也谈厄米多项式的递推关系

由厄米多项式的母函数出发,推导出厄米多项式的递推关系以及厄米多项式中系数的递推关系.     

大学物理实验教学体系改革与实践

本文就大学物理实验的教学体系、教学模式改革进行了探讨和实践。     

A systematical study of the chiral magnetic effects at the RHIC and LHC energies

Considering the magnetic field response of the QGP medium,we perform a systematical study of the chiral magnetic effect(CME),and make a comparison with the experimental results for the background-subtracted correlator H at the energies of the RHIC Beam Energy Scan(BES)and the LHC energy.The CME signals from our computations show a centrality trend and beam energy dependence that are qualitatively consistent with the experimental measurements of the charge dependent correlations.The time evolution of the chiral electromagnetic current at the RHIC and LHC energies is systematically studied.The dependence of the time-integrated current signal on the beam energy√s with different centralities is investigated.Our phenomenological analysis shows that the time-integrated electromagnetic current is maximal near the collision energy√s≈39 GeV.The qualitative trend of the induced electromagnetic current is in agreement with the CME experimental results at the RHIC and LHC energies.     

家庭基站luh接口协议栈分析

家庭基站（Femtocell）通常作为对3G、4G宏基站的室内覆盖的补充。它兼容2G、3G、4G网络制式及wi-Fi热点功能,且具有小范围覆盖效果好、成本低、建设难度小等优点。本文所研究的Iuh接口使用在家庭基站实体（HNB）与家庭基站网关实体（HNB-GW）之间。本文详细分析了Femtocell的接入网网络架构和Iuh接口协议栈及其工作流程,通信单元格式等内容。     

高功率半导体激光器技术发展与研究

高功率半导体激光器及阵列具有可用激光波长丰富、电光转换效率高、调制特性好等许多优点,特别是作为固体激光器和光纤激光器的高效率泵浦源而获得的全固态紧凑型激光器,持续受到极大的关注,得到快速发展.近年来在高功率阵列半导体激光器模块化技术、超高效率、高效冷却技术、半导体激光器及阵列的光束质量优化、高效电源驱动技术等方面都取得了长足的进步,促进了其广泛应用.将结合高功率半导体激光国家重点实验室的研究工作,概述近年来国内外半导体激光器技术的研究进展状况和发展趋势.     

PMMA疏水性表面的飞秒激光制备研究

利用飞秒激光加工系统对PMMA表面制备微结构,调节激光的加工次数和微结构的尺寸参数,研究PMMA表面的润湿性机理.激光制备出光栅结构和方柱结构,采用超景深三维显微镜和接触角测量仪对微结构表面形貌和润湿性进行测量分析.研究了不同的激光加工次数和微结构尺寸对表面润湿性的影响,结果表明:PMMA表面微结构的接触角随光栅结构间...     

电子镇流器优化设计要点

本基于电子镇流器的工作原理。结合对高功率因数．低谐波电路的研究。异常工作状态保护电路的研究，灯丝预热启动电路的研究及EMI滤波器电路等一系列的研究分析。提出电子镇流器优化设计要点。有利于电子镇流器生产厂家的规范化设计。     

0.18μm SOI工艺技术

最近 ,三菱电机公司开发出了一种具有高可靠性的 0 18μｍＳＯＩ工艺技术。通过这种技术 ,由ＣＭＯＳ器件实现 2 5Ｇｂ/ｓ的超高速通信用ＩＣ。而且 ,业已证实采用大容量ＳＲＡＭＴＥＧ (ＴｅｓｔＥｌｅｍｅｎｔＧｒｏｕｐ :特性评价器件 )有可能实现大规模高速ＬＳＩ。1　局部沟槽隔离技术(ａ) 0 18μｍＳＯＩ技术的开发情况所谓的ＳＯＩ技术 ,就是在Ｓｉ基板的绝缘膜 (埋入氧化膜 )上形成单晶硅层 (ＳＯＩ层 )结构。与普通的Ｓｉ基板器件在基板上直接形成晶体管的情况相反 ,ＳＯＩ器件则是在薄的ＳＯＩ层上形成晶体管 ,由于可以缩小源 …     

VOx薄膜的sol-gel法制备

通过对工艺条件的研究,解决了钒有机溶胶与基片的亲水性问题,提出了成膜牢固的亲水处理方法,制备出了无裂纹、致密性好的VOx薄膜。测量结果表明,520℃热处理条件下的VOx薄膜样品的平均电阻温度系数达到了3.95%K–1。而470℃热处理下的VOx薄膜样品,其升降温阻温特性一致性很好,可用作高灵敏度红外探测器敏感元材料。