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61.
红外吸收法测定N型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶片的P型夹杂   总被引:1,自引:1,他引:0  
提出了一种用室温红外吸收方法测定N型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶片中P型夹杂程度的简单方法。  相似文献   
62.
一种天文/惯性/GPS/激光测距组合应用方案分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
季必达  冯惠兰 《导航》2001,37(2):83-91
S938昼夜星体跟踪器加装激光测距仪,构成一种天文/惯性/GPS激光测距的组合测量基准,以达到精确天文定位、精确差分GPS定位、精确天文定向、测岸标定向、测量船的东向速度、北向速度和合成速度以及激光测距和观察海空目标的目的。文中还进行了系统原理描述和误差分析与工程实现可行性分析。  相似文献   
63.
本文主要论述了某高炮火控雷达X波段信号处理子系统中MTI数字滤波的设计及其计算机辅助分析和CPLD实现。  相似文献   
64.
含金属芯压电纤维(MPF)是一种新型的压电功能元件,该文将其应用于超声Lamb波的传感.该文简述了其传感特性、研究现状,建立了一套基于MPF的兰姆(Lamb)波主动监测系统,实验研究并分析了MPF对Lamb波的传感特性.实验结果表明,MPF作为Lamb波传感器是可行的,且其对Lamb波的传感具有很强的方向性,随着Lamb波传播方向与MPF轴向夹角的增大,信号的峰值单调递减.当激励信号频率为160 kHz时,沿MPF轴向激励时信号幅值约为垂直于MPF轴向时的5倍.  相似文献   
65.
小波变换轮廓术的测量范围研究   总被引:2,自引:1,他引:2  
利用小波“脊”处的小波系数来提取变形条纹中的相位信息可以在很大程度上抑制条纹图中有用的基频分量与零频和其它谐波频率分量的混叠,弥补了傅里叶变换轮廓术的不足。从离散信号频域分析角度,推导了变形条纹小波变换的频谱描述形式,讨论了其测量范围,包括结构条件和抽样条件。结果表明,只有在无周期内瞬时频谱混叠,即任意位置处物体瞬时高度变化满足h/xx=b<1/3条件时,和不存在抽样引起的周期间瞬时频谱混叠的抽样条件下(即一个周期内的抽样点数m≥4时),小波变换轮廓术才能正确恢复被测物体的三维面型。计算机模拟和实验验证了该结论。  相似文献   
66.
下电极对ZnO薄膜电阻开关特性的影响   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
李红霞  陈雪平  陈琪  毛启楠  席俊华  季振国 《物理学报》2013,62(7):77202-077202
本文采用直流磁控溅射法在三种不同的下电极(BEs)上制备了ZnO薄膜, 获得了W/ZnO/BEs存储器结构. 研究了不同的下电极材料对器件电阻开关特性的影响. 研究结果表明, 以不同下电极所制备的器件都具有单极性电阻开关特性. 在低阻态时, ZnO薄膜的导电机理为欧姆传导, 而高阻态时薄膜的导电机理为空间电荷限制电流. 不同下电极与ZnO薄膜之间的肖特基势垒高度对电阻开关过程中的操作电压有较大的影响, 并基于导电细丝模型对不同下电极上ZnO薄膜的低阻态阻值及reset电流的变化进行了解释. 关键词: ZnO薄膜 电阻开关 下电极  相似文献   
67.
卢有祥 《光电技术》2006,47(1):31-34
本文提出了一种在色序显示中LED背光源的功率小型化技术。在通过以略化LED背光源来降低其功耗的同时,以保持相同图像逼真度的方法来保持图像质量,上述图像逼真度是通过按比例调节LCD透射率。以提高图像亮度及对比度来获取的。  相似文献   
68.
在采用功率芯片集成产品时,往往要求热阻小,可靠性高.在这方面,真空共晶技术与传统的芯片贴装方法如环氧粘结或者手动氮气保护共晶技术相比更具优势.分析了真空环境对共晶焊接的影响,同时对影响真空共晶焊接的工艺因素进行了剖析,通过这些因素的控制,可以得到无空洞的焊接.同时给出了真空共晶技术可能的应用.  相似文献   
69.
利用溶胶-凝胶提拉法在石英玻璃衬底上制备出吸收边波长位于地球表面太阳光谱日盲区(240~280nm)内的MgxNi1-xO薄膜.XPS和XRD结果显示,MgxNi1-xO在1000℃下形成具有立方结构的固溶体;紫外-可见吸收谱结果表明,MgxN1-xO吸收边随着Mg含量的变化而发生改变,当Mg含量x在0.2~0.3之间时,薄膜的吸收边波长在248~276nm范围内可调;光电响应测试结果表明,MgxNi1-xO薄膜(x=0.3)对太阳光不敏感,而对波长为254nm的紫外光具有很好的光电导特性,光照前后薄膜电阻变化率达40%,因此,我们可以认为MgxNi1-xO(x=0.2~0.3)薄膜材料有望应用于日盲区的紫外探测.  相似文献   
70.
正日本的机械电子及电子技术展会"TECHNO-FRONTIER2014"上,各国企业纷纷展示了使用硅基板的GaN功率元件,从中可以看出GaN功率元件的生态系统不断扩大的趋势。加拿大的GaNSystems公司展出了耐压650V、电流容量高达100~200A的常闭型GaN功率晶体管。而目前市场上的GaN功率晶体管大多不到40A。100A以上的大电流产品瞄准的是汽车用途。实际上,GaNSystems公司已在汽车相关厂商聚集的日本爱知县名古屋市设立了日本事务所。该公司打算在今后大力开拓包括汽车领域在内的日本市场,作为其中的一环,该公司首  相似文献   
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