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21.
针对充液管路系统噪声有源控制问题,研究了次级源和误差传感器布放对带弹性障板的充液直管管路系统有源消声与有源消振复合控制效果的影响。基于声固耦合方法建立了带弹性障板的充液直管管路系统的有限元模型,在声激励下对比了次级声源布放对系统有源消声性能的影响,并在组合激励下分析了次级力源、次级声源和误差传感器布放对系统复合有源控制的影响。结果表明,非对称分布的次级声源容易激起管壁振动,进而带动障板振动,导致有源消声效果不佳;采用对称分布的次级声源可使低频段的降噪量提高10 dB以上。复合有源控制可进一步提升全频段的控制效果。通过增加振动误差传感器数量,可使绝大多数频点的降噪量提高1~20 dB不等。此外,在管壁上布放的两圈次级力源的间距小于管壁振动波长的1/4,且都不位于管壁振动节点附近时控制效果更好。 相似文献
22.
单偏振光纤激光器的研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
单偏振光纤激光器已成功应用于光纤传感、光纤陀螺和相干通信等领域。在阐述了光纤激光器机理和偏振理论的基础上,综述了光纤激光器基于保偏光纤、偏振控制器以及光纤布拉格光栅(FBG)等技术实现单偏振输出的方法以及近年来的研究进展,并对其进行了对比分析,提出相应的改进方案。 相似文献
23.
回顾了SiC单晶的发展历史,总结了目前的发展状况,同时介绍了SiC单晶生长所需要的温场和生长工艺,最后介绍了SiC单晶的加工技术. 通过模拟计算与具体实验相结合的方法,调整坩埚在系统中的位置及优化坩埚设计可以得到理想温场. 近平微凸的温场有利于晶体小面的扩展,进而有利于减少缺陷提高晶体的质量. 由于SiC硬度非常高,对单晶后续的加工造成很多困难,包括切割和磨抛. 研究发现利用金刚石线锯切割大尺寸SiC晶体,可以得到低翘曲度、低表面粗糙度的晶片;采用化学机械抛光法,可以有效地去除SiC表面的划痕和研磨引入的加工变质层,加工后的SiC晶片粗糙度可小于1nm. 相似文献
24.
在国内最先进行了孤子通信的误码测量,成功的将2.5Gb/s的孤子传输了52km,经过连续2小时测量无误码。 相似文献
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28.
SiC是宽带隙半导体材料的典型代表,具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不但可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料,同时又是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一,因此高质量、大直径SiC单晶的生长一直是材料研究领域的热点课题。目前美国的Cree公司在SiC单晶生长领域研发方面起步早、投入大,SiC单晶的直径达到4英寸,处于领先地位。我国在“十五”期间投入了一定的人力、物力进行了SiC单晶生长的研究,在生长2英寸SiC单晶的工作中取得了一定的成绩[1],但更大直径的SiC单晶生长技术进展缓慢,至今未见国内报道。而对… 相似文献
29.
6H-SiC衬底片的表面处理 总被引:1,自引:0,他引:1
相比于蓝宝石,6H-SiC是制作GaN高功率器件更有前途的衬底.本文研究了表面处理如研磨、化学机械抛光对6H-SiC衬底表面特性的影响.用显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、卢瑟福背散射谱表征了衬底表面.结果表明经过两步化学机械抛光后提高了表面质量.经第二步化学机械抛光后的衬底具有优异的表面形貌、高透射率和极小的损伤层,其表面粗糙度RMS是0.12nm.在该衬底上用MOCVD方法长出了高质量的GaN外延膜. 相似文献
30.
汞离子在微生物的作用下可转化为易在生物体内积累的甲基汞,最终对人体造成损伤.因此,开发对废水中汞离子富集检测的异相传感器是监测控制水中重金属汞污染的关键.本文通过将水热反应合成的氮硫-碳点与水凝胶自组装制备了一种集富集检测一体化的荧光水凝胶.通过扫描电子显微镜(SEM)、傅里叶转换红外光谱(FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)、透射电子显微镜(TEM)等手段对AAH进行表征,结合静态吸附法研究了不同pH、温度、时间以及多种重金属离子共存等实验条件下AAH对Hg2+的富集能力,并且通过荧光分析法研究了AAH对Hg2+的检测能力.实验结果表明, AAH的多孔结构和丰富的化学基团对Hg2+显示出良好的富集能力,最大吸附容量为606.06 mg/g.此外,通过荧光分析法研究了AAH对Hg2+的检测能力,分析结果表明AAH中的氮硫-碳点对Hg2+表现出了灵敏的荧光响应能力和高选择性.综上所述, AAH将在汞离子的富集监测等环境领域具有潜在的应用前景. 相似文献