平台化互动电视技术体系建设

截至2007年6月底，已经累计有28个城市完成了整体转换，有线数字电视用户超过1600万户，中国数字电视已经进入了后平移时代。可就在运营之路已经基本修建完成时，数字电视的运营状况却差强人意。截止到目前，付费电视节目的销售情况很不理想，以数据广播为基础的几个付费业务也因为形式过于简单、内容相对单调而未能撑起数字电视应有的天空。也许与传统的模拟电视相比，     

一种小型CDMA扩频宽带天线计算机辅助设计

为了研制一种直接序列与跳时混合扩频的小型宽带通信天线，采用了近代天线理论的矩量法分析和计算机进行辅助设计，获得了带宽在35MHz～116MHz频率范围，驻波系数P〈2．5，天线高度为1．4m的小型码分多址宽带扩频通信天线。应用Fortran语言编制的计算机程序，能迅谜地设计出符合要求的小型扩频宽带通信天线。该天线体积很小，能较好地保证某混合扩频通信电台的抗干扰试验。     

铌基超导量子比特及辅助器件的制备

近年来超导量子计算的研究方兴未艾,随着谷歌宣布首次实现“量子优势”,这一领域的研究受到了人们进一步的广泛关注.超导量子比特是具有量子化能级、量子态叠加和量子态纠缠等典型量子特性的宏观器件,通过电磁脉冲信号控制磁通量、电荷或具有非线性电感和无能量耗散的约瑟夫森结上的位相差,可对量子态进行精确调控,从而实现量子计算和量子信息处理.超导量子比特有着诸多方面的优势,很有希望成为普适量子计算的核心组成部分.以铌或其他硬金属(如钽等)为首层大面积材料制备的超导量子比特及辅助器件(简称铌基器件)拥有其独特的优点以及进一步发展的空间,目前已引起越来越多的兴趣.本文将介绍常见的多种超导量子比特的基本构成和工作原理,进而按照器件加工的一般顺序,从基片选择和预处理、薄膜生长、图形转移、刻蚀和约瑟夫森结的制备等方面详细介绍铌基超导量子比特及其辅助器件的多种制备工艺,为超导量子比特的制备提供一个可借鉴的清晰的工艺过程.最后,介绍若干制备铌基超导量子比特与辅助器件的具体例子,并对器件制备的工艺与方法的优化做展望.     

集成扭秤放大法测量薄膜的表面张力系数

根据能量守恒定律将薄膜表面张力系数的测量转化为几何量的测量.利用扭秤装置和光路放大测量微小长度,实现了对薄膜表面张力系数的间接测量.     

利用真空变温薄膜电阻实验仪测量热电材料特性参数

利用北京交通大学理学院自主开发的VTR10型真空变温薄膜电阻实验仪对热电材料的热电阻率进行了多次测量,并用该装置精确测定了热电材料的塞贝克系数,得到了热电材料的电阻率随温度变化的曲线和塞贝克系数随温度变化的曲线.     

基于啁啾光纤布拉格光栅的流速传感器

设计了一种基于啁啾光纤布拉格光栅(CFBG)的新型 流速传感器,包括CFBG压强传 感机构和文丘里管。压强传感机构中,密闭铝箔管横截面两边的压力差导致矩形悬臂梁变 形,从而引起粘贴在悬臂梁侧边的CFBG的反射光谱带宽发生变化。通过 检测其带宽,得到被测流体的速度。实验表明,CFBG反射光谱带宽对温度不敏 感,流速传感器的动态测量范围为8~100mm/s,设计方案是切实可行 的。     

高速逆流色谱分离制备甜瓜蒂中葫芦素类化合物

采用高速逆流色谱法分离制备了甜瓜蒂中3种葫芦素类化合物.以正己烷-乙酸乙酯-甲醇-水(1.2:0.8:0.8:1.2,V/V)为两相溶剂系统,上相为固定相,下相为流动相.在主机转速800 r/min、流动相流速2.0mL/min、分离温度25℃、检测波长254nm条件下进行分离,所得产物纯度经HPLC检测,结构经MS、...     

一道平几竞赛试题的证明与引申

题已知,如图1,正方形ABCD,BE=BD,CE∥BD,BE交CD于点F.求证:DE=DF.这是2011年四川省初二年级联赛决赛的压轴题.此题证法入口较多,难度不大,是考察学生能力的难得佳题之一.本文将给出几种常规简单的证法,同时给出几个引申结果,供欣赏     

Effect of In_x Ga_(1-x )N “continuously graded” buffer layer on InGaN epilayer grown by metalorganic chemical vapor deposition

In this paper we report on the effect of an In x Ga1-x N continuously graded buffer layer on an InGaN epilayer grown on a GaN template.In our experiment,three types of buffer layers including constant composition,continuously graded composition,and the combination of constant and continuously graded composition are used.Surface morphologies,crystalline quality,indium incorporations,and relaxation degrees of InGaN epilayers with different buffer layers are investigated.It is found that the In x Ga1-x N continuously graded buffer layer is effective to improve the surface morphology,crystalline quality,and the indium incorporation of the InGaN epilayer.These superior characteristics of the continuously graded buffer layer can be attributed to the sufficient strain release and the reduction of dislocations.