高频单线圈双调谐NMR单晶探头的研制

本文报道了一种测角单晶NMR探头。该探头采用单线圃双调谐电路,工作频率在90MHz-110 MHz连续可调,可进行交叉极化大功率去耦实验。文中提出了一种简单而有效的测角装置,可使单晶绕三个互相垂直轴转动实现单晶的NMR测量。作为典型的应用例子,本文利用该探头实现了单晶DGO(2NH₂CH₂COOH·H₂C₂O₄)屏蔽张量的测量。     

Synthesis of GaN Nanorods by Ammoniating Ga2O3/ZnO Films

Large quantities of CaN nanorods are successfully synthesized on Si（111） substrates by ammoniating the films of Ga2O3/ZnO at 950℃ in a quartz tube. The structure, morphology and optical properties of the as-prepared CaN nanorods are studied by x-ray diffraction, scanning electron microscopy, high-resolution transmission electron microscopy, Fourier transform infrared spectroscopy, and photoluminescence. The results show that the CaN nanorods have a hexagonal wurtzite structure with lengths of several micrometres and diameters from 80 nm to 300hm, which could supply an attractive potential to harmonically incorporate future GaN optoelectronic devices into Si-based large-scale integrated circuits. The growth mechanism is also briefly discussed.     

高剥离氩离子电子碰撞电离参数评估

基于可以得到的理论和实验数据，对利用准相对论组态平均近似系列程序包计算的类氢、类氯、类锂氩离子的碰撞电离原子参数进行了评估，发现对基态类氢、类氯和类锂氩离子的碰撞电离，在不考虑共振过程的情况下，我们的加交换的准相对论扭曲波方法的计算结果是可靠的，但对于激发态的碰撞电离过程。还有待于可靠的数据比较，此外对不同离化度的离子有很好的类氢近似标度规律。     

差分流线扩散法的局域稳定性分析

本文讨论差分流线扩散法的局部稳定性分析，在理论上证明了该方法依旧保持着流线扩散法扰动局部影响的特性。     

风云变幻的德国有线电视市场

德国电信是德国有线电视市场最大的运营商，无力对庞大的网络进行升级改造，欲将其网络出售给海外公司，以便解决自己的债务问题。海外公司之间的竞争以及相关管制机构的干预，导致了市场运作复杂多变的局面。     

Ca原子的Penning离化

用614.3nm染料激光照射以Ne为缓冲气体的Ca空心阴极灯,观察到了Ca原子的Pen-ning离化效应。对比在Li空心阴极灯中获得的光电流信号,解释了Ca原子的彭宁离化。     

高能量掺钛蓝宝石脉冲激光器输出能量超过150mJ

高能量掺钛蓝宝石脉冲激光器输出能量超过１５０ｍＪ我们用改进生长工艺和晶体后处理条件生长的高质量掺钛蓝宝石晶体，成功地获得了高能量、高效率的掺钛蓝宝石脉冲激光输出。泵浦源是Ｑ开关腔倍频的Ｎｄ：ＹＡＧ激光，脉冲宽度１０ｎｓ，脉冲重复频率１～１０Ｈｚ，可产...     

A Comparison of Different Measures for Dynamical Event Mean Transverse Momentum Fluctuation

Various measures for the dynamical event mean transverse momentum fluctuation are compared with the real dynamical fluctuation using a Monte Carlo model. The variance calculated from the G-moments can reproduce the dynamical variance well, while those obtained by subtraction procedures are approximate measures for not very low multiplicity. Фpt, proposed by Gadzicki M and Mrowczynski S [Z. Phys. C 54 (1992)127], can also serve as an approximate measure after being divided by the square root of mean multiplicity.     

驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作

a-Si：H／SiNx：H TFT在长时间栅偏应力作用下，会产生阈值电压漂移，这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象，文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同，利用PECVD制作了不同N／Si比（0．87～1．68）的氮化硅绝缘材料，对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱（EDS）测试。制作了不同的MIS结构电容，对其进行老化实验和C-V测试分析，结果表明稍富氮（N／Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1．33）的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显，表明其缺陷态密度相对较小，能够有效减小半导体／绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si：H TFT像素电路及其阵列版图，优化了电路中的几个关键参数，即T1的W／L=2．5、T2的W／L=25和存储电容Cs=0．8pF。运用7PEP生产工艺，制作了13cm（5．2in）的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试，其开态电流为10μA，开关比为10^6；对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试，其最高亮度为341cd／m^2。