的核心设备之一,保障和维护其精稳运行是系统提供高精度服务的关键。本文提出了监测接收机 PHM 健康评估与预测的定义,给出了监测接收机健康参数概念,分析了健康参数偏离次数、偏离概率影响监测接收机健康状态的评估方法,概述了参数获取、数据处理、状态评价、分析诊断以及趋势预测等主要流程,对进一步探讨卫星导航系统故障预测与评估技术,提升运行维护能力有很好的借鉴作用。     

雷达光电智能协同探测技术研究

对低慢小目标的探测,当前雷达光电协同跟踪算法存在较大缺陷,特别是当目标发生强机动时,协同跟踪精度大大降低,主要原因是雷达给出的距离预报精度较差。针对低慢小目标,首先提出了雷达光电协同跟踪流程,然后给出了基于雷达光电数据的距离解耦算法,为光电设备提供高精度的距离信息,最后采用基于IMM-BLUE序贯集中式融合算法,有效地提高了雷达光电协同跟踪的精度和数据率,同时该算法给出了目标的高度,为低慢小目标的打击,提供高质量引导数据。     

Nd_2O_3掺杂(Sr_(0.9)Ba_(0.1))La_4Ti_4O_(15)陶瓷的结构及微波性能

采用传统的固相反应法制备(Sr_(0.9)Ba_(0.1))La_4Ti_4O_(15)+x%Nd_2O_3(质量分数0≤x≤8,BSN)系微波介质陶瓷,并对其物相组成、晶体结构及微波介电性能进行分析。研究结果表明,Nd_2O_3含量的增加降低了BSN陶瓷的烧结温度,陶瓷的主晶相为SrLa_4Ti_4O_(15)相,并伴随有少量第二相La_2TiO_5的生成。在微波频率下,随着Nd_2O_3含量的增加,BSN陶瓷的介电常数及谐振频率温度系数变化小,品质因数与频率之积(Q×f)值提高,优化出掺杂4%Nd_2O_3的(Sr_(0.9)Ba_(0.1))La_4Ti_4O_(15)陶瓷具有最佳微波介电性能:εr=43.2,Q×f=42 015 GHz(6.024 GHz),τf=-9.6μ℃-1。     

一种宽温范围高稳定CMOS带隙基准源

在传统带隙基准源的基础上,设计了一种在极宽温度范围内具有高温度稳定性的CMOS带隙基准电路。该电路将三极管的集电极置于负反馈环路中,以避免三极管基极分流对集电极电位的影响,实现温度补偿。通过采用低电源抑制比(PSRR)的差分运放,可以得到不受电源电压影响的基准电压。基于0.5 μm CMOS标准工艺实现,采用Spectre进行仿真,结果表明:该带隙基准源在室温下产生的基准电压为(1.256 9±0.000 32) V,在－35 ℃~125 ℃温度范围内的温漂系数为1.39×10－6/℃;当工作电压为1.8~4.6 V时,输出电压仅变化0.31 mV/V;3 V供电下的功耗为14.69 μW;满足胎压监测芯片的设计要求。