粉料埋烧的TiO2瓷致密性和微观规整性研究

通过与裸烧工艺的对比实验,研究了粉料埋烧对TiO2陶瓷性能的影响.采用金相显微分析、密度测量、压敏电压测量和介电测量等实验手段,分析了埋烧的作用机理.结果表明,采取粉料埋烧有利于晶粒均匀生长、促使陶瓷致密(密度达4.112 g·cm-3)、降低压敏电压(E10mA=5.4 V·mm-1),同时提高了介电常数(εra=7.61×104).该研究结果为TiO2基低压压敏电阻器的研制探索出一条新途径.     

TiO2压敏陶瓷势垒高度的测定

基于典型的陶瓷工艺制备试样。压敏陶瓷可视为双向导通的二极管,将适用于齐纳二极管的半导体理论应用于TiO2-SrCO3-Bi2O3-SiO2-Ta2O5压敏陶瓷。测量了低压下的电流-电压(I-V)特性,根据lnJs与E1/2关系曲线的拟合直线的的截距得出了TiO2-SrCO3-Bi2O3-SiO2-Ta2O5压敏陶瓷的势垒高度。     

球轴承多体弹性流体动力润滑研究

为准确分析球轴承的润滑性能,对其多个滚动体与外圈间的弹性流体动力润滑(EHL)特性进行了研究. 以深沟球轴承为例,建立了球轴承多个滚动体同时(多体)润滑的EHL模型,基于快速傅里叶变换(FFT)技术和低松弛迭代法对该模型进行求解,研究了多体润滑下中心滚动体的EHL性能,并和仅中心滚动体(单体)与外圈润滑的EHL特性进行了对比. 数值结果表明:与单体润滑相比,多体润滑下中心滚动体的油膜压力减小,二次压力峰向入口区移动. 相对单体润滑的中心膜厚,多体润滑下中心滚动体的中心膜厚会增加;中心滚动体的径向位移由10 μm增大到30 μm时,多体润滑下中心滚动体的承载力相对其单体润滑承载力的下降百分比由5.99%变化到9.70%.      

LiZnVO4添加量对Zn2SnO4系湿敏材料性能的改善

采用共沉淀法制备了Zn2SnO4-LiZnVO4系纳米粉体,考察了液相掺杂LiZnVO4对材料微结构、湿敏性能的影响,分析了材料的复阻抗特性和频率特性。结果表明,适当的LiZnVO4添加量可明显改善Zn2SnO4-LiZnVO4系纳米材料的微结构和感湿特性。采用共沉淀法制备纳米粉体并使LiZnVO4液相掺杂为10%(摩尔分数),可使Zn2SnO4材料具有低湿电阻小、灵敏度适中的湿敏特性,频率特性表明该材料具有较好的频率响应。     

聚乙烯复合导电塑料性能

复合导电塑料;聚乙烯;集流体;钒电池;体积电阻率     

尖晶石LiMn2O4及其衍生物的电化学阻抗特性

尖晶石LiMn2O4(以下简称LMO)是锂离子电池正极材料之一，具有价格低廉，资源丰富的特点。锂离子电池的充放电过程实际上是锂离子从正极脱嵌、再嵌入正极的过程。因此Li^ 在正负极材料及电解液中的扩散性能影响着电池的电性能，通过其电化学阻抗谱可得出锂离子的扩散系数及电导率等参数。     

硅藻壳孔状结构的摩擦学性能研究

鉴于硅藻壳精细的孔状结构和良好的力学性能,选取较为典型的圆筛藻为研究对象,对其摩擦学性能进行了流固耦合分析(FSI).首先建立了圆筛藻壳壁的三维模型,然后应用计算流体动力学理论分析了圆筛藻壳不同孔径、孔深、孔距和速度下,其承载力(抵抗水压的能力)、摩擦力和摩擦系数等性能,并将该结构与无孔结构性能对比.结果表明:相对于无孔壳,硅藻壳的精细孔状结构可以增大其承载力,减小其与水环境间的摩擦.且在选取的尺寸范围内,随着硅藻壳体孔径或孔深的增大,其承载力增大,摩擦系数减小.     

粉料埋烧的TiO2瓷致密性和微观规整性研究

通过与裸烧工艺的对比实验,研究了粉料埋烧对TiO2陶瓷性能的影响.采用金相显微分析、密度测量、压敏电压测量和介电测量等实验手段,分析了埋烧的作用机理.结果表明,采取粉料埋烧有利于晶粒均匀生长、促使陶瓷致密(密度达4.112 g·cm-3)、降低压敏电压(E10mA=5.4 V·mm-1),同时提高了介电常数(εra=7.61×104).该研究结果为TiO2基低压压敏电阻器的研制探索出一条新途径.     

三角星状CeO2微结构的合成与表征

以CeCl3·7H2O作为铈源、碳酸氢铵作为沉淀剂、乙二胺作为络合剂,采用水热法制备了三角星状二氧化铈微结构.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)、拉曼光谱(Raman)、荧光分光光度计(PL)、紫外可见近红外分光光度计(UV-Vis)和综合物性测量系统(PPMS)等对此CeO2样品的晶相、形貌、表面化学组分、缺陷、光学和磁学性质做了相关研究,分析并提出了三角星状二氧化铈微结构生长机理.结果表明,制备的CeO2具有室温铁磁性,其室温铁磁性与样品中Ce3和氧空位有关.样品对波长小于400 nm的紫外光有很强的吸收,但对波长大于400 nm的可见光有很好的透过性,这表明样品能很好的用做紫外吸收剂.     

退火温度对TiO2薄膜结构、组分和光学性能的影响

利用射频磁控溅射,在硅和石英基底上制备了厚度为150 nm的TiO2薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)、紫外可见分光光度计(UV-vis)和光致发光谱(PL)等多种测试分析技术,研究退火温度对TiO2薄膜结构、组分及光学性能的影响.研究结果表明,未退火薄膜为无定型结构;随着退火温度的升高薄膜的金红石相含量逐渐增加,并沿(110)晶面择优取向.能隙也由退火前的3.03 eV逐渐增加到900℃退火后的3.18eV.对于TiO2薄膜催化活性最优的退火温度应为800℃.