地下金属与非金属管道正演模拟与应用研究

目前，应用管线探测仪进行地下金属材质管道的探测效果较好，但在非金属材质管道探测上往往“失效”。探地雷达（GPR）利用金属管道、非金属管道和土体之间存在明显的电性差异为前提进行无损探测，达到快速、准确定位管道位置和区分管道材质的效果。为进一步了解GPR剖面的管道特征图谱，依托GprMax和Matlab软件平台，通过时域有限差分方法对地下不同材质、不同埋深和不同填充物的管道进行正演模拟，获得不同参数下的管道信号波组形态、能量特征和相位特征，为实际管道探测的客观判定和科学解译提供理论基础。经工程实践证明采用多参数特征来综合判定管道属性的可行性和有效性。     

Algorithm Study on Reconstruction of Refractive Angles in Fan Beam Diffraction Enhanced Computed Tomography

Based on the 360° computing method of refractive angle for parallel beam diffraction enhanced imaging computed tomography （DE-CT） technique, a new algorithm used to calculate the refractive angle for fan-beam DE-CT technique is developed. The refractive index gradient can be obtained by using the new algorithm with projection data of an object in the range of 0 - 360°, and the new algorithm only needs to set the analyser at half slope position of the rocking curve.     

超声波在液体中的传播速度与温度的关系

根据超声光栅的原理,在分光计上测出了超声波在不同温度下的纯净水中的传播速度.通过最小二乘法进行数据拟合,得到了传播速度与温度的近似公式.     

Barrier Enhancement Effect of Postannealing in Oxygen Ambient on Ni/AIGaN Schottky Contacts

Al0.2 Ga0.8N/GaN samples are grown by metalorganic chemical vapour deposition （MOCVD） method on （0001） sapphire substrates. A 10nm-thick Ni layer is deposited on AlGaN as the transparent Schottky contact. The effect of postannealing in oxygen ambient on the electrical properties of Ni/AlGaN is studied by current-voltage- temperature （I-V-T） measurement. The annealing at a relatively low temperature of 300℃ for 90 s results in a decrease of the ideality factor from 2.03 to 1.30 and an increase of the Schottky barrier height from 0.77eV to 0.954 e V. The I-V-T analysis confirms the improvement originated from the formation of NiO, a layer with higher resistance, which could passivate the surface states of AlGaN and suppress the tunnelling current. Furthermore, the annealing also leads to an increase of the transmittance of the contacts from 57.5% to 78.2%, which would be favourable for A1GaN-based photodetectors.     

Simultaneous wireless information and power transfer transmitting architecture based on asynchronous space-time-coding digital metasurface

Simultaneous wireless information and power transfer(SWIPT) architecture is commonly applied in wireless sensors or Internet of Things(IoT) devices, providing both wireless power sources and communication channels. However, the traditional SWIPT transmitter usually suffers from cross-talk distortion caused by the high peak-to-average power ratio of the input signal and the reduction of power amplifier efficiency. This paper proposes a SWIPT transmitting architecture based on an asynchronous spac...     

波长1O64nm脉冲激光高阈值反射膜的研制

研究 Ｈｆ Ｏ２／ Ｓｉ Ｏ２ 高反射膜的制备工艺及其激光诱导损伤阈值的比较测试,分别采用了反应蒸镀 Ｈｆ Ｏ２、反应离子辅助蒸镀 Ｈｆ Ｏ２、反应离子辅助蒸镀金属 Ｈｆ 的源材料形成 Ｈｆ Ｏ２ 薄膜。采用这三种工艺制备了 Ｈｆ Ｏ２ ／ Ｓｉ Ｏ２ 高反射膜,在中心波长 １０６４ｎｍ 处,反射率 Ｒ≥９９．５％ ,其中反应蒸镀 Ｈｆ Ｏ２ ／ Ｓｉ Ｏ２ 高反射膜损伤阈值最高,可达 ６０ Ｊ／ｃｍ ２（１０６４ｎｍ ,５ｎｓ）。     

酸-碱交替沉淀法铜基甲醇合成催化剂的优化制备与表征

采用酸-碱交替沉淀法制备了Cu基甲醇合成催化剂放大样(500 g), 并用X射线衍射、低温N2吸附和扫描电子显微镜等对催化剂进行了表征,系统考察了制备条件(搅拌速度、溶液滴加速度、盐和碱溶液浓度等)对催化剂性能的影响. 结果表明,采用酸-碱交替沉淀法制备的Cu基甲醇合成催化剂中, Cu和Zn组分以无定形的CuO-ZnO固溶体存在,使得CuO和ZnO的晶粒减小,导致催化剂的晶粒度较小,粒径尺寸分布较均匀,结晶度相对较低,有利于提高催化剂的比表面积. 采用酸-碱交替沉淀法制备的Cu基甲醇合成催化剂具有较高的Cu分散度和较大的Cu比表面积. 在优化条件下制备的催化剂的活性和耐热性均比国内外工业催化剂高.     

氧化物薄膜的激光预处理效应研究

对高功率激光薄膜常用的HfO2/SiO2、ZrO2/SiO2、ZrO2/SiO2+Y2O3/SiO2和Ta2O5/SiO2等膜料镀制的高反膜,采用N-ON-1激光运行方式,即对薄膜单点辐照的激光能量密度,以薄膜损伤阈值的50%开始,由小到大直到薄膜发生损伤,进行激光预处理效应研究.实验表明,HfO2/SiO2高反膜的激光预处理效果最好,激光损伤阈值提高3倍以上,ZrO2/SiO2和ZrO2+Y2O3/SiO2次之,提高1.5倍以上,而Ta2O5/SiO2较差,几乎没有激光预处理效应.对HfO2/SiO2薄膜激光预处理研究发现,其效应有两种形式,薄膜激光老化和薄膜表面缺陷低能量密度激光清除.薄膜激光老化是指没有缺陷的薄膜经预处理后损伤阈值大幅度提高,一般为2倍以上,薄膜缺陷激光清除是指以节瘤为代表的低能量密度损伤缺陷,以其损伤阈值附近的能量损伤,形成10 μm左右的孔洞等轻微损伤创面,其激光再损伤能力大幅度提高,达3倍以上,并且效果是永久性的.薄膜激光损伤尺度和程度对光谱性能影响的实验表明,直径小于200 μm的疤痕,孔洞等轻度损伤几乎没有影响,直径大于500 μm的层裂和疤痕,反射率下降小于10%,表明薄膜激光损伤程度对光学性能的影响有较大的差异,因而对于高反膜,损伤阈值不应以单纯的激光损伤为判断依据,应以不影响工程实际应用,即功能性激光损伤阈值为依据.(OH6)     

通信电源技术的发展现状和趋势浅谈

我国电信事业的飞速发展,带动了通信电源设备的更新换代和通信电源系统的优化、完善。电源系统的可靠性大大提高,供电质量明显改善,系统配置更为合理,设备的智能化程度以及对系统的监控功能等都有了长足的进步。 在正常情况下,通信电源系统的主导性设备包括：低压配电屏、交流配电屏、整流设备和直流配电屏,其它设备可视为后备设备。在主导性设备中,整流设备最为重要,它以技术高度密集,对供电质量起决定性作用而倍受电源界的关注。 一、整流设备的发展现状 目前,整流设备的发展具有如下特点。 １．传统的相控整流设备已经被先进的…