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942.
943.
垂直发射极镇流电阻在HBT中的发射极电流集边效应中的作用 总被引:2,自引:0,他引:2
在异质结双极晶体管(HBT)功率器件中可以引入外延生长的发射极镇流电阻,以改善其热稳定性.通过理论计算和实验表明这种低掺杂的外延层不仅能作为镇流电阻,而且在功率HBT器件中还能非常有效地降低发射极电流集边效应. 相似文献
944.
~(63)Cu的丰度值和热中子活化截面较大(69.09%,4.5巴),在理想条件下铜的分析灵敏度可达10~(12)—10~(11)克。直到高分辨率的多道γ谱仪问世以前,铜的热中子活化分析大都采用化学分离法,如采用沉淀、电解、离子交换和溶剂萃取等分离方法,制备出放射化学纯的铜化合物,用定标器或NaI探测器进行测量。即使是采用离子交换或溶剂萃取法,为了计算回收率和测量方便,最后一般以硫氰化亚铜的形式予以沉淀。化学分离法具有不受基体和其他杂质核素的干扰、准确度高等优点,但分离步骤多、操作繁杂、周期长。近年来,由于带高分辨率探测器的多道谱仪比较普及,采用不破坏法测定铜者较多。该法固然简单,但往往存在不少问题,例如,一般以β~ 湮没产生的511keVγ光子光电峰来定量铜,而~(24)Na、~(65)Zn、~(85)Sr等核素均能生成511keV的光电峰,都会干扰~(64)Cu的测定,其中干扰最甚者为~(24)Na和~(65)Zn。~(24)Na的干扰有人采用扣除的方法进行校正,而扣除的比例各有差异, 相似文献
945.
无线通信技术是电力行业的一大革新,对于整个社会的发展进步有着重要的影响.随着城乡现代化建设步伐的加快,我国无线通信技术的运用更加普遍,促进了人们日常生活水平的提高.由于早期传统的无线通信模式已满足不了现代发展需要,对于无线通信技术的使用要求也更加严格.本文重点分析了无线通信技术的运用,并提出了运用先进的技术进行改进. 相似文献
946.
The high power light emitting diodes(LEDs) based on InGaN and AlGaInP individually are tested on line at temperatures from -30 to 100℃.The data are fitted to measure the relationship between temperature and the properties of forward voltage,relative light intensity,wavelength,and spectral bandwidth of two different kinds of LEDs.Why these properties changed and how these changes reflected on applications are also analyzed and compared with each other.The results show that temperature has a great influence on the performance and application of power LEDs.For applications at low temperature,the forward voltage rising and the peak wavelength blue-shifting must be considered;and at high temperature,the relative light intensity decreasing and the peak wavelength red-shifting must be considered. 相似文献
947.
农业电子商务是以信息技术为基础,以Internet为平台的有关农业生产管理和农副产品及农业生产资料交易的商务活动。农业电子商务是实现我国农业信息化乃至现代化的必由之路。本文详细分析了我国农业电子商务的发展策略。 相似文献
948.
二次电子发射模型的精度对二次电子倍增击穿阈值的模拟计算影响很大, 针对现有两种经典二次电子发射唯象模型的不足, 以修正Vaughan模型作为Furman模型中的真二次电子发射系数计算模型, 建立起一种二次电子发射的复合唯象模型. 该模型不仅适用于倍增击穿过程的数值模拟, 还很大程度上提高了与实验数据拟合的准确性. 通过对银和铝合金两种材料二次电子发射系数实验结果和模型拟合结果的对比发现, 在不同入射角情况下, 复合唯象模型的平均误差较原有两种模型降低了10%以上.
关键词:
二次电子发射
唯象模型
击穿阈值 相似文献
949.
提出了一种基于腔面非注入区的新型窗口结构, 通过腐蚀高掺杂欧姆接触层, 在腔面附近引入电流非注入区, 限制载流子注入腔面, 减少载流子在腔面处的非辐射复合, 提高了激光器腔面的光学灾变性损伤(COD)阈值。同时, 引入脊型波导结构, 降低了光束的水平发散角。采用该结构制作的器件在功率达到22W时仍未出现COD现象, 而无腔面非注入区结构的器件输出功率达到18W时腔面发生COD。同时, 采用该结构制作的器件在工作电流为12A时其光束的水平发散角约为10°, 而常规电流非注入区结构的器件在相同的工作电流下其光束水平发散角约为15°。 相似文献
950.