一种闭环控制的错位型MEMS可调光衰减器

针对一种错位型MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems)可调光衰减器,基于输入输出光纤间模场的交叠积分,数值分析了径向偏差和轴向间隙同时存在的情况下,光功率衰减量与错位量和波长的关系.演示了利用闭环反馈控制系统提高器件响应线性度的显著效果.研制出样机并测量得到器件的响应时间(约1.5 ms),动态范围(约35 dB),波长相关损耗(<0.4 dB),偏振相关损耗(<0.1 dB)等关键性能参量.     

发展中的RF MEMS开关技术

射频MEMS开关是用MEMS技术形成的新的电路元件,与传统的半导体开关器件相比具有插入损耗低、隔离度大、线性度好等优点,将对现有雷达和通信中RF结构产生重大的影响。介绍了射频MEMS开关的工作原理、优化设计,分析了可靠性问题,举例说明了射频MEMS开关的应用,指出了其发展所面临的问题。     

商品有机玻璃片微结构的深刻蚀研究

研究应用O2反应离子刻蚀(RIE)直接深刻蚀商用有机玻璃(PMMA)片，以实现微结构的三维微加工，工艺简单，加工成本较低，为微器件的高深宽比加工提出了新方法。试样采用Ni作掩膜，以普通的光刻胶曝光技术和湿法刻蚀法将Ni掩膜图形化。工作气压、刻蚀功率等工艺参数对刻蚀速率影响较大。在刻蚀过程中，掩膜上的金属粒子会被刻蚀气体离子轰击而溅射散落出来，形成微掩膜效应。利用这种RIE技术，在适当的溅射功率及气压下，刻蚀速率较快，且获得了较陡直的微结构图形，刻蚀深度达120μm。     

O_2反应离子深刻蚀PMMA

高深宽比结构是提高微器件性能的重要环节之一。利用RIE深刻技术加工具有高深宽比结构的图形 ,方法简单 :它不象LIGA技术那样 ,需昂贵的同步辐射光源和特制的掩模板 ,对光刻胶的要求也不是特别高 ,利用这种技术深刻蚀PMMA膜 ,以Ni作掩模 ,采用普通的光刻胶曝光技术和湿法刻蚀的方法将Ni掩模图形化 ,然后利用O2 RIE技术刻蚀PMMA ,可以得到深度达 1 0 0 μm ,深宽比大于 1 0的微结构 ,图形表面平整 ,侧壁光滑垂直。在刻蚀过程中 ,氧气压、刻蚀功率等工艺参数对刻蚀结果影响较大。     

MEMS微电磁驱动器的分段磁路模型及实验研究

介绍了一种MEMS电磁微驱动器.基于分段磁路的网络方程法,针对微电磁驱动器所采用的平面线圈的结构特点,建立了平面线圈微驱动器的非线性磁路模型.实验结果表明,考虑线圈绕组半径不同而产生的磁动势分布效应可以为平面线圈型微驱动器建立可靠的模型.采用硅微细加工技术和微电铸技术成功地制作出了这种微驱动器,并对器件的性能进行了测试,测试结果表明,该模型能很好地计算驱动器的电磁力.     

微马达结构、气隙磁场和绕组层数对微马达输出力矩的影响

电磁型微马达以其输出力矩大、运行寿命长、易于实用化的优点成为微机电系统、微型机器人和微型可动部件理想的驱动器。从微马达结构1气隙磁场、转子厚度、转子写入磁极数和定子绕组的层数对微马达输出力矩的影响进行了分析和讨论。     

微型机电继电器研究进展

微型化是机电继电器最重要的发展方向之一,MEMS设计和制造技术的进展开辟了机电继电器微型化的崭新途径.本文系统介绍了典型MEMS继电器的研究进展,简要地比较、评述了它们的优势和缺点.     

微桥结构镍膜的弹性模量和残余应力研究

采用MEMS(MicroelectromechanicalSystems)技术研制了宽度在微米尺度的镍(Ni)膜微桥结构试样。采用纳米压痕仪(Nanoindenter)XP系统的楔形压头测量了微桥载荷与位移的关系,并结合微桥力学理论模型得到了Ni膜的弹性模量及残余应力,分别为190GPa和87MPa。与采用纳米压痕仪直接测得的带有硅(Si)基底的Ni膜弹性模量(186.8±7.5)GPa相符合。     

基于MEMS技术的射频移相器

微波与毫米波移相器是通讯和雷达应用上相控阵天线的基本单元，MEMS技术的引入提供了一个在移相器设计中用最小损耗的开关来大量减少移相器插入损耗的方法，该方法可以降低器件的功耗，改善插入损耗、隔离度、频带宽度等性能。相比于GaAs移相器，基于MEMS开关的射频移相器，无论是开关线型、分布式或是反射型，都有很好的RF性能。     

一种快速响应双稳态热执行器的结构设计

利用ANSYS有限元分析软件并结合工艺条件,就其中的热执行按照快速响应的特点,对各结构参数与热执行器部件的驱动力、驱动位移、电阻、响应时间等驱动性能的影响进行了分析与仿真,从而得到了优化结构设计。此设计所要达到的目标是,热执行器驱动电压为5V,响应时间为2ms,末端最大位移为3.16×10-4m,末端位移20μm时的驱动力为4.94×10-3N。