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研究了选区激光熔化成形的GH3536合金的沉积态以及热处理后的微观组织特征,并对比不同冷却方式对微观组织和高温拉伸性能的影响。通过不断优化GH3536打印参数可知,激光功率大会产生严重溅射问题,激光功率小会产生孔隙,确认最优功率范围在50~70 J/mm3,最佳打印参数为:激光输出功率为170 W,最大扫描速度为1 060 mm/s,最大扫描间隔为0.08 mm,层厚30μm,层间扫描转角67°,合金致密度可达99.97%。1 175℃保温30 min经过水冷、空冷和炉冷三种冷却方式,合金内部发生再结晶,炉冷条件下,晶界处有一定量的碳化物析出;水冷条件下,晶体内部有退火孪晶生成。通过855℃高温拉伸试验,3种冷却方式下得到的断裂拉伸率均超过25%。炉冷条件下,因为从奥氏体晶界处析出的碳化物增加了晶界,从而增加了GH3536的温度高塑性,因此拉伸率最好,达到了29%。该热处理制度有效改善了沉积态GH3536高温塑性差的问题,为航空航天器燃烧室零部件的应用提供了可靠的方案。 相似文献
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2001年合肥上空大气臭氧的分布特征分析 总被引:3,自引:3,他引:0
对L625差分吸收激光雷达2001年的臭氧观测数据进行了处理和分析,观测结果表明:合肥上空高度5~45 km区间,臭氧厚度0.264×10-5 km,峰值高度海拔24.9 km,峰值大小4.3677×1012 cm-3.不同高度的臭氧数密度具有明显的季节特征,35 km、30 km和25 km高度的臭氧数密度变化特征表现为夏季数密度高,冬季数密度低.20 km、15 km和10 km高度的臭氧数密度的变化特征表现为冬春季数密度高,秋季数密度低.臭氧层峰值高度夏秋季高,冬春季低. 相似文献
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运用电光采样技术揭示了反应离子刻蚀(RIE)ZnTe晶体表面THz辐射的光学整流产生机制, 观察到0.25 ps的THz场分布.通过比较刻蚀前后以及不同刻蚀条件下ZnTe样品在不同激发功 率下的THz辐射强度,发现由于反应离子刻蚀破坏了ZnTe样品表面的有序性,晶体的电光系 数随射频功率的增加而减小.借助于计算不同刻蚀条件下ZnTe晶体的频率响应函数,分析了 随射频功率增加ZnTe晶体响应频谱展宽的现象.
关键词:
THz辐射
反应离子刻蚀
ZnTe 相似文献
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Monodisperse Au-Fe 3 O 4 heterodimeric nanoparticles (NPs) were prepared by injecting precursors into a hot reaction solution.The size of Au and Fe 3 O 4 particles can be controlled by changing the injection temperature.UV-Vis spectra show that the surface plasma resonance band of Au-Fe 3 O 4 heterodimeric NPs was evidently red-shifted compared with the resonance band of Au NPs of similar size.The as-prepared heterodimeric Au-Fe 3 O 4 NPs exhibited superparamagnetic properties at room temperature.The Ag-Fe 3 O 4 heterodimeric NPs were also prepared by this synthetic method simply using AgNO 3 as precursor instead of HAuCl 4.It is indicated that the reported method can be readily extended to the synthesis of other noble metal conjugated heterodimeric NPs. 相似文献
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本刊讯四川移动公司总经理简勤于2012年12月31日发表新春贺词,衷心感谢省委、省政府和省级各部门、各级地方党委政府、兄弟公司、合作伙伴以及全体客户朋友对中国移动四川公司的关心支持。简勤表示,2012年是公司发展史上具有里程碑意义的 相似文献
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He-Ne激光对小麦DNA UV-B损伤修复的影响 总被引:7,自引:4,他引:7
研究并分析了He-Ne激光对小麦DNA UV-B损伤修复的影响和机理,以探明激光对UV-B损伤修复的影响途径及机制。结果表明,小麦对增强UV-B辐射损伤具有一定的切除修复能力,切除修复的高峰期发生在UV-B辐射后4~6h内;He-Ne激光主要通过促进小麦的切除修复途径影响小麦对 UV-B损伤的修复,在对损伤DNA的切除及DNA的修复合成两方面均有不同程度的促进作用,其切除高峰期发生在UV-B辐射后4~6h;DNA的修复合成高峰期在辐射后6~7h。 相似文献