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为减小X波段星载脉冲行波管的热子功率,对阴极热子组件结构进行了优化设计,利用ANSYS有限元软件对该阴极热子组件结构进行了热分析,得到结构的稳态温度场分布、阴极温度瞬态解以及加热功率与阴极温度的关系,并与实测结果进行对比,对比结果表明,阴极温度模拟与实验结果误差在1.3%以内,说明了所用模型和方法的可行性。在此基础上通过研究阴极支持筒不同开槽宽度、壁厚及材料下热子加热功率-阴极温度关系,对阴极支持筒进行了优化。模拟结果显示,优化后的阴极热子组件结构加热功率由8.2W降到6.7 W。 相似文献
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用能量一致相对论有效核芯势和含极化函数 4f2g和弥散函数 1s1p1d的价基组 ,在各种计算水平上计算了LaF分子结构、振动频率和离解能 .根据原子分子反应静力学原理导出LaF分子基态可能的电子状态和离解极限 ,用密度泛函理论中的B3LYP方法计算了基态X1Σ+ 势能曲线 ,拟合得到了Murrell Sorbie解析势能函数及其在平衡位置附近的Dunham展开式 ,由此计算的振转常数和实验光谱数据完全吻合 .得到的解析势能函数可用于计算振转光谱精细跃迁结构和原子分子碰撞反应动力学过程 ,具有重要的实用意义 . The equilibrium geometry, harmonic frequency and dissociation energy of the molecule LaF have been calculated on several kinds of computation levels with energy-consistent relativistic effective core potentials and valence basis sets including polarization functions 4f2g and diffuse functions 1s1p1d. The possible electronic state and its reasonable dissociation limit for the ground state of LaF are determined based on Atomic and Molecular Reaction Statics(AMRS). The potential energy curve scan for... 相似文献
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设计并镀制了193nm Al2O3/MgF2反射膜,对它们在空气中分别进行了250—400℃的高温退火,测量了样品的透射率光谱曲线和绝对反射率光谱曲线.发现样品在高反射区的总的光学损耗随退火温度的升高而下降,而后趋于饱和.采用总积分散射的方法对样品在不同退火温度下的散射损耗进行了分析,发现随着退火温度的升高散射损耗有所增加.因此,总的光学损耗的下降是由于吸收损耗而不是散射损耗起主导作用.对Al2O3材料的单层膜进行了同等条件的退火处理,由它们光学性能的变化推导出它们的折射率和消光系数的变化,从而解释了相应的多层膜光学性能变化的原因.反射膜的反射率在优化联系、镀膜工艺与退火工艺的基础上达98%以上.
关键词:
193nm 反射膜
退火
光学损耗
吸收 相似文献
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Surface segregation of InGaAs films by the evolution of reflection high-energy electron diffraction patterns 下载免费PDF全文
Surface segregation is studied via the evolution of reflection high-energy electron diffraction (RHEED) patterns under different values of As 4 BEP for InGaAs films. When the As 4 BEP is set to be zero, the RHEED pattern keeps a 4×3/(n×3) structure with increasing temperature, and surface segregation takes place until 470 C. The RHEED pattern develops into a metal-rich (4×2) structure as temperature increases to 495 C. The reason for this is that surface segregation makes the In inside the InGaAs film climb to its surface. With the temperature increasing up to 515 C, the RHEED pattern turns into a GaAs(2×4) structure due to In desorption. While the As 4 BEP comes up to a specific value (1.33×10 4 Pa–1.33×10 3 Pa), the surface temperature can delay the segregation and desorption. We find that As 4 BEP has a big influence on surface desorption, while surface segregation is more strongly dependent on temperature than surface desorption. 相似文献
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在含三价锑的酸性4M氯化钠溶液中,当加入适量的1,2-环己二氨四乙酸时,得到两个波,较正波随1,2-环己二氨四乙酸浓度和pH的增高而降低,但两波之和是不变的。由对极谱波的性能实验(如波的对数分析,波高-汞柱高度关系,波高-滴落时间关系,波高-温度关系,悬汞电极,Ⅰ-Ⅴ示波极谱实验等)证明较正波为可逆三电子反应的动力波,受锑(Ⅲ)-1,2-环己二氨四乙酸络合物SbZ的解离速率控制。用前文的方法处理动力波。由动力波的半波电位移动的方程求得络合物的稳定常数和焓、熵、自由能变化等热力学函数;由动力电流方程测定络合物离解速率常数和反应活化能,并探讨各电极过程的反应机理。 相似文献