SIT耐压容量的控制和工艺调节

对静电感应晶体管（ＳＩＴ）栅－漏、栅－源击穿民压的控制和工艺调节方法进行了探讨，对栅－源连通和栅－漏耐压的钳位问题进行了分析。     

双极型静电感应晶体管特性转变机理分析

本文对双极型静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）的工作机理进行了二维分析，给出了明确的ＢＳＩＴ从单极作用机制到双转变过程的物理图象。得到了作用机制转变时的栅压、势分布以及载流子和电场分布等的数值计算结果。     

硅／硅直接键合制造双极型静电感应晶体管

用硅/硅直接键合片(SDB)代替了高阻外延片成功地制造了新型电力器件双极型静电感应晶体管(BSIT),正向阻断电压800V以上,漏极输出电流2A,展示了SDB片广阔的应用前景。     

无金和掺金Si-SiO_2界面的氧退火特性

本文从实验上研究了氧退火后无金和掺金两类Si-SiO_2界面表面电荷、界面态以及禁带中态密度分布的热处理变化。考察了金的界面效应的退火行为。还给出了不同温度下干氧氧化所形成的Si-SiO_2界面(包括无金和掺金的)和相同温度下氧退火界面在电性能上的对比结果。     

一种利用势垒型晶闸管（BTH）的负阻特性测量载流子寿命和俘获截面的新方法

提出了一种全新的、具有实际意义的利用势垒型晶闸管（BTH）的负阻特性区段测量载流子寿命和俘获截面的方法。给出了测量方法的基本原理及计算方法。对BTH样管进行了实验测量并对结果进行了分析和比较。     

用SIPOS-SiO2复合层对4H-SiC n+pp+结构钝化的分析

用半绝缘多晶硅（ＳＩＰＯＳ）－ＳｉＯ２复合层作为４Ｈ－ＳｉＣｎ＾＋ｐｐ＾＋结构的钝化层,克服了用多孔碳化硅或单纯用ＳｉＯ２钝化的不足。在ＬＰＣＶＤ淀积ＳＩＰＯＳ层后,用９００℃氧气氛退火代替了平常的热氧化,在ＳＩＰＯＳ层上生长了一层ＳｉＯ２。实际测量证实了这种新方法的合理性,分析了各主要工艺对钝化效果的影响,综合优化指出：在淀积ＳＬＰＯＳ层时,掺氧量要高,而淀积温度不应太高,用此方法钝化的４Ｈ－Ｓ     

埋栅型电力静电感应晶闸管的I-V特性反向转折机理

研究了静电感应晶闸管的反向转折特性．当工作在正向阻断态的阳极电压增大到某一临界值时,静电感应晶闸管的I-V曲线呈现出反向转折特性,甚至转向导通态．在综合考虑了工作机理、双注入效应、空间电荷效应、沟道中的电子一空穴等离子体和载流子寿命变化的基础上分析了静电感应晶闸管的反向转折特性．首次给出了反向转折机理的理论解释,并给出了估算转折电压和电流的数学表达式,在常用工艺参数范围内,计算结果和实验测量值基本一致．     

一种抗辐射加固功率器件──VDMNOSFET

采用 Si3N4- Si O2 双层栅介质及自对准重掺杂浅结 P+区研制出了一种抗辐射加固功率器件—— VDMNOS-FET (垂直双扩散金属 -氮化物 -氧化物 -半导体场效应晶体管 ) .给出了该器件的电离辐射效应及瞬态大剂量辐射的实验数据 ,与常规 VDMOSFET相比获得了良好的抗辐射性能 .对研制的 2 0 0 V VDMNOSFET,在栅偏压 +10 V,γ 总剂量为 1Mrad (Si)时 ,其阈值电压仅漂移了 - 0 .5 V,跨导下降了 10 % .在 γ瞬态剂量率达 1× 10 1 2 rad(Si) /s时 ,器件未发生烧毁失效 .实验结果证明 Si3N4- Si O2 双层栅介质及自对准重掺杂浅结 P+区显著地改善了功率 MOS器件的     

静电感应晶闸管在阻断态时的SIT-BJT等效工作模型

提出了一种描述静电感应晶闸管在阻断态时的工作机理的SIT-BJT等效模型.在器件物理的基础上,分析得到的这个模型衔接了静电感应晶闸管的物理参数和结构参数,而且给出的数值分析和理论分析证明了这个模型的正确性.在该模型的基础上,讨论了势垒、阳极结的电势降落和电流的放大因子等电参数的变化.     

势垒型晶闸管由阻断态向导通态转变过程中的物理效应

深入研究了势垒型晶闸管（BTH）由正向阻断状态向导通状态转变的物理效应和物理本质,指出BTH的“关”态和“通”态是性能相差极其悬殊的两个状态,二态之间实现转变必需经历深刻而复杂的物理变化。详细分析了转折点的性质和特点,指出转折点正是势垒被夷平之处,具有双重性,对空穴的俘获截面及大注入下空穴的寿命有重要的影响使得器件进入深度电导调制;对转变区段负阻特性进行了讨论,用实验数据证实了深度电导调制效应是转变的关键和基本原因,估算了BTH的有效电阻和基区电导率所经历的巨大电导调制;阐明了与转变过程相关的若干物理效应包括：沟道势垒的夷平;双注入的建立和等离子体的形成;高电平注入的实现;空穴寿命随注入的增大;深度基区电导调制;转变过程中注入空穴、注入电子发挥的作用以及栅结耗尽区的消除等。