一种采用斩波调制的高精度带隙基准源的设计

为了抑制运算放大器的输入失调电压对带隙基准源的影响,提高输出电压的精度,基于斩波调制技术,设计了一种高精度带隙基准源电路.通过0.25 μm BiCMOS工艺模型仿真验证,结果表明,运算放大器的差分输入对管的失配为±2％时,该基准源的输出电压波动峰峰值为0.38 mV,与传统带隙基准源相比,相对精度提高了113倍.当电源电压在2.5～6.0V内,基准电压源的波动小于0.085 mV,温度为-40～125℃时,电路的温度系数为19ppm/℃.     

一种全MOS低温漂电压基准源的研究

通过利用改进型低压Tracking-VGS结构的栅源电压差ΔVGS,对NMOS晶体管的阈值电压进行补偿,提出一种全MOS低温漂电压基准源结构,获得了电源抑制特性较好的低温漂基准电压。基于2.5V65nm标准CMOS工艺,对电路进行HSPICE仿真验证。结果显示:在-40℃～125℃温度范围内,基准电压为1.1V,温度系数为1.6×10-5/℃,电源抑制比为-51dB。     

新型低功耗上电复位电路

设计了一种新型低功耗上电复位电路。该电路采用一种低功耗施密特触发器,整体电路静态工作电流极低,复位脉冲出现时间和脉冲宽度可调。电路基于40nm CMOS工艺,在1.1V电源电压下进行Cadence仿真。结果表明,新型上电复位电路静态电流为63nA,在电源缓慢上电、高电源纹波和快速掉电/上电等情况下,电路均具有很高的可靠性。     

Gauss数环中的素元

对于 Gauss数环 Z[i]={ a+ bi| a,b∈ Z}中的素元 ,给出了其整数中的素元形式为可表成 4 n+ 3的素数 ,非整数素元为其范数 N( α)为一素数的形式     

Gauss数环中的素元

对于Gauss数环Z[i]＝{a bi|a,b∈Z}中的素元，给出了其整数中的素元形式为可表成4n 3的素数，非整数素元为其范数N(α)为一素数的形式。     

高等数学教材内容优化组合分析研究

本文在调查、统计分析的基础上，对高等数学教材体系的改革，内容的优化组合提出了设想，并进行了分析研究．     

基于P级数判敛的正项级数敛散性判别方法

借助由比较判别法导出的引理,证明了一种形式类同比值判别法的新的判别方法。     

多通道SAR/GMTI系统中动目标最小可检测速度研究

动目标最小可检测速度作为多通道SAR/GMTI(Synthetic Aperture Rada/Ground Moving Target Indication)系统的核心性能指标,它的大小直接反映了多通道SAR/GMTI系统对慢动目标的检测能力。目前有关系统最小可检测速度性能指标的获取,大都是通过经验值得到,并没一个理论上的推导结果作为参考。本文从理论角度出发,推导出系统最小可检测速度与雷达工作参数之间的制约关系,其有效填补上述理论空白,为多通道SAR/GMTI系统的设计人员提供一种新的获取系统最小可检测速度的途径。