无制冷高速直调1.5 μm AlGaInAs-InP DFB激光器

利用AlGaInAs-InP应变多量子阱(MQW)材料导带偏移量大的特点,制作了基于AlGaInAs-InP材料的无制冷脊波导分布反馈式(DFB)激光器.为提高器件调制速度,制作了2 μm宽的脊波导结构,并在脊波导两侧填充1.5 μm厚的SiO2层,从而有效降低器件寄生电容.室温条件下,DFB激光器典型阈值为15 mA,特征温度达88 K,边模抑制比大于50 dB,3 dB小信号调制响应带宽超过15 GHz.     

10 Gb/s电吸收调制器的微波封装设计

在高速光电子器件的微波封装过程中，需要综合考虑封装寄生参数和芯片寄生参数对器件高频性能的影响。利用封装寄生参数对芯片寄生参数的补偿作用，成功实现了10Gb／s电吸收调制激光器（EML）的高频封装。通过封装前后芯片和器件的小信号频率响应测试结果对比，器件的反射参数和传输参数有所改善，3dB带宽达到10GHz；并进行了10Gb／s速率的光纤传输实验，经过40km光纤传输后通道代价不到1dBm（误码率为10^-12），满足10Gb／s长距离光纤传输系统的要求。     

光纤通信用半导体激光器

半导体激光器是光纤通信用的主要光源,由于光纤通信系统具有不同的应用层次和结构,因而需要不同类型的半导体激光器。文章根据目前光纤通信系统的发展趋势,介绍几种典型的光纤通信用半导体激光器件———法布里-珀罗激光器、分布反馈半导体激光器、电吸收型调制器集成光源、波长可选择光源、垂直腔面发射激光器的特点和发展方向。     

不同AlGaN层厚度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的静态特性

利用金属有机化合物气相外延技术研究了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的外延生长及器件制作,重点比较了具有不同AlGaN层厚度的HEMT器件的静态特性.实验发现具有较薄AlGaN隔离层的结构表现出较好的器件特性.栅长为1μm的器件获得了650mA/mm的最大饱和电流密度和100mS/mm的最大跨导.     

高In组分InxGa1－xN/GaN多量子阱材料电致荧光谱的研究

研究了高In组分In_xGa_1-xN/GaN（x≈30%）多量子阱（MQWs）结构 发光二极管样品在不同注入电流下的电致荧光（EL）谱及反常的双峰现象.结果表明：有源区 内建电场在外界电流注入条件下逐渐受屏蔽，这一效应在高In组分In_xGa_{1 -x}N/GaN MQWs材料的发光复合机理中占有重要地位. 关键词： xGa_1-xN/GaN多量子阱')" href="#">In_xGa_1-xN/GaN多量子阱 电致荧光谱 内建电场     

基于Al2O3中间层的InP/SOI晶片键合技术研究

研究了基于Al2O3中间层的InP/SOI晶片键合技术.该方案利用原子层沉积技术在SOI晶片表面形成Al2O3作为InP/SOI键合中间层,同时采用氧等离子体工艺对晶片表面进行活化处理.原子力显微镜和接触角测试结果表明,氧等离子体处理使得晶片的表面特性更适于实现键合.透射电子显微镜和X射线能谱仪测试结果证实,采用Al2O3中间层可以实现InP晶片与SOI晶片的可靠键合.     

发光量子阱对波长上转换红外探测器效率的影响

波长上转换红外探测器在实现大面阵、低暗电流红外探测方面具有很大的发展潜力.短波长光子的发光效率是影响上转换器件效率的重要因素.设计、制作了具有不同发光阱个数的波长上转换红外探测器件,结合器件的红外响应和仿真计算,分析了发光阱个数对波长上转换效率的影响规律.研究结果表明,选择单个发光阱,有利于提高器件的发光效率,从而提高波长上转换效率.     

高速InP基半导体电光调制器行波电极结构研究

对PIN型和NIN型两种InP基Mach-Zehnder电光调制器的电极结构进行了数值仿真研究,从而确定出适于这两种电光调制器的行波电极结构。仿真结果表明,NIN型电光调制器可采用简单的单臂类微带电极,而PIN型电光调制器需采用周期容性负载电极,以达到良好的阻抗匹配特性和传输特性。进一步地,提出了将串联推挽式行波电极结构应用于PIN型电光调制器,可以简化制作工艺并获得良好的微波特性。     

基于等离子体增强化学气相沉积技术的光电子器件多层抗反膜的设计和制作

针对光电子器件端面抗反镀膜的要求,研究了基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术的多层抗反膜的设计和制作.首先,对影响SiN_x折射率的因素进行了实验研究,确定了具有大折射率差的SiO₂/SiN_x材料的PECVD沉积条件.根据理论计算分析,设计了四层SiO₂/SiN_x抗反膜结构,能够在70 nm的波长范围内实现低于10^-4的反射率     

S-T-B流型判别方法

通过分析气相、液相、管壁之间的关系,将气液混输管道中的流型划分为五种,并总结了各流型的特点及气液相和管壁间的几何关系;在对Baker、Brill、Beggs-Brill、Taitel、段塞特征分析(SCA)等流型判别方法进行分析的基础上,提出了一种综合使用SCA、Taitel和Brill三种方法的流型判别方法—S-T-B法。经算例验证,该方法对气液两相混输的流型判断准确性较高,可以作为气液混输工艺计算过程中确定流型的方法。