一种性能良好的高锰酸根离子选择电极

在异源四倍体棉种中现已鉴定出２２个芽黄突变体、２６个芽黄基因，其中Ｖ１与Ｖ７、Ｖ２之间存在着部分同源关系。重叠牙黄基因Ｖ１６Ｖ１７的遗传主式独特，单体１测验的分离世代Ｆ２和ＢＣ恢复产生了黄化的单体株。鉴于杂中子生产现状，俄系统阐述了以芽黄作为指示性进行棉花杂种优势利用的可行性。     

电子离子碰撞过程中的共振激发双自电离

利用相对论修正扭曲波玻恩近似, 计算了类钠离子Ti11+ 和Cr13+ 的电子碰撞直接电离, 激发自电离和共振激发双自电离截面. 理论数据与实验结果在整个能区内很好符合. 共振激发双自电离截面对总截面的贡献约为20%-30%, 对速率系数的影响较大, 不可忽略.     

用函数记录仪描绘LRC电路暂态过程

引言现有的普通物理实验教材中,对RC、RL和LRC电路暂态过程的描绘,多采取用方波发生器代替直流电源,用示波器观察或用照相法摄取暂态曲线,RC电路的暂态过程,也可以用电压表和秒表逐点测量来描绘曲线。这些方法或只能观察,定量分析不便,或虽能定量分析,但实验过程复杂,效果都不理想。本文介绍用函数记录仪直接描绘RC、RL和LRC电路的暂态过程曲线,实验方法简便,而且利用图象进行定量分析和计算都很方便。     

机械密封焊接金属波纹管膜片结构的有限元分析

在Linux操作平台下应用FAST_wmg有限元前后处理软件对机械密封焊接金属波纹管膜片建立了有限元模型并进行了非线性有限元分析．在同等条件下对焊接金属波纹管采用了S型膜片和V型膜片，并分别进行了有限元强度评价和对比分析．结果表明，两种膜片最大应力集中都在膜片两端周围发生．这与文献所叙述的波纹管的主要失效发生在膜片两端与焊谷接近的部位非常吻合，但是，在同样边界条件下，在同样位移量时S型膜片最大应力值比V型膜片最大应力值小，压缩量大．     

用^60Co放射源检测油垢厚度的初步实验研究

本文用石蜡模拟油垢，用^60Co放射源的1．25MeV平均能量的γ射线垂直入射，以一定的散射角和不同的探测立体角接收散射γ光子敫．发现散射γ计数与被测石蜡厚度之间存在不同的线性关系．结果发现，放射源与探测器之间屏蔽的好坏和合理的探测距离对提高线性度有很大关系．本实验测得最佳线性相关系数平方值为0．9981，平均测量精度为1．26mm．这对研究散射法检测油垢厚度和选择合适的探测距离提供了实验基础．     

全球大气重力波联测期间电离层扰动的台阵观测

本文利用武汉电离层观象台的加密频高图和三站Doppler图记录及新近提出的短波扰动反演方法,分析了1985年全球大气重力波联测(WAGS)期间10月18日这天白天的重力波扰动,发现在该日扰动中有两列不同形态的波列分别属于中尺度的内重力波和大尺度的导制重力波。本文还进一步估算了这两列重力波的水平传播参量,深入分析了它们的频谱结构的高度变化特征,发现了重力波功率谱谱峰的分裂和偏移等重要现象。本文结果表明,新的反演方法使电离层无线电汉诊断的简易短波实验系统,也能成为探测和研究重力波一类大尺度电离层动力过程的有效手段。     

电路交换、分组交换和光交换

为了提高带宽利用效率，近来分组交换逐步取代了传统的电路交换。但是随着光传输技术的发展．网络带宽已不再是主要矛盾．而分组交换所固有的非面向连接性在应用中又面临着一系列问题，使得电路交换又成为大规模应用的一个很好的选择，尤其是光电技术的融合，更使其显示出巨大的潜力。     

原则与特色:解读"2号文"(下)"2号文"的主要特色与影响

“2号文”的主要特色 首先，明确了电子商务在我国宏观经济发展战略中的地位，可以说是《国务院办公厅关于加快电子商务发展的若干意见》（以下简称“2号文”）的首要贡献。文中用较大篇幅系统论述了这一关系，填补了我国政策文件对这一领域系统论述的不足。尤其是这一段：“推进电子商务是贯彻科学发展观的客观要求，有利于促进我国产业结构调整，     

高原低氧导致红细胞形态变化的扫描电镜观察

高原低氧导致红细胞形态变化的扫描电镜观察宋继志，洪大蓉，万美玲，张浩齐纶，林炳夫，许维刚，于奕（南京铁道医学院电镜室，南京２１０００９）（铁道部南京高原病康友医院，南京２１００３１）本文对高原红细胞增多症（ＨＡＰＣ）康复治疗前、后及高原、平原正常人的...     

驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作

a-Si：H／SiNx：H TFT在长时间栅偏应力作用下，会产生阈值电压漂移，这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象，文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同，利用PECVD制作了不同N／Si比（0．87～1．68）的氮化硅绝缘材料，对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱（EDS）测试。制作了不同的MIS结构电容，对其进行老化实验和C-V测试分析，结果表明稍富氮（N／Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1．33）的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显，表明其缺陷态密度相对较小，能够有效减小半导体／绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si：H TFT像素电路及其阵列版图，优化了电路中的几个关键参数，即T1的W／L=2．5、T2的W／L=25和存储电容Cs=0．8pF。运用7PEP生产工艺，制作了13cm（5．2in）的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试，其开态电流为10μA，开关比为10^6；对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试，其最高亮度为341cd／m^2。