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在600℃下,以丁烷:C~(14)标记丁烯-1:氮=1∶1∶12(体积比)的混合气体为原料,用示踪动力学方法求得了在铬-铝、钾-铬-铝、钠-铬-铝三种催化剂氧化态和还原态时下图中示出的脱氢反应各单段的反应速度. 结果表明,在所考察的不同催化剂上,虽然各单段的反应速度有明显的政变,但r1和r3都显著地大于r2,这表明丁烷脱氢基本上按串行历程进行.无论是在氧化态还是在还原态下,钾-铬-铝催化剂上的r1,r2和r3均比在铬-铝催化剂上的为高,而钠加入铬-铝中只r3有少许提高,r1却反受到抑制.同一种催化剂在氧化态下各段的反应速度也相应地较还原态下有不同程度的增加. 根据以上结果,还对丁烯的吸附态和脱氢中心的价态作了初步讨论. 相似文献
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介绍一种基于民用机会发射无源雷达定位跟踪算法,用一批时间差(距离和)、多普勒频移和目标回波到达方向(DOA)数据,通过非线性参数估计法对目标进行定位跟踪,经过仿真验证,此方法能够提高定位精度。 相似文献
86.
对3′″-羰基-2″-β-L-奎诺糖基淫羊藿次苷Ⅱ(3′″-carbonyl-2″-β-L-quinovosy licarisideⅡ),进行了1H和13C MNR检测,参考2″-O-鼠李糖基淫羊藿次苷Ⅱ(2″-O-rhamnosy licarisid Ⅱ)、淫羊藿次苷Ⅱ(icarisid Ⅱ)和淫羊藿苷(icariin)的1H、13C NMR数据,通过DEPT和1H-1H COSY、HSQC、HMBC等2D NMR技术对该化合物所有的1H和13C NMR信号进行了全归属和详细解析. 相似文献
87.
优化了GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的外延结构,有利于获得增强型PHEMT的正向阈值电压.采用光学接触式光刻方式,实现了单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型PHEMT.直流和高频测试结果显示:增强型(耗尽型)PHEMT的阈值电压、非本征跨导、最大饱和漏电流密度、电流增益截止频率、最高振荡频率分别为0.1V(-0.5V),330mS/mm(260mS/mm),245mA/mm(255mA/mm),14.9GHz(14.5GHz)和18GHz(20GHz).利用单片集成增强/耗尽型PHEMT实现了直接耦合场效应晶体管逻辑反相器,电源电压为1V,输入0.15V电压时,输出电压为0.98V;输入0.3V电压时,输出电压为0.18V. 相似文献
88.
呼叫接入控制是无线通信中保证用户服务质量的关键技术之一。本文提出了一种在多业务环境下,基于多载波通信的优先强占接入策略:当剩余无线资源不能接纳实时业务的呼叫时,实时业务呼叫强占部分非实时业务占用的子载波来保证实时业务的接入,与此同时增加了非实时业务的传输时延。本文通过二维Markov链模型对系统进行了建模和性能参数(呼叫阻塞概率及系统频带利用率)的求解。通过与保护信道策略和无优先策略的比较可以看到:优先强占策略将接入控制和服务质量保证有机地结合在一起,既保证了用户的QoS,又大大降低了系统中的实时业务用户的呼叫阻塞概率,提高了系统资源的利用率。 相似文献
89.
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提出一种采用微格化方式进行综合业务接入区规划的方法。通过自下而上的方式,对微格划分、微格纤芯测算、分纤点设置、接入区光缆优化等方面进行分析研究,总结出综合业务接入区微格化的规划方法,为运营商业务接入区的网络优化提供参考,实现各类业务的快速高效低成本接入,契合运营商未来业务发展接入的关键点,开发和引导运营商对网络优化进行精确投资。 相似文献