卫星保险业的现状分析与研究

随着人类航天科技的迅速发展,对于“高科技、高投资、高风险”的航天活动提供保险,已经成为了业内的共识,其中重要的部分——卫星保险也经历了起起落落的发展。1965年,当经营卫星科技     

CH基团与金刚石(111)面的碰撞反应及其对碳膜生长的影响

等离子体增强化学气相沉积技术中的碳膜选择性自组装机理是高性能碳膜制备过程中的挑战性基础课题.采用经典分子动力学方法,模拟了不同能量(1.625-65 eV)的CH基团在清洁金刚石和吸氢金刚石(111)面上的轰击行为,获得了吸附、反弹、反应等各类事件的发生概率,并据此探讨了含氢碳膜制备过程中CH基团的贡献.结果表明,随着入射能量的增加,CH基团对薄膜生长的贡献由单纯的吸附、反弹机理向反应、吸附混合机理转变,其中最主要的反应过程是释放一个或两个氢原子的反应,而释放氢分子的反应则很少发生.这些反应不仅使薄膜生长过程更均匀、薄膜表面更平整,还降低了薄膜的氢含量.生长机理的转变导致低能量条件下所成薄膜中的多数碳原子都包含一个氢原子作为配位原子,而高能量条件下的薄膜中的碳原子则很少有氢原子作为配位原子.另外,通过分析sp~3-C和sp~2-C数目的变化,研究了CH基团对金刚石基底的破坏作用.     

氩离子轰击对射频溅射法制备的a-SiC∶H膜退火形成6H-SiC的影响

本文对射频溅射法淀积的ａ－ＳｉＣ∶Ｈ膜热退火形成６Ｈ－ＳｉＣ相进行了研究．我们采用红外透射谱、喇曼背散射谱和Ｘ光衍射谱来研究退火形成６Ｈ－ＳｉＣ的过程．在较高的射频功率下淀积的ａ－ＳｉＣ∶Ｈ膜经８００℃６０分钟等时退火后转变为６Ｈ－ＳｉＣ相，该温度低于在低功率下制备的ａ－ＳｉＣ∶Ｈ形成６Ｈ－ＳｉＣ的温度（１０００℃）．高功率可导致６Ｈ－ＳｉＣ形成温度的降低与膜中硅及石墨团簇的消失，同时高能量的氩离子轰击可使膜中氢含量减少及各组分均相．通过改变射频功率，本文研究了氩离子轰击对ａ－ＳｉＣ∶Ｈ膜及形成６Ｈ－Ｓｉ     

从北京—九龙铁路电信传输网谈铁路SDH网设计

根据北京－九龙（京九）铁路商丘－龙川段的电信传输网同步设备的招标采购工作，提出了铁路电信传输网同步传输系统设计过程中几个值得注意的问题－通信制式的确定、工作波长的选用、系统保护方式、长途及区段系统的兼容、系统网管、系统的升级扩容。     

VC与数据库接口技术的研究

阐述了数据库与VC交互的3种方式,深入分析了数据库引擎的原理,详细地论述了使用各种底层接口访问数据库的方法,并对3种方式进行比较,分析各自适用的场合和利弊,得出VC与数据库进行交互的最优方式,使得数据库强大的存储能力和数据处理能力与VC优秀的编程能力结合起来。     

傅里叶变换红外偏振光谱在涤纶工业丝结构表征中的应用

应用傅里叶变换红外偏振光谱对涤纶工业丝样品的反式构象含量、非晶取向、整体取向等结构参数进行了表征，对制备涤纶工业丝各阶段中结构变化规律进行了初步探索。     

在激光辐照下拉伸的聚对苯二甲酸乙二酯纤维的结构与性能

要提高聚对苯二甲酸乙二酯 (ＰＥＴ)纤维的力学性能 ,不仅要求分子链形成伸直链结晶 ,更主要的是增加晶区之间以及微原纤之间连接分子 (Ｔｉｅｍｏｌｅｃｕｌｅｓ)的数目及其取向程度[1,2 ] .研究表明 ,通过将拉伸工艺中的加热区域降低至 2ｍｍ ,可以使非晶态分子链更为伸展且规整排列[3 ] ,这样的非晶态结构可以更快地向结晶转化[3 ,4] ,容易形成伸直链结晶并增加连接分子的数目 .这种区域拉伸的实质是通过减小形变 (细颈 )区域而使形变速率显著提高 .采用ＣＯ2 激光辐照可以达到更高的形变速率 .这是由于ＣＯ2 激光的波长为 1 0 6μｍ ,…     

G.655光纤与波分复用通信系统

一、各种单模光纤的特性比较1996年8月国际电信联盟ITU－T提出了第5个关于光纤方面的建议——G．655建议。5个建议中关于单模光纤的建议有4个。第1种G．652光纤（SMF）：发明于1983年,既可用于1310mn波长区,又可用于1550nm波长区,但由于零色散波长在1310nm附近,因而最适用于1310nm波长区,是我们迄今为止仍大量使用的光纤,我国的干线通信线路基本上是采用这种光纤建成的。由于在1550nm窗口光纤色散较大,限制了系统向高速发展。第2种G．653光纤（DSF）：也称色散位移单模光纤,发明于1985年。它是为了克服G．652光纤在1550nm窗口…     

含氢碳膜的生长机制: 分子动力学模拟研究低能量CH基团的作用

探索等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术中含氢碳膜的生长机理, 制备出常态超润滑含氢碳膜是表面工程技术领域的目标之一. 基于REBO势函数, 采用分子动力学模拟方法, 通过对比研究CH基团在清洁金刚石和吸氢金刚石表面的沉积行为, 发现低能量CH基团在清洁金刚石(111)面上的吸附效率大于98%, 而在吸氢金刚石(111)面上的吸附效率低于1%. 结果表明PECVD法制备含氢碳膜时, 低能量CH基团对薄膜生长的贡献主要来自于其在表面非饱和C位置的选择性吸附.