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41.
Cr(Ⅲ)—5—Br—PADAP—Triton X—100析相光度法测定微量铬的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究Cr(Ⅲ)-5-Br-PADAP-Triton X-100析相显色体系,建立测定微量铬的析相光度法。在pH 4.5乙酸-乙酸钠介质中,Cr(Ⅲ)、5-Br-PADAP、Triton X-100加热形成的配合物,于95℃恒温浴中析相1h,即被Triton X-100相完全富集,最大吸收峰为593nm,铬含量在0~10μg/5ml服从比耳定律,以硫脲、锰-EDTA、柠檬酸钠、氟化钾为掩蔽剂,测定水样中微量铬,获得满意结果。 相似文献
42.
卡尔曼滤波析相光度法同时测定锰铁铜锌镉的研究——5-Br-PADAP—Triton X-100体系 总被引:1,自引:0,他引:1
运用卡尔曼滤波递推法,以2-(5-溴-2-吡啶偶氮)—5-二乙氨基苯酚(5-Br-PADAP)为显色剂,建立了同时测定锰、铁、铜、锌、镉析相光度法.在pH9.0硼酸-氢氧化钠介质中,胶束溶液在95℃加热1h,配合物被Triton X-100相完全富集,最大吸收峰分别为锰566nm、铁556nm、铜560nm、锌562nm、镉557nm,工作曲线范围除镉为0~8μg/5ml外,其余均为0~10μg/5ml.应用于大米中锰铁铜锌镉的同时测定,结果满意. 相似文献
43.
本文研究了铀-2-(3,5-二溴-2-吡啶偶氨)-5-二乙氨基苯酚(3,5-diBr-PADAP)-Triton X-100析相光度体系,建立了矿石中微量铀的测定方法,在pH 7.5三乙醇胺-盐酸介质中,将胶束溶液在 95±1℃加热 1h.络合物即被Triton X-100相完全富集.络合物最大吸收峰位于565nm.摩尔吸光系数为1.02×10~5L·mol~(-1)·cm~(-1),铀含量在0~12μg/5mL服从比耳定律.采用TBP萃淋树脂分离干扰离子,测定矿石中微量铀,结果满意. 相似文献
44.
用计算机分析模拟方法研究了2-(4-氨酰基-2-噻唑基)-1,4-脱水-L-木糖醇及其氟代衍生物的糖基构象,计算结果显示,6个碳核苷类似物的糖基构象均为S型。核磁共振谱和晶体X射线衍射结果与计算结果相吻合。 相似文献
45.
46.
47.
自从1963年爆炸法合成纳米金刚石[1]以来,纳米金刚石已在科研和工业领域得以广泛应用.但是工业合成的纳米金刚石粉由于其工艺的限制存在一些杂质,其中主要包括纳米石墨、非晶碳和爆炸过程中产生的金属离子.因此,在实际科研工作前对纳米金刚石粉进行纯化处理就显得十分重要,以往的研究表明不同的处理方法各有利弊[2].在以下的研究中,我们采用盐酸消解的方法对商业购买的纳米金刚石粉进行纯化处理,通过对比纯化处理前后的IR、Raman以及ICP表征,分析讨论了酸处理方法的纯化效果. 相似文献
48.
邻香兰素-氨基酸席夫碱及其配合物对O-2的抑制作用 总被引:6,自引:0,他引:6
自从1965年B.Rosenberg等发现顺式 二氯二氨合铂(Ⅱ)能抑制大肠杆菌的细胞分裂、在1969年发现它的抗动物肿瘤活性后,在探索新的有效抗癌药物时,发现席夫碱类化合物有一定的抗癌作用,其金属配合物效果更佳[1,2]。O-2是导致生物体内炎症、衰老和癌变的重要原因之一。我们采用改进的邻苯三酚自氧化法,使用紫外 可见分光光度计对所合成的邻香兰素 丝氨酸席夫碱(L1)、邻香兰素 苏氨酸席夫碱(L2)、邻香兰素 半胱氨酸席夫碱(L3)、邻香兰素 蛋氨酸席夫碱(L4)、邻香兰素 谷氨酸席夫碱(L5)及其过渡金属配合物进行了生物活性测试,得到的结论为… 相似文献
49.
钽离子掺杂对LiFePO4 / C物理和电化学性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
采用PAM(聚丙烯酰胺)模板-溶胶凝胶法在惰性气氛下合成钽掺杂的LiFePO4/C复合正极材料,考察了钽对目标化合物的物理和电化学性能的影响。研究结果表明,0.33C的电流下充放电时,掺杂前后第2个循环的放电容量分别为138.6 mAh·g-1和155.5 mAh·g-1,循环20次后容量为141 mAh·g-1和156 mAh·g-1。电化学交流阻抗表明,掺杂后的材料阻抗Rct从180 Ω减小到120 Ω。振实密度比掺杂前提高0.312 g·cm-3。 相似文献
50.
Two-dimensional electron gas characteristics of InP-based high electron mobility transistor terahertz detector
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The samples of In_xGa_(1-x)As/In_(0.52)Al_(0.48)As two-dimensional electron gas(2DEG)are grown by molecular beam epitaxy(MBE).In the sample preparation process,the In content and spacer layer thickness are changed and two kinds of methods,i.e.,contrast body doping andδ-doping are used.The samples are analyzed by the Hall measurements at 300 Kand 77 K.The In_xGa_(1-x)As/In_(0.52)Al_(0.48)As 2DEG channel structures with mobilities as high as 10289 cm~2/V·s(300 K)and42040 cm~2/V·s(77 K)are obtained,and the values of carrier concentration(Nc)are 3.465×10~(12)/cm~2and 2.502×10~(12)/cm~2,respectively.The THz response rates of In P-based high electron mobility transistor(HEMT)structures with different gate lengths at 300 K and 77 K temperatures are calculated based on the shallow water wave instability theory.The results provide a reference for the research and preparation of In P-based HEMT THz detectors. 相似文献