奇怪的算术《3×3=2》

3+3+3=2;6+3=2,这是笑話嗎?不,这是完全真实的一个真理。确实有这样一些算术:6+3=2;3×4=5;3÷4=6,这些奇怪的等式,是在所谓“残数算术”中出現的。应用这个算术我們能够很快地根据已知数算出过200年后或是300年前的某一天是星期几。在这个算术中的残数可以看成是一个特别的数列。在普通算术中,自然数1,2,3,……有无限多个,它們是用来数有順序的东西的。例如,数书的頁数;铁路的公里牌;紀元年次(1960,1961,……);排队的报数等等。但是要数站成一个圓圈的七个人却不是用的     

等离子体对90nm工艺MOS器件的损伤

研究了等离子体工艺对90nm铜大马士革工艺器件的损伤.对nMOSFET和pMOSFET分别进行了HCI和NBTI应力实验,实验结果证明天线比仍是反应等离子体损伤重要的标准且通孔天线结构器件的损伤最大,并从通孔刻蚀工艺过程中解释其原因.     

超薄栅下LDD nMOSFET器件GIDL应力下退化特性

对1.4nm超薄栅LDD nMOSFET器件栅致漏极泄漏GIDL(gate-induced drain leakage)应力下的阈值电压退化进行了研究.GIDL应力中热空穴注进LDD区界面处并产生界面态，这导致器件的阈值电压变大.相同栅漏电压V_DG下的不同GIDL应力后阈值电压退化量的对数与应力V_D/V_DG的比值成正比.漏偏压V_D不变的不同GIDL应力后阈值电压退化随着应力中栅电压的增大而增大，相同栅偏压V_G下的不同GIDL应力后阈值电压退化也随着应力中漏电压的增大而增大，这两种应力情形下退化量在半对数坐标下与应力中变化的电压的倒数成线性关系，它们退化斜率的绝对值分别为0.76和13.5.实验发现器件退化随着应力过程中的漏电压变化远大于随着应力过程中栅电压的变化. 关键词： 栅致漏极泄漏 CMOS 阈值电压 栅漏电压     

交叉极化—α-LiIO_3单晶~7Li NMR线形的一种快速测量方法(英文)

非常纯净的α-LiIO_3单晶具有很长的自旋-晶格弛豫时间.本文讨论了外磁场下α-LiIO_3单晶的~7Li和~(127)I核能级,提出了利用交叉极化技术实现α-LiIO_3单晶~7LiNMR线形快速测量的一种方法,使测量时间缩短了三个数量级.     

核磁共振成象及其在医学中的应用

在医学上需要从外部观察人体的内部情况,最常用的是X射线照相(透视).七十年代发展了计算机X射线断层照相术(简称CT扫描).目前国内外许多大医院已配备了X射线CT扫描仪.制成世界上第一台X射线CT扫描仪的G.M.Housfield和早期作过重要贡献的A.M.Cormack分享了1979年生物学医学诺贝尔奖金.X射线对人体组织稍有损伤,而射频电磁波既能穿透人体又不引起人体损伤.核磁共振成象就是用射频电磁波作为射线源实现人体透视的方法. 一、核磁共振基础[1,2] 核磁共振是原子核在恒定磁场中对电磁波产生的共振吸收或辐射现象. 许多原子核具有自旋特性.每…     

L—FUZZY拓扑空间中几种紧性

本文在L－fuzzy拓扑空间中引进了几种不同的具有有限交性质的闭集族，并以此刻划了良紧空间、强F紧空间和F紧空间的特征。另外，对F紧空间还给出了复盖式以及远域族式的刻划。     

中波大功率广播发射机避雷器的改进

1.前言近来由于有了高技术基础上研制出来的器件,固体化中波广播发射机制造出来了,中波发射机的可靠性大大得到提高。但中波发射台的天线塔容易受到雷击引起的高压脉冲     

Fe_2O_3+MgO+K_2CO_3湿敏陶瓷材料性能的研究

研究了Fe_2O_3-MgO-K_2CO_3湿敏陶瓷材料的成分、工艺、组织与性能,对测得的“湿度—电阻”数据进行了数学分析,从中选出最佳成分与工艺。利用XRD、SEM及能谱分析等测试手段对试样的相组成、相结构、晶粒度、气孔率以及成分进行了观察、测试和半定量分析,并讨论了它们对湿敏特性的影响。结果表明,该铁基湿敏陶瓷材料具有固有阻值低、阻值变化范围大和线性度好等优点。     

氟碳钙铈矿衍生多晶体的高分辨电镜研究

氟碳钙铈矿衍生多晶体的高分辨电镜研究吴秀玲，孟大维，杨光明，潘兆橹（中国地质大学测试中心，武汉４３００７４）（中国科学院金属研究所固体原子像实验室，沈阳）氟碳钙铈矿（ＢＳ）是钙─铈氟碳酸盐系列矿物中的重要成员，具三方（Ｒ）对称，化学组成为Ｃｅ＿２Ｃａ...     

Car、chla之间的敏化荧光研究

本文通过类胡罗卜素(Car)、叶绿素A(chla)之间的敏化荧光研究,估算了能量供、受主之间的传递效率,讨论了能量受主浓度对传递效率的影响及其相互作用类型。