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51.
以三联吡啶钌(Ru(bpy)3)为内核材料,通过反相微乳液法合成了表面带氨基的核壳结构荧光纳米粒子Ru(bpy)3/SiO2,利用透射电子显微镜、荧光光谱、紫外-可见光谱等手段进行表征,并进行了光稳定性、荧光分子泄露与纳米粒子表面氨基测定等实验,结果表明: 所合成的纳米粒子表面带氨基活性基团,每毫克纳米粒子约含385 nmol氨基,纳米粒子呈规则球形,大小均一,单分散性好,平均粒径为(70±6) nm,具有很好的光稳定性.用100 W氙灯在最大发射波长照射90 min后,其荧光强度仅衰减8%;在水溶液中不易发生染料泄露,连续超声1 h后,染料泄露少于0.05%.以合成的纳米粒子作荧光探针标记链霉亲和素后应用于蛋白质微阵列芯片检测HIV p24抗原.结果显示,荧光强度与p24浓度呈良好的正相关性,检出限为3.1 μg/L.本纳米粒子作为新型荧光探针,可应用于高灵敏检测的蛋白质微阵列芯片及荧光免疫分析等系统. 相似文献
52.
基于MC1495的有效值音频数字功率计的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
利用模拟乘法器MC1495实现负载电流与电压的乘积运算,经电平转换,滤波,由ICL7107完成A/D转换并驱动LED数码管,设计了有效值音频电功率计,实现对音频信号作用下负载有功功率的测量和数字显示,工作频率可从直流扩展到100kHz。电功率测量满度误差不超过±3%。可方便地作为一个独立单元插入到各类音频功率设备中。 相似文献
53.
54.
针对编码协作系统中源节点和中继节点只根据协作程度分配功率导致系统资源利用率较低的问题,提出了一种使用码率兼容删除卷积码(RCPC)编码的协作系统次优功率分配算法。该算法依据协作程度和信道状态信息推导出了目的节点误比特率的上限表达式,降低了该误比特率上限,得到了功率分配的次优解,从而提高了系统的资源利用率,且实现复杂度较低。仿真结果表明理论误比特率上限是一条紧界,提出的自适应功率分配(APA)算法与只考虑协作程度的平均功率分配(EPA)算法相比,在误比特率为10-2时最大可提供约4dB的信噪比增益。 相似文献
55.
提出了一种新结构单片集成增强/耗尽型(E/D)InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).外延层材料通过分子束外延技术生长,在室温下,其电子迁移率和二维电子气浓度分别为5410cm2/(V·s)和1.34×1012cm-2.首次提出了普通光学接触曝光分步制作增强与耗尽型的栅技术方法.研制出了单片集成E/D型PHEMTs,获得良好的直流和交流特性,最大饱和漏电流密度分别为300和340mA/mm,跨导为350和300mS/mm,阈值电压为0.2和-0.4V,增强型的fT和fmax为10.3和12.4GHz,耗尽型的fT和fmax为12.8和14.7GHz.增强/耗尽型PHEMTs的栅漏反向击穿电压都为-14V. 相似文献
56.
57.
本文首先引入一种新型双向向异性波导结构;给出了这类复杂波导中横向场分量的纵向场表示式以及纵向场分量满足的一组耦合模方程;重点分析了具有不同电磁参数的双各向异性介质中心加载时,金属圆柱形波导中混合模的分裂效应,色散特性和场分布。结果表明,由于多个电磁参数的引入,双各向异性波具有一般各向异性和双各向同性波导结构所没有的新奇特性。 相似文献
58.
The evaluation methods of planarization capability of copper slurry are investigated.Planarization capability and material removal rate are the most essential properties of slurry.The goal of chemical mechanical polishing(CMP) is to achieve a flat and smooth surface.Planarization capability is the elimination capability of the step height on the copper pattern wafer surface,and reflects the passivation capability of the slurry to a certain extent.Through analyzing the planarization mechanism of the CMP process and experimental results,the planarization capability of the slurry can be evaluated by the following five aspects:pressure sensitivity,temperature sensitivity,static etch rate,planarization efficiency and saturation properties. 相似文献
59.
60.