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71.
采用溶胶-凝胶法制备了MgO和SiO2的二元复合氧化物载体,通过浸渍法制得NiO/MgxSi1-xOy催化剂,并使用Brunauer-Emmett-Teller(BET)吸附、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)等时其进行表征.以甲苯和萘的混合物作为高温焦炉煤气中焦油组分的模型化合物,在固定床反应器中进行高温焦炉煤气中焦油组分催化裂解的研究.结果表明,催化剂的焙烧温度、反应空速以及载体中Mg和Si的原子比对反应活性有很大的影响.在反应温度800℃、水碳摩尔比为0.7的条件下,10%(w)NiO/Mg0.80Si0.20Oy催化剂能将甲苯和萘完全转化为CO、CH4等小分子气体,显示出很好的催化活性、稳定性以及好的抗积炭性能. 相似文献
72.
研究了2,3,4-三甲氧基苯基-苯基-烯酮(9)与乙氧基乙炔的加成-重排反应, 得到2种薁酮异构体产物(11和12), 其结构经核磁共振波谱和X射线单晶衍射分析进行了确证. 该研究结果为Woodward所提出的分步反应机理提供了实验依据. 相似文献
73.
利用密度泛函理论研究石墨烯和硼氮类石墨烯包覆对LiFePO4 (010)表面结构和电导性质的影响. 结果表明包覆层和LiFePO4 (010)表面之间的相互作用可以改善LiFePO4 (010)表面的电导性能. 石墨烯包覆LiFePO4 (010)表面后, 禁带宽度从3.3 eV减小到2.1 eV. 硼氮类石墨烯包覆LiFePO4 (010)表面后, 虽然其价带顶和导带底仍由Fe的3d轨道贡献, 但禁带中出现两个间隔为0.6 eV的带隙态, 由硼氮类石墨烯与LiFePO4(010)表面有直接接触并形成共价键的B原子和N原子贡献. 相似文献
74.
采用5-((4-吡啶基)甲氧基)-异烟酸(H2PLIA)、1,3,5-三(1-咪唑基)-苯(TIB)合成了金属有机骨架[Cd(PLIA)(TIB)]n (MOF-1),MOF-1是具有理想一维孔道的二维结构化合物,其一维孔道由柔性三角形PLIA2-配体和刚性三角形TIB配体间隔形成。利用MOF-1 易掺杂的优势,采用后修饰合成策略制备了Tb@MOF-1。对MOF-1 和Tb@MOF-1 进行了基本表征及荧光探针性能研究。2种探针材料具有相同的结构。MOF-1和Tb@MOF-1分别对水溶液中的Cr2O72-和S2O82-离子具有较强荧光识别能力,均有响应时间快,稳定性、选择性、灵敏度高的特点。研究了MOF-1和Tb@MOF-1对Cr2O72-和S2O82-的荧光识别机理,其不同可能与Tb3+离子掺杂有关。 相似文献
75.
76.
由信息 产业部电信科学技术情报研究所主 办的2000国际无线市话及接入网 新技术研讨会,3月 7日至9日在北 京召开。来自全国各地固定电信运 营部门及制造企业有关人员约100 多人参加会议。电信科学技术情报 研究所信息发展中心陈育平主任主 持会议,并对无线市话技术与市场 进行了全面而深刻地分析。中国科 学研究院声学研究所侯自强所长、 广东省电信科学技术研究院 和仁 主任在会上做了技术分析报告。华 为、广州LG拓普仕、朗讯、北电、京 瓷、UTStarcom、P—COM等公司的 代表分别阐述了各自在无线市话及 接入网方面的见解及方案。 此次会议是在中国电信重组之 后,面临国内及国外竞争压力,急需 拓展现有业务,并随时准备进军新 业务领域的形势之下,为了更好地 让制造商与固定电信运营商能坐在一起互相交流,寻找中国电信企业长远发展之路,分析巳经出现的各种短期行为的利弊,共同迈向中国电信美好明天而召开的。与会者就多种巳经实施或可能实施的木地无线市话方案进行了热烈地讨论。他们表示,相信这次会议能给中国的电信企业带来新的思索与转机。无线市话及接入网新技术 将掀中国电信发展新高潮@岳 相似文献
77.
密码协议的形式化分析与设计原则 总被引:3,自引:0,他引:3
介绍了密码协议的形式化分析方法和设计原则,着重介绍了BAN逻辑及其发展以及一些重要的协议设计原则,并提出了作的一些观点。 相似文献
78.
本文从几个方面探讨了一种应用粘合二氧化硅片制作绝缘体上硅的新技术。粘合是通过将一对亲水表面相互贴合的硅片置于惰性气体中加热来实现的。提出了一种以裂解传播理论为基础的适用于计算粘合表面能的定量方法。研究发现粘合强度随着粘合温度的升高而增加,从室温下的60~85尔格/cm~2升到1400℃时的2 200尔格/cm~2。粘合强度基本上与键合时间无关。通过800℃退火10分钟达到的机械强度,足以承受为获得所需厚度而对上面硅片进行的机械或化学减薄加工以及随后的器件制作工序。提出了一种模型解释在实验温度范围内粘合的三种明显状态。采用金属-氧化物-半导体(MOS)电容器来测试粘合的电特性,其结果与在粘合界面处的负电行密度约10~(11)cm~(-2)一致。采用两次深腐蚀工艺将芯片低薄到希望的厚度,其厚度均匀性在 4英寸硅片上为± 20nm。剩余硅层中的线位错密度是10~2~10~3cm~(-2),残留的掺杂剂浓度少于5×10~(15)cm~(-3),两者都是腐蚀阻挡层的剩余物。在20~100mm厚的硅层上制作的互补金属-氧化物-半导体(CMOS)器件具有 60mV/dec亚阈值斜率(包括n沟和p沟MOS晶体管)。有效载流子寿命在80nm和300nm厚硅膜中是15~20μs。在硅膜覆盖的氧化层界面上的界面态密度是≥5 ×10~(10)cm(-2)。 相似文献
79.
鲍林岳 《电视字幕·特技与动画》2001,8(5):9-10
随着数字技术、网络技术进入电影的制作和播放领域,电影与电视的界限越来越模糊,尤其是制作手法越来越接近。国家广电总局电影局鲍林岳副局长在此为广大读者介绍了中国电影技术发展规划及实现目标,他提到“十五”期间,我国要建设世界先进水平的电影数字工作站、数字电子影院、DVD多媒体节目生产基地、电影节目数字平台、高清晰度电视播出的电影节目库等项目,以此来全面提高我国电影技术水平。 相似文献
80.
本文首次提出用激光诱导敏化荧光光谱法测量铀原子5f36d7s7p-7M7,5f6d7s7p-?L6,5f37p-5K6,5f26d27s2-5L7,5f4d7s-7L6,(17070cm-1)-5L6,5f26d27s2-5K6,5f36d7s7p-7L5,5f36d7s7p-7K5,5f26d27s2-5I5 10个能级向基态跃迁的自发发射分支比;采用空心阴极发射光谱法测量了它们的相对振子强度;测量并计算了这些能级的寿命及其基态跃迁的自发发射跃迁几率,获得了较高的测量准确度和分辨率。 相似文献