排序方式: 共有38条查询结果,搜索用时 0 毫秒
31.
32.
基于PIC16C57单片机的智能低电阻测量仪 总被引:5,自引:0,他引:5
介绍一种以PIC16C57单片机为核心的低电阻测量仪,与普通的低电阻测量仪不同的是:该测量仪的测试电流仅为0.5mA并加有多种保护电路。具有很高的安全性能。主要应用于军工、国防、民用爆破等行业的电火工品的直流低电阻的测量。 相似文献
33.
34.
本文着重对ATM系统的时间透明度、时延及时延抖动问题进行了归纳和分析,并就如何减少对延时和消除时延抖动等问题进行探讨。 相似文献
35.
相位噪声是频率源系统衡量其频谱纯度的重要参量。首先,基于锁相环合成频率源的相位噪声模型,分析了各噪声源相位噪声传递函数的特性,得出环路带宽的选取决定着频率源的相位噪声性能。然后,通过公式对频率源方案所选器件组合进行评估。最后,借助ADIsimPLL410软件来调整环路滤波器的环路带宽,从而使设计出的环路滤波器满足汽车防撞雷达频率源的要求。最终测试结果表明,该频率源的输出频率在24125GHz处的相位噪声为-871dBc/Hz@1kHz。与其他文献相比,所设计的频率源具备低相位噪声的显著优势。 相似文献
36.
本文提出了一种新颖简单的结构用于设计具有良好带外抑制能力的单通带和双通带滤波器。在矩形基片集成波导谐振腔的接地面上设计了一对非对称的互补谐振环,使其在单通带滤波器下作为一个微扰元件,在双通带滤波器下作为一个谐振元件。本文提出了一种在不改变整个腔体尺寸的前提下,仅通过调整非对称互补谐振环的相对位置来实现单通带和双通带转换的新方法。此外,通过抑制高阶模式实现宽阻带性能,并通过引入有限的传输零点来提高带外抑制能力。为了验证该设计的可行性,本文设计,加工并测试了中心频率为11.075GHz,带宽为750MHz的单通带滤波器和中心频率为11.45GHz,14.25GHz,带宽均为500MHz的双通带滤波器。测量结果表明通带内回波损耗均大于13dB,插入损耗小于1.5dB。测试结果与仿真结果基本一致。 相似文献
37.
本文通过大气压滑动弧等离子体高效修饰改性了氧化石墨烯(GO),制备GO/SiO_2纳米复合材料。GO/SiO_2的整体形态及SiO_2沉积物中的颗粒粒径与分布可分别通过反应物中正硅酸乙酯(TEOS)的使用量以及等离子体放电功率进行控制。于0.03mg TEOS/1mg GO,输入电压为290v的条件下,制备得到了SiO_2颗粒(约119nm)呈阵列规整排布于GO表面的GO/SiO_2样品。由于该处理方法具有连续处理的特点,所以在纳米粒子改性效率上相对于传统表面化学改性有很大的提高。除了本文提到的GO粒子以及TEOS前驱体,该方法也适用于其他纳米粒子,且能在其表面实现包括有机、无机等多种表面修饰结构的制备。 相似文献
38.