极紫外微通道板光子计数成像探测器性能研究EI北大核心CSCD

基于CE-3极紫外（EUV）相机最高工作温度为70 ℃的要求,对EUV相机的微通道板（MCP）位置灵敏阳极光子计数成像探测器实验件在70 ℃时的性能进行了研究,该探测器主要由工作在脉冲计数模式下的MCP堆、楔条形感应电荷阳极及相关的模拟和数据处理电路组成。为了获得稳定的MCP堆电子增益及较小的暗计数率,对MCP堆进行了预处理,包括380 ℃条件下真空高温烘烤18 h,以及电子清刷100 μA·h,并测量了预处理前后暗计数率;测量了探测器工作在室温和70 ℃时的暗计数率、空间分辨率、增益,测量结果表明探测器的空间分辨率为5.66 lp/mm,与室温下空间分辨率相同,暗计数率虽然小于1 counts/（s·cm2）,但70 ℃暗计数率是室温的2~5倍;对探测器的使用寿命进行了初步分析。实验结果和分析表明探测器在空间分辨率、暗计数率、使用寿命等方面均满足EUV相机的要求。     

微通道板光子计数成像探测器预处理实验研究

微通道板光子计数成像探测器是嫦娥三号极紫外相机的关键成像器件,嫦娥三号极紫外相机被用于探测地球等离子层中极微弱的He⁺共振散射辐射,为了消除微通道板内部吸附的残余气体产生的离子反馈等背景噪音对探测器微弱信号成像性能的影响,需要对微通道板进行预处理.预处理包括高温真空烘烤和紫外光电子清刷.根据预处理的实验要求,设计了一套微通道板预处理装置,为微通道板预处理实验提供高真空环境和高温加热及保温功能.本文详细介绍了微通道板预处理实验的实现过程,对三片Z型级联的微通道板进行预处理实验后,背景噪音由27.09 counts/s·cm²降低为0.53 counts/s·cm²、空间分辨率达到125 μm,上述实验结果表明MCP在预处理之后其表面、亚表面和体内吸附的杂质气体得以有效去除,获得了稳定的增益,成像性能也得以改善.     

极紫外波段微通道板光子计数探测器

研究了一种极紫外波段微通道板（MCP）光子计数探测器,用于探测地球等离子体层中极微弱的30.4 nm辐射。通过改变电压、温度等参数对比了该微通道板光子计数探测器的暗噪声和分辨率的变化。结果表明：微通道板探测器的暗噪声主要来源于残余气体离子反馈和热噪声,因此要降低探测器暗噪声,应对微通道进行彻底的预处理除气,并尽量避免探测器在高温状态下工作,常温下经过预处理的微通道板光子探测系统的暗计数率仅为0.34 count/（s.cm2）。系统的分辨率主要受电压和计数率的影响,受温度影响不明显。由于不同的微通道板有不同的耐压范围,过小或过大的电压或计数率都会造成系统分辨率的降低。     

具有次线性和超线性项的非线性椭圆型方程组最小正解的存在性

证明了对每一λ∈(0,Λ),当Λ>0时半线性椭圆型方程组。有最小正解(λ_u,λ_v)。其中ΩRN(N≥2)为具有光滑边界的有界区域,0<q<1u,λ_v关于λ是严格递增的。     

第七届全国分析化学年会暨第七届全国原子光谱分析学术报告会紧急通知

考虑诸多因素 ,第七届全国分析化学年会暨第七届全国原子光谱分析学术报告会商定 ,两会合并、联合召开 ,统一组织、统一领导。会期 :2 0 0 0年 1 0月　　地址 :重庆市西南师范大学收稿截止日期 :2 0 0 0年 3月 3 1日 (以邮戳为准 )论文处理 :会议筹备组将组织专家对应征论文进行评审 ,决定取舍。录用的论文将安排在会上口头报告或报展 ,并在会前出论文集。请自留底稿 ,恕不退还。收稿地址 :两个收稿地址等效。1　重庆市西南师范大学化学化工学院周光明、黄玉明同志收 ,邮编 :4 0 0 71 52　北京海淀区学院南路 76号光谱与分析期刊社孟广政同…     

