受激光子回波在阵列天线波束合成中的应用研究

由于孔径效应和孔径度越时间的限制,使得传统的相控阵雷达难以实现大角度扫描和大的信号瞬时带宽.把受激光子回波技术应用于波束合成,可以克服这一难题.介绍了基于受激光子回波的光学真实延时实现原理,并分析了其在阵列天线波束合成中的应用,阐述了波束合成的实现方法.     

复杂铝合金零件镀银工艺改进

介绍了复杂铝合金零件镀银工艺,分析了影响铝合金电镀层质量的因素,通过试验改进了铝合金电镀工艺,在常规二次浸锌工艺中增加了电镀锌,采用浸锌电镀锌联合处理法提高了复杂铝合金零件镀银的结合力。给出了工艺流程及各工序溶液配方和相关参数,并提出了相应的操作要点。介绍了生产过程中易出现的问题及解决办法。利用划格法和热震法检验了镀层的结合强度。测试结果表明:采用新工艺加工的零件达到了结合力的要求。     

湍流大气中厄米-高斯光束M2因子的变化

基于广义惠更斯-菲涅耳原理和Wigner分布函数二阶矩的定义,推导出直角坐标系下大气湍流中部分相干光的M2因子传输公式。以厄米-高斯（H-G）光束为例,给出了H-G光束通过大气湍流传输后M2因子的解析表达式,并采用Tatarskii谱,详细讨论了M2因子的主要影响因素。结果表明,M2因子主要由光束的束腰宽度、波长、光束阶数、大气湍流的折射率起伏结构常数和在湍流中传输距离决定。随着光束阶数、折射率起伏结构常数及传输距离的增大,M2因子明显增大,光束阶数越高,湍流对M2因子变化的影响越小。对于给定的传输距离,存在最佳初始束宽,使M2因子最小。     

InGaN/GaN多量子阱LED载流子泄漏与温度关系研究

通过测量光电流,直接观察了InGaN/GaN量子阱中载流子的泄漏程度随温度升高的变化关系。当LED温度从300K升高到360K时,在相同的光照强度下,LED的光电流增大,说明在温度上升之后,载流子从量子阱中逃逸的数目更多,即载流子泄漏比例增大。同时,光电流的增大在激发密度较低的时候更为明显,而且光电流随温度的增加幅度与激发光子的能量有关。用量子阱-量子点复合模型能很好地解释所观察到的实验现象。实验结果直接证明,随着温度的升高,InGaN/GaN量子阱中的载流子泄漏将显著增加,而且在低激发密度下这一效应更为明显。温度升高导致的载流子泄漏增多是InGaN多量子阱LED发光效率随温度升高而降低的重要原因。     

DAM 10kW数字发射机故障简析

DAM 10kW数字发射机（1494kHz）频繁烧功放管，经台技术人员反复测量和查找，主要原因是功放板不清洁，造成电路爬电；新老功放板电路结构不同，发射机上有混装现象；功率合成器次级（铜棒），在合成母板大台阶功率合成A19与A20之间连接处打火烧黑。技术人员对查找出的问题进行处理，排除了发射机故障，恢复汉语主发射机的播出。     

几类非奇H-矩阵的行列式估计

非奇H-矩阵在数学物理、控制论、电力系统理论及经济学等许多领域有着重要的研究价值和实用价值.本文利用矩阵逆元素估计、矩阵的逐次降阶法及递归,给出严格对角占优矩阵、广义严格对角占优矩阵等几类非奇H-矩阵的行列式上下界的估计式.改进了已有的一些相关结果,并用数值算例说明文中结果的有效性.     

邻频干扰对跳频系统中断概率的影响

在已知台站布置的跳频系统中,针对邻频干扰对系统中断概率的影响,分析了接收端信干噪比（SINR）的分布函数,得到了以信道参数、干扰台站数和可用频点数为变量的中断概率公式。理论计算和仿真结果表明,信道参数、干扰台站数是影响中断概率的主要因素,可用频点数与中断概率有类反比的关系。该结果为跳频系统的性能分析和台站布置提供了指导。     

“海水提镁”项目式教学设计与实践*

依托广西北海市丰富的海洋资源,创设了“在北海能否建提镁厂”的驱动性总任务,师生合议将任务规划为3个大问题和6个子任务。学生采用信息收集、分类、比较、推理、实验、系统分析等认知策略,最终以ppt的形式进行成果汇报,通过组间评价、核心问题讨论、决策性问题辩论等方式逐步落实项目目标。