全文获取类型
收费全文 | 1612篇 |
免费 | 376篇 |
国内免费 | 360篇 |
专业分类
化学 | 474篇 |
晶体学 | 18篇 |
力学 | 50篇 |
综合类 | 10篇 |
数学 | 193篇 |
物理学 | 505篇 |
无线电 | 1098篇 |
出版年
2024年 | 11篇 |
2023年 | 53篇 |
2022年 | 77篇 |
2021年 | 54篇 |
2020年 | 49篇 |
2019年 | 54篇 |
2018年 | 61篇 |
2017年 | 36篇 |
2016年 | 67篇 |
2015年 | 49篇 |
2014年 | 109篇 |
2013年 | 87篇 |
2012年 | 96篇 |
2011年 | 104篇 |
2010年 | 136篇 |
2009年 | 110篇 |
2008年 | 129篇 |
2007年 | 142篇 |
2006年 | 109篇 |
2005年 | 89篇 |
2004年 | 80篇 |
2003年 | 95篇 |
2002年 | 78篇 |
2001年 | 93篇 |
2000年 | 52篇 |
1999年 | 62篇 |
1998年 | 38篇 |
1997年 | 37篇 |
1996年 | 18篇 |
1995年 | 24篇 |
1994年 | 26篇 |
1993年 | 11篇 |
1992年 | 17篇 |
1991年 | 9篇 |
1990年 | 13篇 |
1989年 | 9篇 |
1988年 | 5篇 |
1987年 | 5篇 |
1986年 | 7篇 |
1985年 | 14篇 |
1984年 | 12篇 |
1983年 | 3篇 |
1982年 | 7篇 |
1981年 | 3篇 |
1980年 | 3篇 |
1979年 | 1篇 |
1978年 | 1篇 |
1965年 | 1篇 |
1956年 | 1篇 |
1955年 | 1篇 |
排序方式: 共有2348条查询结果,搜索用时 281 毫秒
101.
102.
随着数字技术在电影后期制作和放映领域发挥越来越重要的作用.在电影的前期拍摄采用数字技术也逐渐为人们所接受。对于数字影院技术.DCI规范的出台为今后制定国际标准奠定了基础。虽然目前还没有能与DCI的2K或4K标准相适应的数字摄影机,国际上也没有相关的组织和机构为数字摄影机正式制定技术规范,但是现在已经有四、五种以上数字摄影机可以销售或提供租赁服务。近些年来利用数字摄影机拍摄的电影作品逐渐增加,其中甚至包括高成本的好莱坞大片。国内近两年的电影产量迅速增长,其中利用数字技术拍摄的数字电影所占比例越来越大。 相似文献
103.
文章提出了一种移动增值业务集成运营环境,重点阐述了IP基础网络域中的内容分发与适配系统、合作伙伴支持系统、通用和基本功能模块和移动终端自动配置系统的逻辑功能设计方法,最后在描述移动操作系统的基础上提出了一种层次化的移动终端软件架构模型。 相似文献
104.
回顾并分析了夏普与东元之间发生专利纠纷的背景、过程及解决的策略,结合LCD产业的专利分布及技术壁垒,提出我国LCD产业的专利策略。 相似文献
105.
CsI(Tl)晶体探测器APD读出的温度效应 总被引:1,自引:0,他引:1
对中国科学院近代物理研究所自行生长的铊激活碘化铯闪烁晶体CsI(Tl)光输出及Hamamtsu公司生产的S8664-1010型雪崩光二极管(APD)增益对温度的依赖关系做了系统研究. 结果表明, CsI(Tl)晶体光产额在室温范围内随着温度的增加而增加, 在-2℃—8℃温度范围内的平均温度系数为0.67%/℃, 在8℃—25℃温度范围内的平均温度系数为0.33%/℃. 而对所使用的APD, 其增益在室温范围内的温度系数为-3.68%℃(工作电压400V). APD结合CsI(Tl)晶体在室温下对137Cs的662keV γ射线的能量分辨可达5.1%. 相似文献
106.
采用电化学刻蚀方法,成功制备出单尖的六硼化镧、钼、钨及钨铼合金场发射冷阴极尖锥,并对这几种场发射单尖锥阴极的电子发射性能进行了测试比较.结果表明,LaB6作为场发射阴极,具有良好的发射性能和稳定性.在〈111〉面单晶LaB6基片上,用PECVD法沉积非晶硅作掩膜,制备出具有一定高度的LaB6微尖锥场发射阵列,结果发现,LaB6基底较为平整,尖锥阵列呈现出各向异性.该结论对LaB6材料在场发射阴极方面的进一步研究具有重要的指导意义. 相似文献
107.
Growth of Semi-Insulating GaN Using N2 as Nucleation Layer Carrier Gas Combining with an Optimized Annealing Time
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理快报》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
Semi-insulating (SI) GaN is grown using N2 as the nucleation layer (NL) carrier gas combined with an optimized annealing time by metalorganic chemical vapour deposition. Influence of using 1-12 and N2 as the NL carrier gas is investigated in our experiment. It is found that the sheet resistance of unintentionally doped GaN can be increased from 10^4 Ω/sq to 10^10 Ω/sq by changing the NL carrier gas from 1-12 to N2 while keeping the other growth parameters to be constant, however crystal quality and roughness of the tilm are degraded unambiguously. This situation can be improved by optimizing the NL annealing time. The high resistance of GaN grown on NL using N2 as the carrier gas is due to higher density of threading dislocations caused by the higher density of nucleation islands and small statistic diameter grain compared to the one using 1-12 as carrier gas. Annealing the NL for an optimized annealing time can decrease the density of threading dislocation and improve the tilm roughness and interface of AlGaN/GaN without degrading the sheet resistance of as-grown GaN signiticantly. High-quality SI GaN is grown after optimizing the annealing time, and AlGaN/GaN high electron mobility transistors are also prepared. 相似文献
108.
A highly efficient W3 Y-branch filter in a two-dimensional photonic crystal slab with triangular lattice of air holes is designed and fabricated, and its transmission properties are measured. By accurately adjusting the size of the resonant cavities, the minimum wavelength spacing of 7 nm between two channels is realized. The corresponding resonant wavelengths of the two cavities agree well with the calculated ones. This implies that this kind of fiIter may be promising in integrated wavelength division multiplexing system. 相似文献
109.
利用多光束干涉原理和几何光学方法,分析了非本征F-P干涉仪(EFPI)腔内损耗对干涉仪的影响,详细推导了EFPI腔长与反射光干涉条纹可见度之间的关系,确定了在可测条纹可见度的要求下EFPI腔长的范围. 相似文献
110.