半导体分析

一、前言从各种电子材料的分析中,本文拟就硅半导体、化合物半导体有关的分析作一综述。在半导体工业领域,当前需要研究的课题有以下几个方面。与器件有关的有:逻辑元件高速化,存储元件超高集成化,光电元件高性能化,研制以新概念为基础的新型器件等;与工艺有关的有:欲达到上述目的的微加工技术以及与其相应的净化技术,高纯预处理技术等;与单晶、     

X和Ku波段GaAs肖特基势垒场效应晶体管

已作出1微米栅的 GaAs 肖特基势垒场效应晶体管(MESFET)。它适于 X 和 Ku 波段应用。整个 X 波段的单向功率增益超过9分贝,10千兆赫下噪声系数仅5分贝。     

电源用功率集成电路

在电路中,从供给功率的意义上来说,电源是必不可少的而且也是非常重要的。然而,随着电路的晶体管化,尤其是集成电路的广泛应用,为了充分地发挥电路的作用并保证其工作稳定,必然对电源提出更严格的要求。对电源的要求之一是输出电压的稳定化。众所周知,电源的电压基本上是首先从适当的变压器获得交流电压,经整流后变为直流供电路使用。但是,电源的输出电压是随输入的交流电压的变化和负载电流的变化而变化的,从而引起电路性能的变化。为了减少电源输出电压的变化,必须对电源变压     

显示扫描变换装置

一、前言在选定的房间里使用计算机时,如原封不动地使用普通的 CRT 型计算机显示终端(以下简称 CRT 终端)的话,由于所使用的环境,就会在显示文字的大小、每一画面的字数等诸方面产生不妥。本文介绍解决这些问题的一种方法。我们     

发光二极管电视、符号显示

国内外对发光二极管单片式、混合式矩阵显示装置正在进行活跃的研究。成为这种二极管显示装置的基本技术有:制备高效率p-n结;在单一晶体基板上制作多个发光元件的集成化技术;把多个发光二极管组装起来的电气联结技术以及最佳的取光结构等。 近年来,由于GaAsP、GaP发光二极管的效率显著提高;集成化技术、组装技术的进展以及结构上的巧妙设计;用发光二极管显示装置部分地取代阴极射线管显示的可能性日趋增大起来。 本文研究了发光二极管平面显示装置的电视图像显示及文字、数字——符号显示的特性;并论述了作者最近试制的GaP绿色发光二极管平面显示装置的结构、特性及在电视显示、符号显示上的应用。     

程序設計

最近十年来,在計算技術方面起了很大的变革,这就是数字电子計算机的出現,它工作的速度快到我們不可能用手來操縱它,而要由机器本身進行自动的操縱。数字电子計算机的重要組成部分是輸入、存儲、运算、控制、输出(图1)。     

声发射敏感器

伴随固体材料中微小破裂的扩展,固体会以声波的形式释放应变能,此种现象称为声发射(Acoustic Emission),把检测这种声波的敏感器称为声发射敏感器(AE敏感器).在此次研制的敏感器中,常温用的PZT三元系压电陶瓷敏感器,而高温用的(常用300℃)是钛酸铅系压电陶瓷敏感器.在压电材料常数和敏感元件与尺寸的关系中,从理论上分析了声发射敏感器的最重要的特性,即灵敏度-频率特性,其准确性是通过利用作为AE模的脉冲声波来证实的.此外,利用互易校正法决定其绝对灵敏度.     

金属有机络合物CoCl_2(PR_3)_2电子吸收光谱的配位场处理

本文测定和分析了CoCl_2(PR_3)_2(R为苯基、环戊基)三种分子的d-d跃迁吸收光谱。指出它们均具有C_(2v)局部对称性,并从晶体场点电荷模型出发对具有C_(2v)对称性点群的分子进行了配位场半定量计算。对于上述分子,理论结果与实验值很好吻合,表明我们所建立的模型和谱带归属是正确的。     

自组织InAs/GaAs量子点的表面氮化研究

用低温光荧光(PL)和透射电子显微镜(TEM)研究了表面氮化自组织InAs/GaAs量子点的光学性能和微观结构。结果表明氮化后形成薄层的InAsN薄膜作为应变缓和层覆盖在量子点的表面,使得随着氮化时间的增加,InAs量子点的位错密度提高、尺寸变大、纵横比提高、发光波长变长、强度变低。