微波管内的表面击穿

全面介绍了真空条件下表面击穿的研究状况,重点讨论了二次电子发射雪崩理论,论述了二次电子发射、陶瓷表面处理、磁场、解吸附等因素对表面击穿的影响,并讨论了增加表面击穿电压的各种办法.为研究微波管的人员提供了理论参考.     

C_2^+ (X^4 Σ_g^-,1^4 Σ_u^+)离子体系解析势能函数、光谱常数和振动能级研究

采用多参考组态相互作用(MRCI)方法,结合aug-cc-pV6Z(AV6Z)基组,计算了C₂⁺(X⁴Σ_g^-,1⁴Σ_u⁺)的势能曲线,计算过程中考虑了Davidson修正和相对论效应,并将结果外推至完备基组(CBS)的极限.基于得到的单点能量,用最小二乘法方法进行了Murrell-Sorbie函数拟合,得到了势能函数解析式(APEF).基于APEF,计算了C₂⁺(X⁴Σ_g^-,1⁴Σ_u⁺)离子体系的离解能D_e,平衡核间距R_e,光谱常数ω_e,ω_eχ_e,B_e,α_e,结果与实验和其他理论计算值符合...     

美国研究人员在固体材料激光冷却方面取得突破

据www.photonics.com网站报道,美国新墨西哥大学的一个研究小组研制出一种可用于机载/星载传感器的全固态激光冷却(光学制冷)技术。该小组的Sheik-Bahae教授表示,目前标准的多级热电(帕尔贴)制冷器仅可将某个器件(如探测器)冷     

Kac-Moody-Virasoro symmetry algebra of a （2＋1）-dimensional bilinear system

Based on some known facts of integrable models, this paper proposes a new （2＋1）-dimensional bilinear model equation. By virtue of the formal series symmetry approach, the new model is proved to be integrable because of the existence of the higher order symmetries. The Lie point symmetries of the model constitute an infinite dimensional Kac- Moody Virasoro symmetry algebra. Making use of the infinite Lie point symmetries, the possible symmetry reductions of the model are also studied     

千兆以太网SOPC系统的实现

网络正在成为当今社会通用通信的骨干力量,现代化的设备迫切需要解决如何简洁高速的接入问题。涉及了基于FPGA的嵌入式技术。简要介绍了使用Xilinx的EDK和ISE等工具的设计流程和设计实现支持TCP/IP协议的10M/100M/1000M以太网SOPC系统的工程实例,并对涉及的关键技术进行了说明,列出了实物系统的指标测试结果。     

推广的Painlevé展开及KdV方程的非标准截断解

利用奇性流形的任意性，选用不同的展开函数及非标准截断展开于KdV方程，得到了许多用复杂隐函数表示的精确解. 关键词：     

Preparation and reaction of bis (perfluoroalkanesulfonyl) methyl halides

Halogenation of the potassium or silver salts of bis(trifluoromethanesulfonyl)methane (CF3SO2)2CH2 and its cyclo analogues 1 with N-fluoro-bis(trifluoromethanesulfonyl)imine [(CF3SO2)2-NF], chlorine or bromine gave good yields of the corresponding α-halo disulfone (CF3SO2)2CHX and cyclo analogues 9, 10. The chemical transformation of these fluorinated α-halo-disulfones are described.     

无线市话及接入网新技术 将掀中国电信发展新高潮

由信息 产业部电信科学技术情报研究所主 办的２０００国际无线市话及接入网 新技术研讨会，３月 ７日至９日在北 京召开。来自全国各地固定电信运 营部门及制造企业有关人员约１００ 多人参加会议。电信科学技术情报 研究所信息发展中心陈育平主任主 持会议，并对无线市话技术与市场 进行了全面而深刻地分析。中国科 学研究院声学研究所侯自强所长、 广东省电信科学技术研究院　和仁 主任在会上做了技术分析报告。华 为、广州ＬＧ拓普仕、朗讯、北电、京 瓷、ＵＴＳｔａｒｃｏｍ、Ｐ—ＣＯＭ等公司的 代表分别阐述了各自在无线市话及 接入网方面的见解及方案。 此次会议是在中国电信重组之 后，面临国内及国外竞争压力，急需 拓展现有业务，并随时准备进军新 业务领域的形势之下，为了更好地 让制造商与固定电信运营商能坐在一起互相交流，寻找中国电信企业长远发展之路，分析巳经出现的各种短期行为的利弊，共同迈向中国电信美好明天而召开的。与会者就多种巳经实施或可能实施的木地无线市话方案进行了热烈地讨论。他们表示，相信这次会议能给中国的电信企业带来新的思索与转机。无线市话及接入网新技术 将掀中国电信发展新高潮@岳     

密码协议的形式化分析与设计原则

介绍了密码协议的形式化分析方法和设计原则，着重介绍了BAN逻辑及其发展以及一些重要的协议设计原则，并提出了作的一些观点。     

适用于制作绝缘体上硅的硅片粘合技术

本文从几个方面探讨了一种应用粘合二氧化硅片制作绝缘体上硅的新技术。粘合是通过将一对亲水表面相互贴合的硅片置于惰性气体中加热来实现的。提出了一种以裂解传播理论为基础的适用于计算粘合表面能的定量方法。研究发现粘合强度随着粘合温度的升高而增加,从室温下的60～85尔格/cm~2升到1400℃时的2 200尔格/cm~2。粘合强度基本上与键合时间无关。通过800℃退火10分钟达到的机械强度,足以承受为获得所需厚度而对上面硅片进行的机械或化学减薄加工以及随后的器件制作工序。提出了一种模型解释在实验温度范围内粘合的三种明显状态。采用金属-氧化物-半导体(MOS)电容器来测试粘合的电特性,其结果与在粘合界面处的负电行密度约10~(11)cm~(-2)一致。采用两次深腐蚀工艺将芯片低薄到希望的厚度,其厚度均匀性在 4英寸硅片上为± 20nm。剩余硅层中的线位错密度是10~2～10~3cm~(-2),残留的掺杂剂浓度少于5×10~(15)cm~(-3),两者都是腐蚀阻挡层的剩余物。在20～100mm厚的硅层上制作的互补金属-氧化物-半导体(CMOS)器件具有 60mV/dec亚阈值斜率(包括n沟和p沟MOS晶体管)。有效载流子寿命在80nm和300nm厚硅膜中是15～20μs。在硅膜覆盖的氧化层界面上的界面态密度是≥5 ×10~(10)cm(-2)。