基于DSP的高速原子力显微镜系统

传统的以PC机为控制核心的AFM(atomic force microscope)越来越无法满足快速成像的要求,具有先进控制系统的高速AFM正成为国内外的一个研究热点.本文介绍了一种以DSP(digital signal processor)为控制核心的AFM系统.在该系统中,自动进针/退针、扫描电压的产生、A/D采样、D/A输出以及数字闭环反馈控制等任务均在DSP控制下完成;在分辨率为512×512时,可以获得行频55 Hz的扫描速度.实验表明,即便在这样高速扫描的情况下,该系统仍具有良好的成像性能.     

FTTH技术及其关键器件分析

本文从FTTH技术及总体网络构成出发,分析了应用于FTTH的关键器件,并对这些器件应用过程中需要考虑的问题进行了阐述.     

高职院校网络安全管理分析与对策

随着信息技术的高速发展,现代科技推动着高职教育的高效发展。高职院校规模小、学生少、技术力量薄弱的问题导致标准化建设、技术维护、管理措施及政策支持等方面的相对滞后,各类教育信息数据在传输、应用时的不到位给网络安全带来了巨大的隐患,信息安全管理的改进、升级迫在眉睫。对此,本文分析了当前高职院校面临的主要网络安全问题,从顶层政策设计、技术合作、安全教育及人才队伍建设四个方面给出参考解决方案。     

面向多业务的移动接入光缆网建设模式探讨

经过近几年的高速建设,广东移动各分公司已搭建起了适应GSM网络的基础传送资源网,但随着网络技术及业务的发展,原有建设模式逐渐凸现无法适应未来业务发展的一些局限性,本文以珠三角某城市移动公司为例,从3G、集团客户信息化等多业务对传输基础网络的需求出发,介绍了多业务时代移动传输网络组网方式的演进和对光缆网络的需求,分析了目前移动公司光缆网络的一般结构和其应对多业务需求的局限性,提出了面向多业务的接入光缆网络建设模式。     

基于NiosⅡ的OLED显示驱动技术研究

为了利用有机发光二极管(OLED)显示屏显示字符及图形,对基于Nios技术的OLED显示驱动进行了研究。利用FPGA开发环境编写SVGA时序的Verilog HDL程序,设计了适合EMA-100080型SVGA+主动矩阵OLED微型OLED显示屏的SVGA接口;利用Nios集成开发环境编写C语言程序/控制字符、图形的生成及传输,协调NiosⅡ和FPGA之间数据传输。经调试及验证,表明OLED屏能够显示特定的字符及图形。     

中国电信运营商技术创新国际化模式探析

为最大化利用发达国家技术集聚地的外溢效应，我国电信运营商应加速推进技术创新国际化。本文分析了技术创新国际化的内涵和动因，以法国电信．DoCoMo和沃达丰为例阐释了国外先进运营商技术创新国际化的模式，剖析了中国电信运营商技术创新国际化的现状和问题，最后提出了中国电信运营商技术创新国际化的几点建议，包括技术创新国际化先于市场国际化，以核心技术推动技术创新国际化，以及适合现阶段的技术创新国际化模式。     

《超声电机技术与应用》

超声电机是在20世纪80年代迅速发展起来的基于压电效应和超声振动的一种新型微电机.     

外源一氧化氮对镉胁迫下番茄幼苗叶绿体保护作用的光谱学分析

镉（Cd）是重要的重金属污染源，一氧化氮（NO）是近年来发现的一种普遍存在于生物界的信使分子，研究表明其参与了植物对Cd胁迫的应答反应调控。文章用硝普纳（SNP）作为NO供体，向番茄幼苗喷洒100mol·L^-1SNP1d后加入50mol·L^-1Cd处理7d，取完全展开叶片，提取叶绿体进行光谱学研究，分别测定了叶绿体室温吸收光谱、叶绿体低温荧光光谱和DCPIP电子传递效率等指标，研究外源NO缓解Cd对叶绿体毒性的影响。结果发现，CA对叶绿素a、叶绿素b和类胡萝b素含量都有不同程度的降低，NO处理缓解了CA的影响，使叶绿体室温吸收光谱的吸收率提高；CA导致686nm处峰（PSII）偏移4nrn，峰值降低33％，734nm处峰值降低23％，外源NO缓解了Cd对光合系统的影响，使得叶绿体低温荧光光谱在686和734nm的峰值分别仅下降17％和100o；以DCPIP为人工电子受体，Cd处理的叶绿体中DCPIP还原速率较慢，光合电子传递（H2O→DCPIP）速率降低1．5倍，外源NO处理显著缓解了Cd对电子传递链的抑制，使其光合电子传递速率恢复到对照的水平。该研究可为NO处理增强植物对Cd胁迫的抗性提供理论依据。     

LD泵浦Nd:YAG 946 nm/1 064 nm双波长运转及腔内和频

用国产半导体激光二极管(LD)端面泵浦NdYAG晶体, 通过优化激光谐振腔反射膜系,调节1 064 nm谱线的线性损耗以达到与弱谱线946 nm的增益匹配,在室温下实现1 064 nm和946 nm双波长连续运转,并通过I类临界相位匹配LBO晶体腔内和频在国内首次实现500.8 nm青色激光连续输出.当泵浦注入功率为1.4W时和频青色激光最大输出达20 mW,光-光转换效率为1.4%,功率稳定性24 h内优于±3%.     

MRAM的发展目标是终极高速存储器

2005年底索尼发布了一款高速存储器,它具备SRAM的运行速率、闪存的非易失性以及无限制的写入次数等特性。该存储器采用了非易失性的8Kbit存储单元阵列,写入时间为2ns。如果再进一步提高集成度,可替代45nm以下工艺的SRAM、DRAM等非易失性存储器。索尼的这款存储器属于MRAM的一种。几年前,当MRAM刚上市时,业内就对它充满期待。但是随着研究的深入,很多难题不断出现。MRAM渐渐被视为特定市场的特定部件。索尼发布的这款存储器使MRAM回归到主流存储器的轨道上,甚至很可能发展成为终极存储器。除索尼外,美国Grandis、瑞萨科技、日本…