SHS等离子喷涂制备FeAl2O4-Al2O3-Fe纳米复合涂层的研究

利用SHS等离子喷涂技术,将经过机械团聚法制备的Fe2O3-Al复合粉体送入等离子焰流,沉积出厚度约为400 μm的复合涂层.利用XRD,SEM 和TEM等检测手段对涂层的成分和组织进行了分析,测定了涂层的显微硬度、断裂韧性以及耐磨性.结果表明涂层为具有纳米结构的FeAl2O4-Al2O3-Fe纳米复合组织;涂层的显微硬度为HV100g870;断裂韧性是普通Al2O3涂层的2倍;无润滑磨损的耐磨性是普通Al2O3涂层的2.5倍.     

一阶多项式动态模型及贝叶斯预测

本文描述了贝叶斯预测的基本思想以及动态线性模型.系统地讨论了一阶多项式动态线性模型.它是最简单、应用最广泛的一种模型.它体现了动态线性模型的许多重要的基本概念和分析特性.本文介绍了卡尔曼滤波递推算法,并分别根据已知和未知观测方差详细给出了它们的先验分布,预测分布和后验分布.根据实践中 W_t 不易求出,文中引入了折扣概念.并讨论了一阶多项式折扣贝叶斯模型及其预测.最后还讨论了具有实用价值的主观干预模型及其预测方法.     

Compact Single-Stage Femtosecond Multipass Ti：Sapphire Amplifier at 1 kHz with High Beam Quality

A compact femtosecond Ti：sapphire amplifier system is reported using single-stage multipass configuration with high beam quality. A high dispersion glass stretcher and a pair of double prisms for compression are introduced based on broadband femtosecond seed pulses. The non-grating-based pulse stretcher and compressor are advantageous to increase high beam quality and to reduce the high-order dispersion. A Gaussian filter is used to reduce the gain narrowing effect in amplification. The compact femtosecond Ti：sapphire nine-pass amplifier delivers pulses with a duration of 26 fs and an energy of 800μJ at 7mJ pumping pulses energy at I kHz. The 1-kHz femtosecond amplifier with high beam quality and high stability is very suitable for ultrafast physics research applications, such as attosecond science, ultra-precision micromachining, and THz wave generation.     

变In组分沟道的MM-HEMT材料电子输运特性研究

在变缓冲层高迁移率晶体管（MM_HEMT）器件中，二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用.通过低温下二维电子气横向电阻的量子振荡现象，结合变温度的Hall测量，系统研究了不同In组分沟道MM_HEMT器件中子带电子迁移率和浓度随温度的变化关系.结果表明，沟道中In组分为0.65的样品，材料电学性能最好，In组分高于0.65的样品，严重的晶格失配将产生位错，引起迁移率下降，大大影响材料和器件的性能. 关键词： 变缓冲层高迁移率晶体管 Shubnikov_de Hass 振荡     

后退火温度对溅射沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜结构和性能的影响

在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性。然后将样品在大气中进行5min快速热退火处理,退火温度550-680℃。用XRD、SEM分析薄膜的微结构,RT66A标准铁电测试系统测量样品的铁电和介电性能。结果表明,所沉积的Pt为(111)取向,仅当后退火温度高于580℃,沉积在Pt(111)上的PZT薄膜才能形成钙钛矿结构的铁电相,退火温度在580-600℃时结晶为(110)择优取向,退火温度高于600℃时结晶为(111)择优取向。PZT薄膜的极化强度随退火温度的升高而增加,但退火温度超过650℃时漏电流急剧上升,因此退火处理的温度对PZT薄膜的结构和性能有决定性的影响。     

零失效试验的测试时长与样本量选择分析

基于国内企业对产品质量以及可靠性要求越来越高,可靠性试验方案的选择尤为重要,GJB899A可靠性鉴定与验收规范详细列举了定时截尾试验、序贯截尾试验。阐述企业的考量是基于质量目标的前提下,要求试验方案测试成本低、时间可控,本文结合定时截尾以及序贯截尾的思路,制定了一种零失效试验,结合最小测试样本量的方案,可以定量评估出试验方案合理性,为企业制定可靠性试验方案提出相应的依据。     

一种室外无线覆盖方案的设计与实现

随着移动互联网的发展,智能手机的快速普及,无线网络迅速融入当代人的主流生活,逐渐成为人们工作、学习与生活的基本需求。为了提高用户满意度,进一步提高网络覆盖面积,实现园区室外无线覆盖,文章提出了一种园区室外无线覆盖解决方案,有效解决了用户室外无线上网的需求。     

二阶导数差示脉冲极谱法用于醋酸氟氢可的松的定量研究

用二阶导数差示脉冲极谱法对醋酸氟氢可的松进行了定量分析。在０．００１ｍｏｌ／Ｌ硫酸＋乙醇＋水（１＋２５＋２４）的底液中，醋酸氟氢可的松于－０．３４０Ｖ（ｖｓＡｇ／ＡｇＣｌ）处出现一良好的二阶导数差示脉冲极谱峰，在５～１４０μｇ／ｍＬ范围内，醋酸氟氢可的松的浓度与其二阶导数差示脉冲极谱峰幅值呈线性关系，检测限为０．４ｎｇ／ｍＬ。本法操作简便、快速、灵敏、结果准确。     

多取代吡啶及衍生物的合成和生物活性

多取代吡啶类化合物作为除草剂最早出现在20世纪60年代,如毒莠定、使它隆和绿草定等[1].近年来,孟山都和罗姆-哈斯公司又推出了新多取代吡啶化合物除草剂噻草定(thiazopyr)[2].鉴于多取代吡啶类化合物优异的除草活性,在前期的工作基础上[3],我们以2-腈基硫代乙酰胺为起始原料,合成了如下新颖的多取代吡啶衍生物.初步生物活性测定表明,部分化合物有适中的除草和杀菌活性.     

一阶导数差示脉冲极谱法用于甲硝唑的定量研究

本实验运用一阶导数差示脉冲极谱法对甲硝唑及其制剂进行了定量研究。在０．００１ｍｏｌ／Ｌ氯化钾－０．００１ｍｏｌ／Ｌ盐酸－水（１＋０．２＋４８）的底液中，甲硝唑于－０．８００Ｖ（ｖｓ Ａｇ／ＡｇＣｌ）处出现一良好的一阶导数差示脉冲极谱峰，在５０～３００μｇ／ｍＬ范围内，药物浓度与其导数峰幅值呈线关系，检测限为８．０×１０＾－８ｍｏｌ／Ｌ。本法操作简便，快速，灵敏，结果准确。