基于MEMS技术的射频移相器

微波与毫米波移相器是通讯和雷达应用上相控阵天线的基本单元，MEMS技术的引入提供了一个在移相器设计中用最小损耗的开关来大量减少移相器插入损耗的方法，该方法可以降低器件的功耗，改善插入损耗、隔离度、频带宽度等性能。相比于GaAs移相器，基于MEMS开关的射频移相器，无论是开关线型、分布式或是反射型，都有很好的RF性能。     

共面波导金属条带展宽新公式

针对需要考虑金属条带厚度效应的共面波导建立了近似的准静态求解模型,编制了相应的计算机程序,求出了金属条带展宽的数值解,接着用最小二乘法和多元曲线拟合进行了处理,得到了金属条带展宽新的闭定表达式,并导出了相应的形状比系数、特征阻抗、损耗等闭定表达式.然后用这些表达式计算了特征阻抗及损耗,并与K C 格普塔公式的计算值和实验值进行了详细比较,结果表明新公式的误差降到K C 格普塔公式的13.0~31.3%.新公式更有利于精确设计金属厚度效应不可忽略的共面波导.     

电化学沉积Cu牺牲层工艺用于制备面外运动电热微驱动器

用电化学沉积Cu作为牺牲层制备面外运动电热微驱动器的悬空结构,并建立了一种简单、可靠的牺牲层工艺技术.该工艺具有工艺流程简单、牺牲层易获取、释放简单、腐蚀选择性好、结构保存完整等优点.通过退火去除残余应力、使用丙酮和F113进行悬空结构释放等方法改进工艺,可以得到理想的器件.证明电化学沉积Cu是比较好的制备悬空结构的牺牲层工艺.     

140 GHz带状注弯折波导SU-8工艺与传输特性(英)

对140 GHz 带状注弯折波导的色散特性和耦合阻抗进行了仿真。CST微波工作室的仿真表明该波导在140 GHz时,波导内电磁波的轴向相速度为0.227c,且140 GHz频率附近色散特性平坦。波导的耦合阻抗在140 GHz时为5 左右。CST粒子工作室注波互作用的仿真结果表明该弯折波导在140 GHz处的功率增益为24.6 dB。该弯折波导带状电子注的设计保证了该波导的加工工艺与MEMS微加工工艺兼容。通过SU-8 UV-LIGA工艺实现了对该波导的微型加工。测试结果表明该波导的反射损耗S11与插入损耗S21分别为-28 dB和-1.2 dB。实测的输出功率增益达到23 dB。测试结果和仿真结果的一致性表明该弯折波导设计的合理性,同时也验证了多步SU-8 UV-LIGA工艺可以实现对该波导的高精度加工。     

位错型微机械可变光衰减器的研究

介绍了一种基于微机械技术实现的可变光衰减器,通过微电磁驱动器改变输入输出光纤之间的径向偏移量来调整衰减量。基于波导传输理论分析确定了器件的结构参量,并通过集成电路微细加工工艺实现了器件的制作和封装。测试结果表明,该可变光衰减器的插入损耗小于1dB,动态范围约35dB,工作电压小于5V,偏振相关损耗小于0.1dB,体积为20mm×15mm×8mm,有望为全光网提供一种低成本,高性能的光通信器件。