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本文指出了钕激活的玻璃光受激发射在闪光过程中振荡光谱线的数目以及它们的波长随时间的变化。斯奈泽(E. Sixitzer)的文章曾经指出钕激活玻璃受激光发射,由分布在1.061~1.062微米波段的光谱线组成。 相似文献
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附录1,第五公设可以用許多其他的命題來代替。在現代的教科書中,通常是以英国數學家普賴依費爾所提出形式,來給出平行線公理。 過直綫外之一點只能引一條直線平行於已給的直綫。換句話說:过直綫外之一點,不可能引兩條直錢平行於已給的直线, 相似文献
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1.前言红外技术在红外温度记录,光谱测试,光通信等各方面利用价值迅猛提高;但在1~3μm波段范围内,还没有适用的探测器。为此,最近正在广泛地进行用3元或4元系化合物半导体材料制作器件的研究。Ga_xIn_(1-x)Sb的组分x=0.5~0.8左右时,可望成为最佳特性的耿氏效应材料,可得到所有组份的混晶。在室温下,禁带宽度随组份单调地由0.17eV变化到0.67eV。尽管至今还没有用于红外方面的报导,但它却告诉人们,这种禁带宽度和电子迁移率都比较大的材料能够制作红外探测器。 相似文献
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离子束反应溅射沉积SiO2薄膜的光学特性 总被引:1,自引:0,他引:1
主要研究采用离子束反应溅射(RIBS)制备SiO2薄膜的折射率、消光系数、化学计量比与氧气在氩氧混合工作气体中含量及其沉积速率的关系。研究结果表明:RIBS制备的SiO2薄膜在0.63 μm处折射率n= 1.48,消光系数小于10-5;随着沉积速率的增加,薄膜的折射率和消光系数随之变大,当沉积速率超过0.3 nm/s,即使是在纯氧环境溅射,折射率值也不低于1.5;通过对红外透射光谱的主吸收峰位置研究得到沉积的SiO2薄膜为缺氧型,化学计量比不超过1.8,且红外吸收峰位置和SiO2折射率存在对应关系,因此在不加热衬底情况下使用RIBS制备SiO2薄膜时,会限制沉积速率的提高。 相似文献
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