液晶显示的最新进展

液晶显示器（ＬＣＤｓ）在信息容量、对比度、分辨率和视角等方面已经取得明显进展。在功耗和响应速度方向也正在改善。本文除着重叙述上述进展之外,也将叙述一些最近计划开发的新型ＬＣＤｓ,例如场顺序彩色ＬＣＤ,高性能反射式彩色ＬＣＤｓ和微型显示器等。     

基于“猫眼效应”的狙击手光电探测仪

为从技术层面上提高反狙击能力,通过分析狙击步枪瞄准镜的反射特性,利用线阵CCD捕捉瞄准镜回波信号研制出主动式狙击手光电探测仪。介绍了探测仪的主要指标参数,并模拟实际使用环境验证了其探测效果。试验结果表明:在城市作战中狙击手通常伏击的距离为20 m~200 m,探测仪可准确探测微光瞄准镜及口径为32 mm、40 mm、42 mm和50 mm的白光瞄准镜,且不受镜子和手电筒凹面镜等反射体干扰,但对加装蜂窝板的瞄准镜,当距离大于80 m后无法可靠探测。     

下一代电视广播的动向及Panasonic所做工作

本文论述了下一代电视广播的动向,特别是后高清时代全球超高清4K、8K方面的发展动态,结合这样的发展趋势,介绍了松下电器在超高清4K、8K方面进行技术开发和业务推广的工作,为推动这一发展所做的贡献。首先介绍一下相关的业界动向。     

多喷嘴对置式水煤浆气化炉内钠元素的释放与转化

基于多喷嘴对置式水煤浆气化热态实验平台,开展气化炉内钠元素的释放与转化特性研究。对收集的气化炉内轴向不同位置处颗粒物样品进行分析,利用微波消解和化学分级洗对颗粒物进行预处理,借助原子火焰吸收光谱仪(FASS)定量测定颗粒物中钠元素含量,并采用扫描电镜-能谱仪联用系统(SEM-EDS)表征颗粒物的表观形态及其表面元素组成。FAAS测定结果表明,钠元素释放率随距离喷嘴平面间距的增加呈先增加再减少的趋势,喷嘴平面附近为钠元素主要释放区域。随着炉内反应的进行,钠元素由水溶态、离子交换态向酸溶态和残渣态转变。结合SEM-EDS结果可知,炉内反应过程中,矿物质熔融形成球形颗粒物,与气相中的钠反应生成硅酸盐和硅铝酸盐,且钠元素含量随球形颗粒物的增多而增加。     

迷雾与假象（二）：家庭影院的音质（下）

现在我们已经将室内的设置尽在掌控，接下来就可以进行校正了。你可能想到的是声压级和延迟设定，在此之前还有很多需要检查的东西。电声系统的校正可以分为三个方面——电子系统音箱/所众关系以及室内声学。     

Polarization Patterns Control Based on Photoinduced Anisotropy of Photochromic Fulgide

We investigate the photoinduced anisotropy of a photochromic material of pyrrylfulgide/PMMA films. It is proven that when the film is illuminated with a linear polarization light, an optical axis that has the same polarization as the excitation light could be induced in the film. A matrix of light spots with different polarizations is recorded     

可擦写俘精酸酐/PMMA薄膜的全息记录特性研究

对一种新型可擦写有机光致变色材料-吡咯俘精酸酐的光全息记录特性进行了实验研究.用涂布法制成厚度约10 μm 的吡咯俘精酸酐/PMMA聚合物薄膜.样品无色态吸收峰在373 nm处,经紫外光照射发色后,变为呈色态,其吸收峰移动到626 nm处,呈色态在氦氖激光照射下可以重返为无色态.无色态和呈色态在室温下都是稳定的.以呈色态吡咯俘精酸酐/PMMA薄膜作为记录材料,以氦氖激光作为记录光,分别建立了双光束干涉衍射记录装置和四波耦合实验系统.实验测得该薄膜的空间分辨率至少可以达到1680 lines/mm,一级衍射效率大于2%,全息记录中的最佳曝光量约为1 J/cm².实验测量了衍射效率与曝光量的特性曲线,分析了衍射光强度和光斑模式随曝光时间的变化关系.     

对日本5家大型半导体厂商的访谈

成长领域是半导体和原子能东芝东实执行副总裁兼CTO■2005年度的研发费用:3724亿日元(比上年增加7.0%)■在2005年的销售额中所占的比率:5.9%■2006年度的研发预算:3900亿日元--2007年招聘的工程师增加到2006年的2倍,约为1070人。东芝认为开拓新领域很重要,因此会增加研发费用及研发人员。这些研发人员主要集中在半导体及原子能发电领域。在半导体领域,东芝在四日市的NAND闪存工厂投资3000亿日元。2006年,该工厂成功地用56nm工艺开发出4值存储器,12月已经可以对外提供样品。东芝准备将其作为核心技术。