电流模式Poly-Si TFT AM-OLED像素单元的模拟设计

模拟和分析了作为电流模式多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)有源矩阵有机发光二极管(AM-LOED)像素单元的poly-Si TFT／OLED耦合对的J-V特性和poly-Si TFT电流镜的I-V特性。使用Mathcad数学计算软件和AIM-SPICE电路模拟工具,分别对OLED和TFT耦合对和TFT电流镜进行了模拟计算。理论上,采用电流模式的poly-Si TFT AM-OLED可以解决器件间的不一致性问题。无论迁移率的不一致还是阈值电压Vth的差异都可以被补偿,从而使灰度的一致性得以改善。因为采用了倒置的OLED结构,可以用N型poly-Si TFT作为电流阱来驱动OLED,所以像素的性能进一步优化。结果表明,poly -Si TFT／OLED耦合对的驱动电压低,在200A／m^2下不超过8V;而TFT电流镜的跟随能力很好,在0．0～2．5μA时饱和电压只有1．5～2．5V。     

CZT在双频连续波雷达信号处理中的应用分析

分析了线性调频Z变换(Chirp-Z Transform,CZT)在双频连续波雷达信号处理中的应用。说明了双频连续波雷达的测距精度与双频频差和输入信噪比成正比、测速精度与差拍信号频谱分辨率成正比的关系,讨论了CZT在双频连续波雷达中的应用,发现CZT使得双频连续波雷达的测速精度提高,但引起的信噪比损失会使得测距精度降低。仿真结果验证了分析的正确性。     

铜蒸气激光照射对血管平滑肌细胞凋亡的诱导作用及对其增殖的影响

目的：研究510.6nm铜蒸气激光照射对体外培养的血管平滑肌细胞（VSMC）凋亡的诱导作用，以及对增殖细胞核抗原（PCNA）表达的影响，探讨铜蒸气激光照射在经皮冠状动脉成形术（PTCA）后再狭窄（RS）的防治作用。方法：贴块法培养兔VSMC，510.6nm铜蒸气激光照射后透射电镜观察凋亡细胞形态学改变，TUNEL法计数凋亡细胞，免疫组化染色法计数照光对PCNA阳性表达率的影响。结果：激光照射后，VSMC凋亡率较未照光组增加12.8倍，而PCNA表达阳性率降低27．9％倍；电镜下观察细胞呈典型的凋亡形态学改变。结论：铜蒸气激光照射可以诱导VSMC凋亡，而且抑制其增殖，在RS的防治中具有一定的作用。     

时变电磁波瞬态极化投影矢量的数字特征

瞬态极化概念是描述时变电磁波极化动态变化特性的重要手段.在正态假设下,研究了时变电磁波瞬态极化投影矢量(IPPV)的概率分布和均值、方差、混合二阶矩等数字特征,得到了电磁波IPPV一些重要统计性质.分析了JPPV相对于Stokes参数表征的优势.证明了电磁波在特征极化基上IPPV的3个分量互不相关,得到了IPPV的数字特征随波的极化度的变化关系.这些工作为随机性散射波或辐射波的极化特性分析提供了有用工具,对雷达目标动态极化散射特性表征、目标检测、目标特征提取与识别等领域的研究具有启发意义.     

一种移动Agent防范恶意主机的安全模型

文章在分析了主机对移动Agent可能实施的攻击情况之后，提出了一种防范恶意主机的三层安全模型，并对该模型的性能进行了实验分析，通过实验验证了该模型对防范主机对移动Agent攻击的有效性。     

两种常用电解质体系的LiB/FeS2热电池性能的差异及其影响机理的研究

与采用LiCl-KCl-MgO相比,采用LiF-LiCl-LiBr-MgO电解质的LiB/FeS2热电池的放电电压平稳和容量高,在高电流密度下的差异更大（如300mA·cm^-2下容量高出2倍以上）。同时这种电池在径向2048.2m·s^-2离心力作用下,依然可稳定工作;而采用LiCl-KCl-MgO的电池即使在较低离心力作用下,却很快短路失效。采用SEM和能谱分析发现了两种熔融盐快速冷却后的颗粒特征与微区成分有明显差别,确认了熔融LiF-LiCl-LiBr对MgO润湿性好,而LiCl-KCl对MgO润湿性差。由此揭示了两种电解质在离心条件下对电池性能影响的机理。     

生长温度对RF-MBE外延InAlGaN的影响

利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上外延了铟铝镓氮(InAlGaN)薄膜,研究了生长温度对RF-MBE外延InAlGaN薄膜的影响.X射线衍射测量结果表明,不同生长温度下外延生长的InAl-GaN薄膜均为单一晶向.卢瑟福背散射(RBS)测量结果表明,随着生长温度的提高,InAlGaN外延层中In的组分单调降低,Al和Ga的组分都有所增加.扫描电镜(SEM)的测试结果表明,在较高温度下(600和590℃)生长的In-AlGaN存在裂纹,580℃生长的四元合金表面比较平整,在570℃温度下生长的InAlGaN表面存在很多颗粒状突起.     

一种低噪声的光电二极管阵列接口电路的设计

由于光电二极管阵列的暗电流以及后续处理电路的噪声对其信号输出有很大影响,所以设计了一种低噪声的光电二极管阵列接口电路.接口电路将感光二极管阵列和补偿二极管阵列输出的信号经过积分放大处理后再进行差动放大,降低瞬态干扰和暗电流噪声对输出信号的影响.对视频信号和无信号状态分别进行采样和保持,同时触发多次模数转换信号,以利于数据采集和降噪处理.测试结果表明,以上措施有效降低了光电二极管阵列输出信号的噪声.     

基于GaN HEMT的0.8～4 GHz宽带平衡功率放大器

基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)技术,研制了在0.8 ～4 GHz频率下,输出功率大于50 W的宽带平衡式功率放大器.采用3 dB耦合器电桥构建平衡式功率放大器结构;采用多节阻抗匹配技术设计了输入/输出匹配网络,实现了功率放大器的宽带特性;采用高介电常数Al2O3基材实现了小型化功率放大器单元;采用热膨胀系数与SiC接近的铜-钼-铜载板作为GaN HEMT管芯共晶载体,防止功率管芯高温工作过程中因为热膨胀而烧毁.测试结果表明,在0.8～4 GHz频带内,功率放大器功率增益大于6.4 dB,增益平坦度为±1.5 dB,饱和输出功率值大于58.2W,漏极效率为41％ ～62％.     

改进的多任务分配与调度遗传算法

提出了一种改进的混沌遗传算法,定义了问题模型,采用一任务序列加一主机序列的编码表示,并由约束关系阶段随机产生合法调度。为确保生成新调度,改进了交叉机制;为保持解的多样性和均衡负载,设计了任务均衡变异算子。为利用混沌优化技术,交叉、变异频率都由混沌序列动态控制。仿真结果表明,该算法总能得到最佳解。