基于间接竞争原理的流式微球技术快速检测麦芽中赭曲霉毒素A

建立了一种快速、灵敏检测中药麦芽中赭曲霉毒素A(Ochratoxin A,OTA)含量的间接竞争流式微球方法.麦芽样品经60％甲醇/PBS提取,加入20％甲醇/PBS溶液稀释5倍后,离心取上清液制备样品.在编码荧光微球上偶联牛血清白蛋白-OTA(BSA-OTA)复合物,与样品中OTA竞争结合抗OTA特异性抗体,然后加入FITC-IgG孵育,离心洗涤后,用流式细胞仪检测微球表面的平均荧光强度,实现样品中OTA的准确定性定量测定.本方法检测OTA的半数抑制浓度IC50为1.20 ng/mL,相关系数R2=0.9892,检出限(IC10)为0.12 ng/mL,加样回收率为93.9％ ～ 97.4％,RSD＜3.6％.16份实际麦芽样品中检测到2个阳性样品,OTA的最高含量为3.83 μg/kg,未超出欧盟的OTA限量标准,与液相色谱-串联质谱(LC-MS/MS)法检测结果相一致.本方法简单、快速、灵敏、可靠,可拓展用于其它复杂基质中多种真菌毒素的定性与定量检测.     

交联蚕蛹壳聚糖-谷氨酸阳离子交换树脂的制备

交联蚕蛹壳聚糖-谷氨酸阳离子交换树脂的制备;蚕蛹; 壳聚糖; L-谷氨酸; 阳离子交换树脂     

厚壁管道周向导波检测技术实验研究

厚壁管道是火电机组四大管道系统的核心部件,将超声导波技术应用于厚壁管道的无损检测显得十分重要.首先确定厚壁管道检测的激励方式,优化选取适合厚壁管道检测的0.5MHz探头和楔形块角度为60°的斜探头组合.通过改变斜探头与外壁轴向缺陷之间周向距离,在一定范围内仍可检测到缺陷回波,且接收到的周向回波幅值变化不大,表明周向导波...     

基于CMOS图像传感器中DPGA的电容阵列优化研究

本文结合用于CM0S图像传感器中的低噪声DPGA的性能特点,提出了一种优化电容阵列拓扑结构的方法,讨论了此种结构下由寄生电容引入的时钟馈通和电荷分配效应,并给出了仿真结果和按照0.35 μ m CMOS工艺进行流片的版图.测试结果表明,采用改进的电容阵列结构能把采样电容引入的噪声斜率从原来的0.15降低到0.01.     

小波降噪对TDLAS 干涉抑制的研究

基于多光程吸收池的可调谐半导体激光吸收光谱 (TDLAS) 系统在检测过程中容易出现噪声干扰, 影响着其 实际检测性能。针对这种干扰的特征进行分析, 提出利用小波降噪法来改善 TDLAS 系统的探测性能。首先依据理论 研究结果选择合适的小波函数和分解层数, 然后通过这种小波对叠加干扰的仿真信号进行滤波, 结果表明这种降噪技 术具有良好的去噪效果。最后利用小波降噪技术处理了实验采集的不同浓度气体的直接吸收光谱 (DAS) 和二次谐波 信号, 相比于原信号, 降噪后信号的信噪比从 0.4 增加到 259, 系统的检测限也达到 7×10−6, 表明小波降噪方法在气体 光谱检测中具有较高的应用价值。     

人人都是股神手机炒股专题

做这个专题的构想是从各个媒体上看到的铺天盖地财经新闻开始的,开户纪录每天“刷新”,四月份以来,沪深两市每天新增的开户数连连攀升,所有的股票几乎都在天天上涨,我的第一感觉就是,中国的股市都疯狂了。一时间炒股成了人们生活中最热门的话题之一。红绿变化的指数,不仅影响到市民的投资,同时也在悄悄影响着大家的生活。在充满风险的股市里,实时有效的信息和交易是非常宝贵的财富,对股民有着重要的影响。手机对移动证券业务的有力支持正好满足了很多股民用户的迫切需要,也将给他们带来实实在在可以看得见的实惠。手机对股民来说不仅仅是一个新的产品,还让股民用户大步走进新手机炒股时代。     

论云计算的技术体系

面对“大数据”、“大系统”的蓬勃发展，越来越多的企业开始思考如何以更低的成本处理不断以几何指数增长的数据信息，于是可平滑扩展，动态分配资源，实现跨平台互操作，看似计算资源无限大的云计算引起了广泛关注。本文分别从分布式计算、网格计算、虚拟化以及SOA方面论述了云计算的技术体系。     

Co(1,10-phen·)32+-KIO4-鲁米诺化学发光体系与应用

本文研究了Co(1,10-phen·)32+配合物对KIO4氧化鲁米诺所产生的强化学发光反应.以1,10-phen·为配位体时,Co(Ⅱ)的检出限为8×10-8g/L,工作曲线响应浓度范围在1×10-6~1×10-4g/L,测定1×10-4g/LCo(Ⅱ)离子的相对标准偏差为2.5%.配合物化学发光法检测啤酒、维生素B12针剂中微量Co(Ⅱ)可获得满意结果.     

0.5微米栅的砷化镓肖特基势垒场效应晶体管——缩短栅长改善高频低噪声特性

为了获得良好的砷化镓肖特基势垒场效应晶体管(简称 GaAs SBFET),有必要在结构上缩短栅长 L 减少寄生损耗。目前,尤其在缩短栅长方面已做出极大努力,并正在研究接触曝光、投影曝光以及电子束曝光方法。虽然已出售用接触曝光方法制作的1微米栅 GaAs SBFET,已经获得超过以前的硅双极晶体管高频低噪声特性,仍希望进一步缩短栅长。我们采用改良的接触曝光方法试制了0.5微米栅结构的 FET,已证实可以良好地批量生产。试制的 FET 得到了空前良好的高频低噪声特性,最高振荡频率 f_(max)为85千兆