超导变电站的研究综述

高温超导电力技术的发展使得建设超导变电站具有了可行性,超导变电站是包含高温超导磁储能系统、高温超导限流器、高温超导电缆和高温超导变压器等超导装置的一种新型变电站。超导变电站的应用将使变电站成为电网中柔性坚强、清洁高效、安全可靠的支撑节点,这将对智能电网的建设有重大的意义。在深入研究高温超导电力技术发展情况的基础上,阐述了超导变电站相比传统变电站的优越性、发展超导变电站的技术基础、超导变电站应用的技术难点,并对超导变电站的发展做出了展望。     

多层HgCdTe异质外延材料的热退火应力分析

前期研究采用高温热处理方法,获得了抑制位错的最佳退火条件.通过比对实验,发现不同衬底上HgCdTe表面的CdTe钝化层在热处理过程中对位错的抑制作用各有不同.结合晶格失配应力和热应力对不同异质结构进行理论计算,借助X射线摇摆曲线的倒易空间分析,解释了CdTe钝化层对HgCdTe位错抑制的影响作用.     

分子束外延HgCdTe表面缺陷研究

采用GaAs作为衬底研究了HgCdTe MBE薄膜的表面缺陷,借助SEM分析了不同缺陷的成核机制,确定了获得良好表面所需的最佳生长条件。发现HgCdTe外延生长条件、衬底表面处理等因素与外延层表面各种缺陷有关,获得的外延层表面缺陷（尺寸大于2μm）平均密度为300cm^-2,筛选合格率为65％。     

ZnSe单晶薄膜生长控制和掺杂控制

为研制ZnSe基蓝绿色半导体激光器,必须能够对组成激光器的各单元材料实现精确控制生长,包括材料的晶体质量、掺杂浓度和生长速度等。ZnSe是制备蓝绿激光器的基础材料,本文报道利用MBE技术对ZnSe材料进行生长控制和掺杂控制的初步研究结果。     

束源杂质引发的MBE HgCdTe表面缺陷

研究了利用GaAs作为衬底的HgCdTe MBE薄膜的表面缺陷，发现其中一类缺陷与Hg源中杂质有关。采用SEM对这类缺陷进行正面和横截面的观察，并采用EDX对其正面和横截面进行成分分析。并设计了两个实验：其一，在CdTe／GaAs衬底上，低温下用Hg源照射20min，再在其上继续高温生长CdTe；其二，在CdTe／GaAs衬底上，一直用Hg源照射下高温生长CdTe。两个实验后CdTe表面都出现与HgCdTe表面相比在形状和分布上类似的表面缺陷，采用光学显微镜和SEM对CdTe表面缺陷进行了观察，通过CdTe表面缺陷和HgCdTe表面缺陷的比较，我们证实了这类表面缺陷的成核起源于Hg源中杂质。     

面向5G的无线通信组网设计

随着移动通信技术由4G迈向5G,也掀起新一轮技术创新浪潮。我国高度重视5G发展,将其作为国家战略积极推进。5G是信息通信技术发展阶段的重要转折点,从技术上来看5G是对于4G的演进,但从产业生态上来看将是突破。针对5G中运用的多种新技术、新架构、新问题给网络建设所带来的挑战,本文论述如何做好无线通信组网设计助力网络建设。     

碲镉汞红外焦平面器件技术进展

近十年碲镉汞第二代红外焦平面探测器应用呈现爆发式增长,也是第三代焦平面技术快速发展的十年。文中对近十年来碲镉汞红外焦平面探测器技术的发展进行了简单的回顾,并结合碲镉汞红外焦平面探测器的应用,对在碲镉汞红外焦平面探测器技术方面的研究工作和工程应用进行了总结,最后,对未来碲镉汞红外焦平面探测器技术的发展进行了展望。     

基于BSP-16的H.264熵编码器的实现

为提高在DSP上实现的H．264编码器效率，利用Equator BSP-16处理器特有的协处理器（VLx），提出了一种并行处理熵编码（CAVLC）的方法，最终实现了CIF格式视频的实时编码。实验数据表明，该方法提高了编码器的效率，达到了较好的效果。     

HgCdTe分子束外延In原子的掺杂特性

报道了用 MBE方法生长掺 In N型 Hg Cd Te材料的研究结果。发现 In作为 N型施主在 Hg Cd Te中的电学激活率接近 1 0 0 % ,其施主电离激活能至少小于 0 .6me V。确认了在制备红外焦平面探测器时有必要将掺杂浓度控制在约 3× 1 0 1 5cm- 3水平。比较了高温退火前后 In在 Hg Cd Te中的扩散行为 ,得出在 40 0°C温度下 In的扩散系数约为 1 0 - 1 4cm2 / sec,确认了 In原子作为 Hg Cd Te材料的 N型掺杂剂的可用性和有效性     

Sharp LC-45GX6T

液晶彩电是Sharp的强项.Sharp LC-45GX6T采用了Sharp引以为豪的第6代超高画质Hi-Vision液晶面板,创造出世界上第一部45英寸量产化的宽屏幕液晶彩电.它不仅屏幕大,而且清晰度也高,其解像度为1920×1080,总像素高达622万,完全能适应高清晰度数字电视1080i、720p的信号格式.