使用曲面微通道板和感应电荷位置灵敏阳极的软X射线-极紫外光子计数成像探测器研究

本项目对我国空间探测的极紫外(EUV)波段大视场相机所需求的球面光子计数成像探测器的关键技术进行了研究。首先,建立了光阴极材料次级电子产出模型,利用该模型计算了软X射线-EUV波段常用的光电阴极材料—碱卤化物的次级电子产出,分析了微通道板(MCP)的次级电子产出。建立了测量MCP量子探测效率的装置,并推导出MCP量子探测效率的计算公式,测量了MCP在软X射线-EUV波段的量子效率以及MCP量子效率随掠入射角的变化。其次,建立了球面实芯微通道板的制备装置,利用高温热成型方法制备出曲率半径为150 mm球面MCP,利用光刻技术制备出有效直径为48 mm的楔条形感应电荷位置灵敏阳极,在此基础上集成了一套使用球面MCP和感应电荷位置灵敏阳极的两维光子计数成像探测器。再次,研制出包括快速前端模拟电路与后续数字电路的成像读出电路,编制了能矫正图像畸变的图像实时采集和处理软件。最后,建立了MCP探测器空间分辨率、图像线性的检测装置,对研制出的探测器性能进行了检测,检测结果表明:探测器的各项技术指标完全满足要求。     

分子篩(制备、性质与应用)

引言吸附剂的吸附性质主要与其化学本性、表面积大小、結构及小孔(按其有效半径)的分布有关。决定吸附量的吸附势可以在显著程度上随內表面的几何形状而变。在公子大小的窄小孔隙或縫隙中,由于相对面孔壁声的迭加,吸附势有显著增加。吸附剂的孔隙愈小,这个效应就愈强烈。吸附剂的可以达到的吸附面积也与被吸附物质的分子大小有关,一部     

对苯二胺类与2,2′-二噻吩共轭共聚物的金属催化法合成与表征

以1,3-二(二苯基膦)丙烷二氯化镍(Ⅱ)作为催化剂,分别合成了2,2′-二噻吩与N,N′-二氯对苯醌二亚胺和2,5-二甲基-N,N′-二氯对苯醌二亚胺的共轭交替共聚物:聚(N,N′-对苯醌二亚胺-2,2′-二噻吩)和聚(2,5-二甲基-N,N′-对苯醌二亚胺-2,2′-二噻吩)。利用红外光谱、紫外可见光谱、循环伏安等测试方法对这2种共聚物进行了表征和性能研究。结果表明:这2种共聚物分别在263、315、410、261、3214、03 nm处出现了紫外吸收峰,对苯二胺上的甲基对共聚物电化学活性具有一定的影响。     

快速热处理对于0.25μm工艺技术的必要性

集成电子技术的进步要求开发具有灵活性的制造工艺。芯片的复杂度每年增长一倍，引起芯片尺寸的增大和特征尺寸的缩小，以提高芯片的功能。目前大多数半导体生产工厂工作重点是０５～０３５μｍ的技术，许多公司正在开发研制０２５μｍ工艺，估计１９９７年将可投产。但０２５μｍ技术正面临着许多工艺挑战。最大制造方面的挑战在于离子注入后浅结的形成与激活，生长高质量的薄氧化层，通过流动／回流接触提高具有高纵横比的金属阶梯覆盖面，而不扩散到已形成的源结和漏结，使用难熔金属作为金半接触避免金属须穿透浅结。０２５μｍ技术的结深大约为０１５μｍ，薄氧化层厚７０～８５ｎｍ用作金半接触的难熔金属为钛，它与氧有很高的亲和力。如果采用快速热处理（ＲＴＰ）技术，其单片环境，短时和精确的温度控制，将简化工艺的复杂度。本文将讨论ＨＥＡＴＰＵＬＳＥＴＭ设备及其应用优点，如浅结注入激活，薄氧化，ＢＰＳＧ回流和硅化钛的形成。     

具不定线性部分非线性椭圆问题无穷多本征函数的存在性

本文讨论非线性本征值问题λ(-Δu-βu)=g(x,u)的 H_0~1弱解的存在性.我们证明了在适当假设下,对任意给定的 β,这问题有无穷多对解在流形 M_α={u∈H_0~1|integral Ω(|▽u|~2-βu~2)=α}上.