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141.
142.
This paper reports that a novel type of suspended ZnO nanowire field-effect
transistors (FETs) were successfully fabricated using a
photolithography process, and their electrical properties were
characterized by I--V measurements. Single-crystalline ZnO
nanowires were synthesized by a hydrothermal method, they were used
as a suspended ZnO nanowire channel of back-gate field-effect
transistors (FET). The fabricated suspended nanowire FETs showed a
p-channel depletion mode, exhibited high on--off current ratio of
~105. When VDS=2.5 V, the peak transconductances
of the suspended FETs were 0.396 μS, the oxide capacitance was
found to be 1.547 fF, the pinch-off voltage VTH was about
0.6 V, the electron mobility was on average 50.17 cm2/Vs. The
resistivity of the ZnO nanowire channel was estimated to be
0.96× 102Ω cm at VGS = 0 V. These
characteristics revealed that the suspended nanowire FET fabricated
by the photolithography process had excellent performance. Better
contacts between the ZnO nanowire and metal electrodes could be
improved through annealing and metal deposition using a focused ion
beam. 相似文献
143.
垂直腔面发射激光器的动态特性分析 总被引:4,自引:1,他引:4
本文给出了动态的垂直腔面发射速率方程,并由此推出了瞬态下的衰减因子和张弛振荡频率和计算公式,以及小信号调制下的光子、载流子的响应函数表达式。计算结果表明,在瞬态下衰减因子随β的增加明显变大,它使张弛振荡过程变短;在小信号调制下,多量子阱的周期增益结构比一般的垂直腔面发射结构有更大的调制带宽。 相似文献
144.
以TC17合金锻件为基材,采用激光修复工艺方法,在其上沉积TC11合金粉末,制备TC17-TC11双合金修复试样,在双合金界面处靠近TC17锻件基体一侧观察到一定深度的热影响区。通过调整激光修复工艺参数(激光功率、扫描速度、送粉率),构造不同深度的热影响区,探讨热影响区深度对激光修复试样高温拉伸性能的影响。研究结果表明,高温拉伸时,修复试样表现为滑移分离型断裂,由于α/β两相的应变不协调,拉伸时裂纹萌生于TC11合金α/β相界面,其中热影响区深度为5 mm修复试样的强度和塑性匹配度好。随着热影响区深度的增加,修复试样的强度值呈现先升后降的趋势,热影响区深度为2 mm修复试样的抗拉强度最大,但其塑性较差。 相似文献
145.
星载固态功率放大器低气压放电和微放电研究 总被引:1,自引:0,他引:1
论述了低气压放电与微放电的产生机理。以要求在低气压和真空环境下能正常工作的某星载微波固态功率放大器为例,详细介绍了在设计和生产中对低气压放电和微放电所采取的预防措施,重点从放气孔设计、多余物和污染物的控制、结构件设计和表面处理等方面进行了详细论述。对C波段20 W固态功率放大器进行了低气压实验和真空实验,并进行了性能测试。结果表明,产品在实验过程中其幅频特性、频谱和电流与常压状态相同,无异常情况。该产品在卫星实际环境中工作正常,也证实了星载微波固态功率放大器在设计和生产中采取措施的有效性和必要性。 相似文献
146.
基于MEMS的非制冷红外探测器广泛用于军用和民用领域,其中作为探测器核心部件的焦平面探测阵列的读出电路等关键技术的研究至为重要.设计了一块240×320的焦平面探测阵列的读出电路,此电路能够抑制MEMS工艺的波动,减小探测器环境温度的影响.采用HHNEC 0.5 μm 工艺对此设计流片,其测试结果达到预期目标.芯片输出电压为1.5~3.5 V,每帧图像输出时间为16.32 ms,可以保证每秒61帧图像输出. 相似文献
147.
148.
149.
张强 《世界专业音响与灯光》2009,(6):68-68
中国国家博物馆扩建后,新馆将于2010年上半年投入使用。新馆不仅扩充了面积和收藏文物,也增添了许多文物展示设备.其中包括由励丰代理的DL.3数字灯.控制系统则专门配备了一台Hog3 PC控台。 相似文献
150.