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尽管几何动量最初的引入是为了描述超面上的运动粒子的动量,却不需要限制在真实的曲面上.如果一个曲线坐标系包含了超面族和超面上的法向矢量作为一个坐标轴的单位矢量,几何动量可以定义在超面族上,并参与构造对易力学量完全集.在三维各向同性谐振子中,采用球坐标描述,存在等效球面,并在球面族上建立对易力学量完全集.因此,三维各向同性谐振子同时具有动量和几何动量分布.这两个动量的差,可以定义为径向动量,从而使得径向动量可以测量.那么,通过几何动量,可以显示出狄拉克引进的径向动量的物理意义,而不是一直认为的那样完全不具有观测意义. 相似文献
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Pinning effect of lead lanthanum titanate (PLT) ferroelectric thin films with excess PbO of 20 mol% has been studied for deposition on diffe rent substrates. Silicon, sapphire and quartz were used as substrates on which P t/Ti or LaNiO3 thin films were deposited as bottom electrodes. Electron probe analysis results showed that there was still a certain amount of excess Pb in PLT films after annealing at 550 ℃ for 1 h, and the amount of it was dependent on the substrate used. The distribution of excess Pb in the films was investig ated by Auger electron spectroscopy depth profile. It was shown that the substrates and the bottom electrodes had significant effects on the content and distrib ution of excess Pb in PLT films. The excess Pb and its accumulation at the inter face between the film and bottom electrode may act as pinning centers and have a pinning effect on domains, which can be observed by abnormal P-E hysteresis loops and abnormal C-V curves. The excess Pb content in the films and the accumulation of Pb at the interface were high in PLT films deposited on Pt/Ti/S i, and considerable pinning effect was observed. As LaNiO3 would absorb most part of the excess Pb in PLT films, the content of excess Pb in the films deposited on LaNiO3/Si was very low and the pinning effect was hardly observed. 相似文献
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在三方铁电(FE)-四方反铁(AFE)的准同型相界附近制备了一系列组份为(Pb0.97La0.02)(Zr1-x-ySnyTix)O3(x=0.09或0.1;0.16≤y≤0.38)的反铁电陶瓷.研究了Sn含量y对电场诱导AFE→FE相变电场Ec、反铁电双电滞回线损耗ΔE、以及温度诱导FE→AFE相变温度TFE,AFE→顺电(PE)相变温度Tc的影响.沿AFE-FE相界Ti含量一定的条件下,Ec随着Sn含量y的增加而增大,ΔE减小,TFE与Tc均降低.场诱相变的回线参量Ec,ΔE与相变温度TFE和Tc相关联.在直流偏压下用原位X-射线衍射表征了相变时晶格结构的变化,结果表明,当电场达到AFE→FE相变临界场时,伴随相变的发生,晶格结构由四方相转变为三方相,晶胞体积增大.
关键词: 相似文献
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本文用X射线单晶衍射法测定了2-间氰基苯基-5-氰基苯并噻唑的晶体结构,并用PCILO法对该化合物和另外二个同分异构体进行了构象分析。标题化合物属于单斜晶系,空间群P2_1/c,a=23.793(7),b=3.852(1),c=27.004(11),β=98.40(3)°,z=8,D_计=1.42g/cm~3,F(000)=1072,最后一致性因子R=0.048。该分子及其二个同分异构体的空间群相同,但分子在晶胞中堆积的方式并不相同,—c≡N键的间隔和取向亦不相同。根据对它们堆积情况的详细比较和分析,认为它们在外加适当能量时可能发生不同程度的固态聚合反应。 相似文献
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大面积高质量石墨烯的制备对石墨烯电子特性及石墨烯基纳器件相关研究有重要意义。本文综述了近几年来衬底上制备石墨烯的相关实验以及衬底与石墨烯相互作用研究的重要进展。目前,采用化学气相沉积、外延生长等方法可在衬底表面上制备出较大面积、高质量的石墨烯材料。衬底与石墨烯相互作用和界面间晶格匹配、原子成键及电荷转移等密切相关,其对吸附石墨烯的几何结构、能带结构及电子特性等产生明显影响。实验与理论计算的结合可望加深衬底与石墨烯作用机理的理解,指导衬底上石墨烯制备及改性的进一步研究。 相似文献