有机电致发光彩色平板显示器

由于有机电致发光器件具有驱动电压低，亮度高，全彩色化及成本低等优点，因此，近年来用它制作平板显示器的工作备受关注。下文论述了彩色有机发光器件平板显示器的发展现状。     

GaN器件的某些关键工艺及其进展

自９０年代初，在ＧａＮ材料的ｐ型掺杂和异质外延技术取得突破性进展之后，ＧａＮ的欧姆接触及腐蚀技术就成为ＧａＮ器件向商品化发展的关键工艺。近年来，在这些领域的研究论文逐年增多，已形成了一股研究热潮。本文论述了ＧａＮ的欧姆接触和腐蚀工艺的研究现状。     

激光技术在分子束外延中的应用

激光具有波长选择范围宽，强度高和方向性好等优点，已在许多科学技术领域发挥了重要的作用。近年来，激光又被用于分子束外延（ＭＢＥ）技术中，并取得了很大进展。本文论述了在ＭＢＥ薄膜生长中，激光气体离化原位分子束组分监测，激光溅射产生外延分子束源以及这些新技术在材料生长中的应用。     

GaN器件的某些关键工艺及其进展

自９０年代初，在ＧａＮ材料的ｐ型掺杂和异质外延技术取得突破性进展之后，ＧａＮ的区姆接触及腐蚀技术就成为ＧａＮ器件向商品化发展的关键工艺。本文论术了ＧａＮ的欧姆接触和腐蚀工艺的研究现状。     

ZnO材料的电子输运特性

用全带Monte Carlo方法模拟了纤锌矿ZnO材料电子的稳态和瞬态输运特性.稳态输运特性包括稳态平均漂移速度-电场特性、电子平均能量-电场特性和在不同电场下电子按能量的分布.在平均漂移速度-电场特性中发现了微分负阻效应.ZnO的瞬态输运特性包括平均漂移速度-位移关系曲线、渡越时间-位移关系曲线等.在平均漂移速度-位移关系曲线中发现了过冲现象,这种现象是电子从低能谷到高能谷跃迁过程中的弛豫时间产生的.     

蓝色发光二极管的研究进展

综述了制备蓝色发光二极管的材料及相应的薄膜生长、掺杂和欧姆接触技术的实验研究。介绍并讨论了ＳｉＣ、ＧａＮ和ＺｎＳｅ蓝色发光二极管的发展状况。     

光诱导化学汽相淀积非晶硅薄膜及其在太阳电池中的应用

本文较系统地评述了光诱导化学汽相淀积(LCVD)技术淀积非晶硅薄膜的开发现状,主要介绍了LCVD淀积非晶硅薄膜 的机理.评价了LCVD淀积非晶硅薄膜的电学和光学特性,最后介绍了这种薄在制备晶硅太阳电池方面的应用.