首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1047篇
  免费   134篇
  国内免费   243篇
化学   331篇
晶体学   11篇
力学   47篇
综合类   14篇
数学   110篇
物理学   280篇
无线电   631篇
  2023年   29篇
  2022年   32篇
  2021年   12篇
  2020年   17篇
  2019年   16篇
  2018年   19篇
  2017年   14篇
  2016年   19篇
  2015年   25篇
  2014年   28篇
  2013年   23篇
  2012年   31篇
  2011年   42篇
  2010年   39篇
  2009年   35篇
  2008年   40篇
  2007年   24篇
  2006年   35篇
  2005年   42篇
  2004年   36篇
  2003年   29篇
  2002年   36篇
  2001年   37篇
  2000年   30篇
  1999年   26篇
  1998年   38篇
  1997年   38篇
  1996年   30篇
  1995年   41篇
  1994年   38篇
  1993年   32篇
  1992年   45篇
  1991年   41篇
  1990年   45篇
  1989年   44篇
  1988年   21篇
  1987年   13篇
  1986年   32篇
  1985年   24篇
  1984年   23篇
  1983年   17篇
  1982年   10篇
  1981年   13篇
  1980年   12篇
  1961年   16篇
  1958年   11篇
  1957年   11篇
  1956年   18篇
  1955年   17篇
  1954年   17篇
排序方式: 共有1424条查询结果,搜索用时 15 毫秒
61.
大功率半导体激光器的腔面退化是影响其寿命和可靠性的重要因素,长期以来一直是人们关注和研究的重点。本文利用离子铣结合腔面钝化还原层的方法对大功率半导体激光器的腔面进行处理。结果显示,离子铣腔面钝化能够在一定程度上减少半导体激光器的功率退化,168h加速老化后退化幅度降低4.5%;同时该技术对老化过程中COD阈值降低有明显的抑制作用,可有效减少使用中的突然失效。结果表明,该技术能够改善半导体激光器的腔面特性,器件的可靠性和使用寿命可望得到提高。  相似文献   
62.
IR2233是IR公司生产的一种高压高边功率MOSFET和IGBT驱动器。该器件内部集成了互相独立的三组丰桥电路,并具有多种保护电路。文中简要介绍了IR2233的电气性能、工作原理,给出了IR2233的典型应用电路。  相似文献   
63.
用于PDP的蓝色荧光粉的最新发展   总被引:1,自引:0,他引:1  
作为一种发蓝光的荧光粉,只有BaMgAl10O17:Eu^2+(BAM)被实际用于等离子体显示屏(PDP)。然而,BAM在显示屏制造和工作期间发生严重恶化,会导致发光效率和色纯度下降。本文回顾对BAM老化机理的研究。另外,讨论了用于等离子体显示屏的BAM改进和作为BAM替代物的新的蓝色荧光粉的现状。  相似文献   
64.
介绍了作为光交叉连接设备(OXC)的三雏微电子机械系统(MEMS)总体结构以及微反射镜角度偏转的物理原理,然后着重讨论了基于三维MEMS的物理结构参数设计和驱动电压参数设计。  相似文献   
65.
机型:飞利浦16C927彩电现象:关机后,屏幕中心出现彩色光团,1Os后自动消失。检修:此现象属关机消亮点电路故障所致。该机是一种截止式消亮点电路,在关机时行输出变压器第④脚输出负脉冲电压,通过C、R加至显像管栅极,使其  相似文献   
66.
一台SILVER(银声)收录机,出现无声故障。检查电源、开关等相关的电路及元件未发现异常,碰触功放电路DBL1034第⑤、⑧脚(信号输入端).喇叭无感应声.故判为该IC损坏。因市场上  相似文献   
67.
掺杂KNSBN晶体中的电子—空穴竞争   总被引:1,自引:1,他引:0  
李艳秋  周耕夫 《光学学报》1996,16(7):72-977
通过测量掺杂KNSBN晶体光折变光栅记录和擦除动态特性,首次分析了掺杂KNSBN晶体中的电子-空穴竞争,根据耦合波理论,指出,响应时间越快的晶体,电子-空穴竞争越激烈,因而导致净调制折射率越小,衍射效率赵低,最后,分析了空穴产生的原因,并估算有效载流子浓度为10^15/cm^3量级。  相似文献   
68.
半导体分析     
一、前言从各种电子材料的分析中,本文拟就硅半导体、化合物半导体有关的分析作一综述。在半导体工业领域,当前需要研究的课题有以下几个方面。与器件有关的有:逻辑元件高速化,存储元件超高集成化,光电元件高性能化,研制以新概念为基础的新型器件等;与工艺有关的有:欲达到上述目的的微加工技术以及与其相应的净化技术,高纯预处理技术等;与单晶、  相似文献   
69.
已作出1微米栅的 GaAs 肖特基势垒场效应晶体管(MESFET)。它适于 X 和 Ku 波段应用。整个 X 波段的单向功率增益超过9分贝,10千兆赫下噪声系数仅5分贝。  相似文献   
70.
在电路中,从供给功率的意义上来说,电源是必不可少的而且也是非常重要的。然而,随着电路的晶体管化,尤其是集成电路的广泛应用,为了充分地发挥电路的作用并保证其工作稳定,必然对电源提出更严格的要求。对电源的要求之一是输出电压的稳定化。众所周知,电源的电压基本上是首先从适当的变压器获得交流电压,经整流后变为直流供电路使用。但是,电源的输出电压是随输入的交流电压的变化和负载电流的变化而变化的,从而引起电路性能的变化。为了减少电源输出电压的变化,必须对电源变压  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号