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提出了一种新型低成本硅基过渡热沉,用以实现高达40Gb/s的高速光电子器件封装.采用高阻硅衬底作为热沉基底,制作出了0~40GHz范围内传输损耗小于0.165dB/mm的共面波导传输线.热沉中采用Ta2N薄膜电阻作为负载以实现器件的阻抗匹配,达到了0~40GHz范围内低于-18dB的宽带低反射特性.和传统硅基平台相比,新型硅基热沉更具有制作工艺简单、导热性能良好等优点.为了证明其实用性,热沉被应用于高速电吸收调制器的管芯级封装测试,获得了超过33GHz的小信号调制带宽特性,在硅基热沉上首次实现可用于40Gb/s系统的光电子器件. 相似文献
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对利用同一外延层结构实现DFB激光器与EA调制器的集成机理进行了理论分析,指出该集成方法有可能获得激光器激射波长与调制器工作波长之间的良好匹配.在理论分析的基础上,研制出了基于同一外延层结构的高速集成光源,该器件具有良好的静态特性,并达到了约8GHz的小信号调制带宽. 相似文献
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对利用同一外延层结构实现DFB激光器与EA调制器的集成机理进行了理论分析,指出该集成方法有可能获得激光器激射波长与调制器工作波长之间的良好匹配.在理论分析的基础上,研制出了基于同一外延层结构的高速集成光源,该器件具有良好的静态特性,并达到了约8GHz的小信号调制带宽. 相似文献
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A back-illuminated mesa-structure InGaAs/InP charge-compensated uni-traveling-carrier(UTC) photodiode(PD) is fabricated,and its saturation characteristics are investigated.The responsivity of the 40-μmdiameter PD is as high as 0.83 A/W,and the direct current(DC) saturation current is up to 275 mA.The 1-dB compression point at the 3-dB cutoff frequency of 9 GHz is measured to be 100 mA,corresponding to an output radio frequency(RF) power of up to 20.1 dBm.According to the calculated electric field distributions in the depleted region under both DC and alternating current(AC) conditions,the saturation of the UTC-PD is caused by complete field screening at high optical injection levels. 相似文献
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分布反馈式半导体激光器/电吸收型调制器单片光子集成器件的理论分析 总被引:1,自引:1,他引:0
本文通过计算比较了分别采用普通折射率耦合型(IC)、λ/4相移折射率耦合型(QWS)及增益耦合型(GC)DFB激光器作为光源部分的激光器/调制器光子集成器件的单模选择能力、调制频移及单端光输出功率等特性,在该类型集成器件的特性分析中考虑了端面反射率任意相位的影响并对此进行了统计分析.GC型器件的调制频移特性与IC及QWS型器件基本相同,而GC型器件的单模选择能力比IC和QWS型器件高得多,特别在HR-AR镀膜情况下,单端光输出效率大为提高,且考虑到GC型器件无需在光栅制作中引入相移带来的制作工艺上的简化 相似文献