对推进无线电管理技术设备国产化的思考

0引言20世纪80年代以来,我国无线电应用范围越来越广,业务种类越来越多,无线电用户急剧增长。仅从移动电话用户看,截至2010年6月,总数已突破8亿户,达到8.05亿户,在世界各国遥遥领先。随着＂泛在网＂、＂智慧地球＂、＂物联网＂等新型发展战略的提出．     

1,3-双(1-苯基-1H-四唑-5-巯基)-乙酰苯腙钳形受体对卤素阴离子的识别机理

采用密度泛函B3LYP(Becke, three-parameter, Lee-Yang-Parr)和HF(Hatree-Fock)方法, 从理论上探讨了1,3-双(1-苯基-1H-四唑-5-巯基)-乙酰苯腙(DAPHZ)钳形受体对卤素阴离子的识别机理,结果发现DAPHZ受体以其钳形结构中的-N-H基团与卤素阴离子间形成双侧红移氢键进行识别. 经BSSE校正后DAPHZ•••F-, DAPHZ•••Cl-和DAPHZ•••Br-体系的分子识别相互作用能ΔECP分别为-327.5,-163.5和-148.3 kJmol-1, 说明钳形DAPHZ受体对F-具有最好的识别能力. 此外, 采用自然键轨道(NBO)计算, 相关H原子化学位移计算及分子中原子(AIM)等理论分析了识别体系中红移氢键的电子结构和性质, 结果表明APHZ受体对卤素阴离子的识别能力的相对顺序为DAPHZ•••F- >> DAPHZ•••Cl- ≈ DAPHZ•••Br-.     

Pr0．45（Ca1-xSrx）0．55MnO3体系调带宽引起的磁相变及电输运性质转变

采用固相法制备了Pr0．45（Ca1-xSrx）0．55MnO3（x=0．0,0．2,0．4,0．6,0．8,1．0）多晶样品．通过测量样品的X射线衍射（XRD）谱、磁化强度-温度（M～T）曲线、电阻率-温度（ρ～T）曲线,研究了Sr^2＋替代Ca^2＋对Pr0．45Ca0．55MnO3体系磁性和电性的影响．实验发现：...     

从开普勒定律到万有引力定律

从椭圆轨道出发,推导出了万有引力定律.     

在大学物理中讲授纵波的一点尝试

采用小球弹簧链模型和相对形变,以便于理解纵波的基本性质.     

关于渐近非扩张映射的Cesàro意义下的修正Ishikawa迭代(英文)

设E是一致凸Banach空间,且具有一致Gteaux可微范数,C是E的一个非空闭凸子集,T是渐近非扩张映射.对于任意x∈C,本文引入Cesàro意义上的修正Ishikawa迭代:x0=x∈C,yn=γnun+δnxn+(1-γn-δ)n+11∑j=0nTjxn,xn+1=μnvn+αnγf(xn)+βnxn+[(1-μn-βn)I-αnA]n+11∑j=0nTjyn,n≥0在适当的条件下证明此迭代序列的强(弱)收敛性.     

智能电池—Smart Battery

最早由Intel和Duracell开发的智能电池(Smart Battery)技术已经开始渗透到笔记本电脑领域。它的电源管理功能可以在笔记本电脑的屏幕上显示出当前电源的使用情况及剩余多少分钟。自1996年上半年以来,中国台湾省和韩国等地的厂商已经陆续开始接受这种新技术。许多厂商已开始提供智能电池的产品。     

Synthesis and mesomorphic properties of trifluorobenzoate liquid crystal

Four series of trifluorobenzoate liquid crystals have been synthesized. Their phase transition temperatures have been also measured by texture observation in a polarizing microscope and confirmed by DSC. The influence of the lateral fluoro-substitution and triple bond has been also discussed.     

应变Si调制掺杂NMOSFET电子面密度模型

应变Si(Strain Si)调制掺杂NMOSFET量子阱沟道中电子面密度直接影响器件的开关特性.本文通过求解泊松方程,建立了应变Si调制掺杂NMOSFET量子阱沟道静态电子面密度模型,并据此建立了器件阈值电压模型,利用MATLAB软件对该模型进行了数值分析.讨论了器件结构中δ-掺杂层杂质浓度和间隔层厚度与电子面密度和阈值电压的关系,分析了器件几何结构参数和材料物理参数对器件量子阱沟道静态电子面密度和阈值电压的影响.随着δ-掺杂层杂质浓度的减小和间隔层厚度的增加,量子阱沟道中电子面密度减小,阈值电压绝对值减小.