金在SiO_2-Si界面效应的物理化学模型

金在硅体内的性质早为人们所熟悉并在一系列硅器件和集成电路中得到了广泛的应用.然而,对金在SiO_2-Si界面性质的研究则是近些年才开始的,并且现在还没有完整的图象.大家知道,实际硅器件(包括集成电路)表面,总是有一个SiO_2-Si体系,该体系性质好坏对器件性能,可靠性及稳定性影响极大.体系的好坏取决于多种因素;如界面态的多少及其能量分布,氧化膜或表面上电荷所生电场的大小及方向以及硅界面处施     

SiO_2/Si界面质量的特征性表示及与管芯成品率的关系

SiO_2/Si界面的一个重要特征是氧空位(或过剩硅离子)和离化施主型界面态这两类主要结构(化学)缺陷所产生的界面正电荷。鉴于金在界面处引入的负电荷对这些固有正电荷的有效补偿,就使得引入金以控制界面净电荷密度成为一个有价值的方法。     

固定电荷的变化对界面态的影响及掺金Si/SiO_2界面的电子能谱分析

文中描述了Si/SiO_2界面固定电荷对界面态的影响。考查了低温氢退火对Si/SiO_2界面特性的改善效果。同时还给出了界面电子能谱(AES和ESCA)时分析结果。     

3C-SiC/Si异质结二极管的高温特性

研究了低压化学气相淀积方法制备的n-3C-SiC/p-Si(100)异质结二极管(HJD)在300～480K高温下的电流密度-电压(J-V)特性.室温下HJD的正反向整流比(通常定义为±1V外加偏压下)最高可达1.8×104,在480K时仍存在较小整流特性,整流比减小至3.1.在300K温度下反向击穿电压最高可达220V.电容-电压特性表明该SiC/Si异质结为突变结,内建电势Vbi为0.75V.采用了一个含多个参数的方程式对不同温度下异质结二极管的正向J-V实验曲线进行了很好的拟和与说明,并讨论了电流输运机制.该异质结构可用于制备高质量异质结器件,如宽带隙发射极SiC/Si HBT等.     

静电感应晶体管大电流特性的改善

描述了改善静电感应晶体管(SIT)大电流特性的新方法. 首次定义了从不同角度表征SIT电特性的重要因子,如单位沟道宽度跨导、栅效率、灵敏度因子和本征静电增益. 从理论和工艺实践上研究了这些因子与几何结构之间的关系,揭示了器件电性能对几何结构和工艺参数的依赖关系. 设计建立了SIT频率参数和功率参数测试方法和电路,深入讨论了封装工艺对SIT电性能的影响.     

多条小间距扩散结横向扩散比例的测量

用磨角法测量扩散结深和横向扩散比例将遇到来自两方面的误差影响；斜角的影响和结面交连的影响。斜角的影响是主要的但往往被忽视，结面交连的影响在两结十分靠近且结深较大时比较明显，对静电感应器件而言更是如此，二者匀使测量结果的误差和数据的离散性偏大。斜角的影响表现在使测得的横向扩散比例减小，甚至是成倍地减小。     

埋栅型电力静电感应晶闸管的Ⅰ-Ⅴ特性反向转折机理

研究了静电感应晶闸管的反向转折特性.当工作在正向阻断态的阳极电压增大到某一临界值时,静电感应晶闸管的Ⅰ-Ⅴ曲线呈现出反向转折特性,甚至转向导通态.在综合考虑了工作机理、双注入效应、空间电荷效应、沟道中的电子-空穴等离子体和载流子寿命变化的基础上分析了静电感应晶闸管的反向转折特性.首次给出了反向转折机理的理论解释,并给出了估算转折电压和电流的数学表达式,在常用工艺参数范围内,计算结果和实验测量值基本一致.     

静电感应晶闸管在阻断态时的SIT-BJT等效工作模型

提出了一种描述静电感应晶闸管在阻断态时的工作机理的SIT-BJT等效模型.在器件物理的基础上,分析得到的这个模型衔接了静电感应晶闸管的物理参数和结构参数,而且给出的数值分析和理论分析证明了这个模型的正确性.在该模型的基础上,讨论了势垒、阳极结的电势降落和电流的放大因子等电参数的变化.     

3C-SiC/Si异质结二极管的高温特性

研究了低压化学气相淀积方法制备的n- 3C- Si C/p- Si(10 0 )异质结二极管(HJD)在30 0～4 80 K高温下的电流密度-电压(J- V)特性.室温下HJD的正反向整流比(通常定义为±1V外加偏压下)最高可达1.8×10 4 ,在4 80 K时仍存在较小整流特性,整流比减小至3.1.在30 0 K温度下反向击穿电压最高可达2 2 0 V .电容-电压特性表明该Si C/Si异质结为突变结,内建电势Vbi为0 .75 V.采用了一个含多个参数的方程式对不同温度下异质结二极管的正向J-V实验曲线进行了很好的拟和与说明,并讨论了电流输运机制.该异质结构可用于制备高质量异质结器件,如宽带隙发射极Si C/Si HBT     

静电感应晶闸管的工艺控制和参数调节

以静电感应晶闸管的长期工艺实践为基础,总结和研究了器件结构参数对ＳＩＴＨ主要性能参数的影响,并分析了其原因,提出了改善ＳＩＴＨ器件性能的工艺和设计方法。