顶发射白光OLED器件制备及其色坐标漂移机制研究

采用了高反射率金属Al和电化学性能稳定的金属Mo,在硅基底上制备了多层结构的 Al/Mo/MoO₃阳极,并研究了不同MoO₃厚度下多层阳极的反射率。在此基础上,通过发光层共掺杂制备了顶部发光OLED器件,并对器件发光机制进行了系统研究和分析。实验结果表明：采用发光层共掺杂制备的顶部发光OLED器件的色坐标,随电流密度或电压的增加而发生漂移;OLED器件色坐标漂移的原因是三基色发光强度随电流密度的增加,逐渐偏离了形成白光(0.33, 0.33)所需三基色强度比例值,导致了OLED器件的色坐标发生了漂移,其机制是发光层中主-客之间能量转移和陷阱共同作用的结果。进一步研究发现,在不同电压下,红光发光强度随驱动电压(或电流密度)增大而线性地减小。     

高均匀度LED背光源的设计

本文介绍了一种将点光源的LED经散射而使之成为面光源的一种思路。设计采用将反射器和散射图案用作为LED点光源以提高LED背光源的均匀性。从尺寸为45×40×1mm带三个白光LEDs的边缘发光背光源中得到了84．24％的均匀度。     

PC机串行口扩展1-WIRE总线设备

1-WIRE总线是利用一根数据线进行双向数据传输的通信协议。一般的设备或控制器都不带有1-WIRE接口，因此设计了一个接口电路，利用PC机串行口，以电平转换芯片MAX233A将232电平转换成TTL电平，连接RS232串行口与1-WIRE总线．并且采用直接从串口取电的方法为整个电路供电，以简化硬件电路；在软件上采用波形模拟的方法，即通过改变串行通信的波特率与数据位个数来输出不同宽度的脉冲，达到利用串行口输出与1-WIRE总线要求一致的操作时隙，驱动1-WIRE总线设备进行通信。最后编写了最基本的一些驱动程序。此设计为不同通信协议的转换提供了新的思路。     

Littelfuse发布新款IGBT和整流器二极管模块

正Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,日前宣布为其功率控制半导体系列新添两款产品。新的半桥电路IGBT模块提供符合行业标准的S、D或WD封装和最高1200V、600A的额定值,能够可靠、灵活地提供依托现代IGBT技术的高效而迅速的开关速度。此类产品设计用于多种功率控制应用,包括交     

凌力尔特推出300MHz至6GHz有源下变频混频器LTC5577

正2014年1月30日,凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出300MHz至6GHz有源下变频混频器LTC5577,该器件具有卓越的+30dBmIIP3(输出三阶截取)和0dB转换增益。LTC5577能够在很宽的频率范围内工作,用一个器件就可涵盖从450MHz到3.6GHz的全部蜂窝频段。此外,其IF     

AVX发布高方向性0302尺寸的薄膜耦合器

正AVX发布其高方向性0302尺寸的薄膜耦合器为无线频带应用,包括全新紧密度容差0302尺寸的零件,现在可通过经销商购买。该无线频带耦合器采用多层集成薄膜(ITF)技术,在无线电频谱(2,400-5,905MHz)让微型零件表现出优良的高频率性能并为可靠的自动装配提供牢固结构。AVX的无线频带耦合器可供0302,0402和0603尺寸,都表现出一样的电气性能,以及采用连接盘网格阵列(LGA)封装技术,优点包括:固有的低高度、在回流时自对准、优良可焊性、地寄生效应和有效的热散特性。     

大气电场仪中相敏检波器的分析与设计

针对大气电场探测中电场极性的鉴别问题,基于传统相敏检波理论,结合大气电场仪探头的结构特点,设计了一种由光电开关、四通道模拟开关和运放构成的相敏检波器.把该检波器应用于大气电场仪中,与低通滤波器结合能有效地鉴别被测电场极性.同时,分析了相敏检波器输入信号的同相问题,给出传感器的角度调整范围.通过在电场仪中的实际应用,说明了该检波器调试方便,性能稳定,灵敏度高.     

溶胶-凝胶提拉法制备Mgx Ni1-xO薄膜与表征

利用溶胶-凝胶提拉法在石英玻璃衬底上制备出吸收边波长位于地球表面太阳光谱日盲区(240～280nm)内的MgxNi1-xO薄膜.XPS和XRD结果显示,MgxNi1-xO在1000℃下形成具有立方结构的固溶体;紫外-可见吸收谱结果表明,MgxN1-xO吸收边随着Mg含量的变化而发生改变,当Mg含量x在0.2～0.3之间时,薄膜的吸收边波长在248～276nm范围内可调;光电响应测试结果表明,MgxNi1-xO薄膜(x=0.3)对太阳光不敏感,而对波长为254nm的紫外光具有很好的光电导特性,光照前后薄膜电阻变化率达40%,因此,我们可以认为MgxNi1-xO(x=0.2～0.3)薄膜材料有望应用于日盲区的紫外探测.     

利用固相反应法在硅片上制备硅酸锌发光薄膜及表征

采用与硅集成工艺相兼容的固相反应方法在硅衬底上制备了未经掺杂及掺锰的硅酸锌薄膜.XRD测试和UV-Vis吸收谱测试证明在高于880℃的温度下热处理,可以获得结晶状态很好的硅酸锌薄膜.光致发光光谱分析表明,未掺杂的薄膜在紫外波段有较弱的发射,而掺锰的硅酸锌薄膜在可见光波段有很强的光致发射.由于硅酸锌薄膜在高温下非常稳定,可以与硅集成电路工艺兼容,而且发光强度高,因此在制作硅基光电集成器件方面有非常大的应用前景.